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极紫外多层膜制备工艺研究 总被引:6,自引:1,他引:5
介绍了用平面磁控溅射方法制备极紫外多层膜的研究工作。围绕极紫外多层膜技术 ,重点探讨了多层膜膜厚定标和工艺过程对多层膜结构和内部成分的影响。为深入研究多层膜制备工艺指明了方向。 相似文献
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为满足极紫外、软X射线和X射线大口径多层膜反射镜的需求,采用基板扫掠过矩形靶材表面的镀膜方法,在直径120 mm的平面基板上镀制了Mo/Si周期多层膜。通过调整基板扫掠过矩形靶材表面的速率修正了薄膜的沉积速率,极大地提高了薄膜厚度的均匀性。采用X射线衍射仪对反射镜不同位置多层膜周期厚度进行了测量,结果表明,在直径120 mm范围内,Mo/Si多层膜周期厚度的均匀性达到了0.26%。同步辐射测量多层膜样品不同位置处的反射率,结果表明,在直径120 mm范围内,多层膜的膜层厚度均匀,在入射角10°时13.75 nm波长处平均反射率为66.82%。 相似文献
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4.48 nm正入射软X射线激光用Cr/C多层膜高反射镜的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
针对4.48nm类镍钽软X射线激光及其应用实验,设计制备了工作于这一波长的近正入射多层膜高反射镜。选择Cr/C为制备4.48nm高反射多层膜的材料对,通过优化设计,确定了多层膜的周期、周期数以及两种材料的厚度比。模拟了多层膜非理想界面对高反射多层膜性能的影响。采用直流磁控溅射方法在超光滑硅基片上实现了200周期Cr/C多层膜高反射镜的制备。利用X射线衍射仪测量了多层膜结构,在德国BessyⅡ同步辐射上测量了在工作波长处多层膜反射率,测量的峰值反射率达7.5%。对衍射仪测量的掠入射反射曲线和同步辐射测量的反射率曲线分别进行拟合,得到的粗糙度和厚度比的结果相近。测试结果表明,所制备的Cr/C多层膜样品结构良好,在指定工作波长处有较高的反射峰,达到了设计要求。 相似文献
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水窗波段反射式偏振光学元件的设计和制作 总被引:1,自引:0,他引:1
水窗波段是软X射线进行生物活细胞显微成像的最佳波段,因此对于水窗波段偏振光学元件的研究有着非常重要的意义。用菲涅耳公式计算出在水窗波段内不同材料组合对应不同波长的最大反射率,模拟分析了多层膜周期和表界面粗糙度对多层膜偏振光学元件性能的影响。用超高真空磁控溅射镀膜设备,制作出2.40nm、3.00nm和4.30nm波长处W/B4C多层膜偏振元件,并用X射线衍射仪对元件的周期厚度进行了测量,得到的测量结果与设计值偏差很小,可以进行实际应用。为水窗波段反射式偏振光学元件的研究提供了理论依据,同时也为相应偏振光学元件的制备确定了合适的工艺参量。 相似文献
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采用磁控溅射方法制备了周期数分别为10,30,50和75的Ni/Ti多层膜,利用X射线掠入射反射测量了多层膜表面和界面的状态,并用原子力显微镜测量了多层膜的表面粗糙度,研究了不同周期数的Ni/Ti多层膜表面粗糙度的变化规律。结果表明:Ni/Ti多层膜表面粗糙度随着膜层数增加而增加,当Ni/Ti多层膜的周期数从10变化到75时,其表面粗糙度由0.80 nm增大到1.69 nm。实验数据拟合表明:Ni/Ti多层膜表面粗糙度与周期数成3次方关系;但在周期数较小时,粗糙度与周期数成线性关系。 相似文献
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提出了一种基于量子遗传算法的宽带极紫外多层膜的离散化设计方法,解决了在膜系设计中普遍采用的遗传算法存在求解精度低的问题.同时在基于量子遗传算法的膜系设计方法中对膜系进行了离散化设计,解决了在仅由时间控制膜厚且沉积速率较大的镀膜系统中的膜厚高精度控制的问题.依据量子遗传算法的膜系设计结果采用磁控溅射镀膜系统镀制宽带极紫外多层膜.测试结果表明,宽角度极紫外多层膜的入射角为0°~15°,反射率达45%以上;宽光谱极紫外多层膜的入射波长为13~15nm,反射率达20%以上.相关研究工作为宽带极紫外多层膜的研发提供了另一种可供选择的且较优的搜索优化算法,同时该算法结合实验,实现膜厚的离散化设计,使镀制出的多层膜具有较好的光谱性能. 相似文献
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ZrO2/SiO2多层膜由相同沉积条件下的电子束蒸发方法制备而成,通过改变多层膜中高(ZrO2)、低(SiO2)折射率材料膜厚组合周期数的方法,研究了沉积在熔石英和BK7玻璃基底上多层膜中残余应力的变化.用ZYGO光学干涉仪测量了基底镀膜前后曲率半径的变化,并确定了薄膜中的残余应力.结果发现,该多层膜中的残余应力为压应力,随着薄膜中膜厚组合周期数的增加,压应力值逐渐减小.而且在相同条件下,石英基底上所沉积多层膜中的压应力值要小于BK7玻璃基底上所沉积多层膜中的压应力值.用x射线衍射技术测量分析了膜厚组合周期数不同的ZrO2/SiO2多层膜微结构,发现随着周期数增加,多层膜的结晶程度增强.同时多层膜的微结构应变表现出了与所测应力不一致的变化趋势,这主要是由多层膜中,膜层界面之间复杂的相互作用引起的. 相似文献
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Dependence of film thickness on the electrical and optical properties of ZnO-Cu-ZnO multilayers 总被引:1,自引:0,他引:1
