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1.
HL—1M装置几种杂质谱线的特性 总被引:1,自引:0,他引:1
王全明 《核聚变与等离子体物理》1998,18(A07):85-89
介绍了HL-1M装置真空紫外光谱区的杂质辐射观测结果。对器壁硅化后的杂质特性进行了分析,用激光吹气技术研究了杂质输运,分析了低混杂波电流驱动、弹丸注入实验中杂质谱线的变化。 相似文献
2.
HL—1托卡马克杂质注入实验及杂质输运特性的研究 总被引:3,自引:3,他引:0
本文给出了HL-1托卡马克在通常欧姆放电和偏压诱发H模放电条件下,脉冲注入杂质气体的实验结果以及对杂质在通常欧姆等离子体和偏压诱发H模等离子体中的输运研究结果。 相似文献
3.
本文给出了HL-1托卡马克在通常欧姆放电和偏压诱发H模放电条件下,脉冲注入杂质气体的实验结果以及对杂质在通常欧姆等离子体和偏压诱发H模等离子体中的输运研究结果。实验结果表明,在HL-1上偏压诱发H模等离子体中对杂质的约束性能明显优于在通常欧姆等离子体中对杂质的约束性能。杂质输运的数值模拟结果说明,无论在通常欧姆等离子体中,还是在偏压诱发H模等离子体中,杂质的输运系数都比新经典理论预计的要大得多,输运是反常的。在偏压诱发的H模等离子体中引入杂质输运“位阱”概念,能够对杂质离子约束时间长的实验现象进行很好的描述。合理地解释了在偏压杂质注入实验中杂质辐射上升时间长、衰减慢的现象。 相似文献
4.
在欧姆放电和低杂波电流驱动(LHCD)及激光吹气注入杂质的联合实验中,首次在HL-1M 装置上观测到了与软X射线对应得非常好的锯齿型密度振荡。这种类锯齿型的密度振荡存在于低杂波电流驱动与激光吹气等离子体中。分析表明,该锯齿不是通常的q = 1 有理面上的锯齿,而是在低杂波与杂质共同作用下产生的类锯齿型的密度振荡。一种可能的机制是低杂波电流驱动下杂质的中心积累及崩塌引起的扰动磁场导致了快电子的损失,从而使得密度发生振荡 相似文献
5.
LHCD和ECRH条件下的反常多普勒不稳定性 总被引:1,自引:1,他引:0
本文详述了HL-1托卡马克等离子体低混杂波驱动(LHCD)和电子回旋波加热(ECRH)条件下不同特征频率上的微波非热辐射。欧姆放电下,分析了由速度各向异性(νⅡ>>ν┴)引起的反常多普勒不稳定性,实验观察了在LHCD和ECRH条件下这种不稳定性的行为。运用反常用普勒不稳定性产生条件,本文讨论了LHCD条件下这种不稳定性受到抑制的可能物理机制。 相似文献
6.
在HL-lM装置上利用激光吹气技术,在等离子体边缘瞬态注入少量Al杂质粒子,通过对真空紫外光谱和软X射线区的杂质辐射测量,分别研究了欧姆等离子体和低杂波电流驱动等离子体两种情况下,Al杂质粒子输运与约束特性。结果表明:在欧姆等离子体和低杂波电流驱动等离子体两种情况下,等离子体中心区,在没有MHD锯齿震荡和有MHD锯齿震荡非锯齿破裂期间,杂质粒子输运基本上受新经典规律支配;在有MHD锯齿震荡锯齿破裂期间,杂质粒子输运受MHD不稳定性支配,但其时间很短(通常小于300μs),所以在这种情况下,杂质粒子输运的平均效应比新经典值稍大。而约束区杂质粒子输运则比新经典的值大很多,是反常的。在一定条件下低混杂波电流驱动可以改善等离子体粒子约束。 相似文献
7.
HL-1M感应与低杂波组合电流驱动研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文结合HL-1M的基本参数,利用准线性的低杂波电流驱动理论和等离子体的电回路方程.研究了在控制等离子体总电流不变情形下欧姆感应和低杂波注入组合驱动电流的问题。结果表明,这一组合驱动方案对HL-1M装置的运行是可行的,其驱动电流分布可以通过改变低杂波注入功率、波谱形状、等离子体电子温度、密度以及总等离子体电流等加以控制。组合驱动的电流分布将优于欧姆驱动的电流分布,并可能抑制诸如锯齿振荡等一些MHD不稳定性。 相似文献
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9.
HL—1M装置器壁硅化对电子速率分布的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
在欧姆加热和低混杂波电流驱动条件下,利用磺化汞半导体探测器和碘化钠和探测器测出了HL-1M装置的X射线能谱,研究了器壁硅化前后电子速率分布和电子温度变化的特点,给出了X射线辐射强度与LHCD能量沉积的关系。 相似文献
10.
通过H_α/D_α及杂质辐射研究HL-1等离子体特性 总被引:2,自引:2,他引:0
利用石英光纤光导、WDS-3单色仪和光电倍增管等构成的8道光电系统,通过观察H_α/D_α及杂质的辐射,研究了在低混杂波电流驱动(LHCD)、电子回旋共振加热(ECRH)、氩弹丸注入、孔栏加偏压及补送氦气等不同放电条件下的HL-1托卡马克等离子体的特性,并得到了较好的结果。 相似文献