ZnO-Cu-ZnO multilayers were prepared by simultaneous RF magnetron sputtering of ZnO and DC magnetron sputtering of Cu. Cu films with different thickness were used as the intermediate metal layer. The optical and electrical properties of the multilayers studied by UV-vis spectrophotometer and four point probe method, respectively, shows that transmittance increases with decrease of copper thickness up to an optimum thickness of 5 nm and sheet resistance decreases with increase of thickness. Low resistivity and high transmission were obtained when the film structure has a thickness of ZnO/Cu/ZnO: 50/5/50 nm. The performance of the multilayers as transparent conducting material was better than the single layer ZnO of equal thickness. 相似文献
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非平衡磁控溅射镀膜机中的磁场分布对镀膜有着重要的影响。介绍一种利用有限元法求解非平衡磁控溅射镀膜机中带电线圈所产生的磁场的方法。根据电磁场理论,推导出求解带电线圈所产生的磁场的计算模型,利用基于有限元法的ANSYS软件对非平衡磁控溅射镀膜机中线圈所产生的磁场分布进行了数值模拟。通过与实测值进行比较,验证了计算模型和计算结果的可靠性。总结了非平衡磁控溅射镀膜机中的磁场分布情况,为优化镀制薄膜设计方案和提高薄膜质量提供了参考依据。 相似文献
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氧化硅薄膜是半导体工业中常见的薄膜材料,通常采用化学气相沉积方法制备。但是这种制备方法存在缺欠。采用磁控溅射的方法首先在石英衬底上制备了氧化硅薄膜。研究了射频功率、氧气含量和溅射压强对氧化硅薄膜沉积速率的影响。发现沉积速率随着射频功率的增加而增加;随着氧气含量的增加,先减小后增大;当溅射压强在0.4~0.8 Pa之间变化时,沉积速率变化很小,当溅射压强超过0.8 Pa时沉积速率迅速下降。讨论了不同生长条件下造成氧化硅薄膜生长速率变化的原因。 相似文献
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《中国物理C(英文版)》2015,(11)
Ti N film was coated on the internal surface of a racetrack-type ceramic pipe by three different methods:radio-frequency sputtering, DC sputtering and DC magnetron sputtering. The deposition rates of Ti N film under different coating methods were compared. The highest deposition rate was 156 nm/h, which was obtained by magnetron sputtering coating. Based on AFM, SEM and XPS test results, the properties of Ti N film, such as film roughness and surface morphology, were analyzed. Furthermore, the deposition rates were studied with two different cathode types, Ti wires and Ti plate. According to the SEM test results, the deposition rate of Ti N/Ti film was about 800 nm/h with Ti plate cathode by DC magnetron sputtering. Using Ti plate cathode rather than Ti wire cathode can greatly improve the film deposition rate. 相似文献
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Edyta Kulej Barbara Kucharska Grzegorz Pyka Monika Gwoździk 《Central European Journal of Physics》2011,9(6):1421-1425
This article describes the results of a study of Cu/Ni multilayer coatings applied on a monocrystalline Si(100) silicon substrate
by the deposition magnetron sputtering technique. Composed of 100 bilayers each, the multilayers were differentiated by the
Ni sublayer thickness (1.2 to 3 nm), while maintaining the constant Cu sublayer thickness (2 nm). The multilayer coatings
were characterized by assessing their surface topography using atomic force microscopy and their mechanical properties with
nano-hardness measurements by the Berkovich method. The tests showed that the hardness of multilayers was substantially influenced
by the thickness ratio of Cu and Ni sublayers and by surface roughness. The highest hardness and, at the same time, the lowest
roughness was exhibited by a multilayer structure with a Cu-to-Ni sublayer thickness ratio of 2:1.5. 相似文献