HL—1M托卡马克脉冲超声分子束注入等离子体及杂质特性研究

文内叙述了在ＨＬ－１Ｍ托卡马克脉冲分子束注入实验中观测到的等离子体和杂质行为。分子束注入减小了杂质辐射,有效地提高了电子密度,改善了等离子体的约束性能。     

HT—6M托卡马克等离子体平衡的1MW反馈控制系统

针对ＨＴ－６Ｍ托卡马克成功地研制出１ＭＷ快响应等离子体平衡反馈控制系统。主电源采用ＧＴＯ直流斩波器。主控采用带微分反馈环节的开关斩控模式。     

托卡马克等离子体辐射诊断中的线积分辐射率

在托卡马克等离子体辐射诊断中,通过阿贝尔反汪或层析分析从线积分辐射率中得到的空间分布,是辐射率在束线宽度范围内的平均值的分布,束线宽度限制了诊断的空间分辨能力。当探测器无穷小的近似条件不成立时。束线宽度显著大于探测器中心对光栏孔径张角决定的宽度,并且在给定束线截面内各点辐射对探测信号的贡献差别可能变得重要从而导致辐射率的宽度平均成为带权重的平均。     

CT—6B托卡马克等离子体密度涨落的测量

采用光学多道探测系统，观测了ＣＴ－６Ｂ托卡马克等离子体密度涨落的幅度，频率特性和相关性以及它们的空间分布。结果表明，等离子体密度涨落的幅度为１０％－９０％，边缘区的涨落幅度高，中心区的涨落幅度低，无论边缘还是中心区的功率谱均为连续谱；并发现边缘区的涨具有时断时续的局部相关结构，每次相关持续的时间为０．２－０．５ｍｓ，空间尺度为０．５－１ｃｍ。     

CT-6B托卡马克等离子体角向转动的光谱测量

利用高分辨光谱测量系统，根据杂质离子谱线ＯⅡ４６４.２ｎｍ，ＣⅢ４６４.７ｎｍ和氢Ｈα谱线的多普勒位移，测量了ＣＴ-６Ｂ托卡马克等离子体角向转动速度的径向分布．结果表明：杂质离子的角向转动速度的方向在等离子体内部为电子逆磁漂移方向，其线速度在小半径约９ｃｍ处达到极大值３.５ｋｍ／ｓ；在接近孔阑ｒ＝１０ｃｍ处，反转为离子逆磁漂移方向．由此导出等离子体内部的径向电场向里，其最大值为１８Ｖ／ｃｍ．中性氢原子只存在其方向为电子逆磁漂移方向的角向转动分量，其数值较杂质离子谱线所得结果要低．最后对所得的结果作了初步的讨论 关键词：     

托卡马克等离子体环向电流的锯齿效应

本文从动力论出发，分析了在托上瞳马克欧姆感应驱动和低杂波驱动等离子体的组合放电中，锯齿崩塌时，循环电子和俘获电子对环向电流及其密度产生的调制作用。     

非对称Abel反演在托卡马克等离子体中的应用

本文讨论非对称Ａｂｅｌ反演，分析表明，当对托卡马克等离子对体量的多道积分诊断数据进行这种反演时，应该对数据的已知对称性作预处理，以保证待求空间分布的精度，因为反演的结果依赖于诊断探测线的布置。     

激光吹气技术在HL—1M等离子体中的应用

本文叙述了在ＨＬ－１Ｍ中用激光吹气技术进行的金属杂质实验及杂质输运特性的研究。     

HL—1托卡马克杂质注入实验及杂质输运特性的研究

本文给出了ＨＬ－１托卡马克在通常欧姆放电和偏压诱发Ｈ模放电条件下，脉冲注入杂质气体的实验结果以及对杂质在通常欧姆等离子体和偏压诱发Ｈ模等离子体中的输运研究结果。     

HL-1工程联调中真空室的放电清洗

HL-1托卡马克装置工程联调时,内真空系统经200℃60小时烘烤和7万次脉冲放电清洗,接着作了124次低参数托卡马克放电。在环向磁场为15kG下获得了60kA的等离子体电流,等离子体存在时达85ms,本文总结分析了HL-1工程联调期间真空系统的烘烤、真空室的放电清洗技术及效果。     

HL－1真空室的运行状态分析

ＨＬ－１托卡马克从１９８４年建成至１９９２年底共运行了８年，获得了丰硕的物理实验和工程技术的科研成果，真空室运行状态总的来说是良好的。本文描述真空室在高功率放电实验运行了８年后的主密封结构状态、孔栏烧蚀、真空室壁状态及其污染概况等。     

HL-1M装置真空室硅化的研究

GDC（He SiH4）是为HL－1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子－分子反应和在壁面上的He^ 诱导脱H2过程,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅（α－Si:H）薄膜。氢化硅具有良好的H（D）捕获、H2（D2）释放,能显著地降低再循环系数,有效地控制杂质水平,大大拓宽了HL－1M装置的运行范围,为HL－1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。     

HL-1装置等离子体真空紫外光谱研究

本文叙述在HL-1装置上做的真空紫外区(300-2000A)光谱实验。用微通道板象增强器摄出了等离子体光谱,对光谱进行了辨认和分析;采用光电法测量了谱线随时间的变化和改变孔栏半径时杂质的变化情况,观察了等离子体发生小破裂时出现的光谱现象,对杂质的来源及某些性质作了分析研究;使用两条CⅣ谱线强度比,测出了放电初期的电子温度。     

HL—1M装置的真空进展

总结了１９９４ 至１９９８ 年度ＨＬ－１Ｍ 装置的真空进展，包括真空壁条件、真空运行参数、放电进展、影响壁条件的主要因素及其控制指标等     

HL—1M装置的真空抽气系统

本文叙述了ＨＬ－１Ｍ装置真空轴气系统的设计、调试、同时结合装置运行说明抽气效果。     

CT-6B托卡马克等离子体的真空紫外光谱

用一米掠入射真空紫外光谱仪拍摄了CT-6B托卡马克等离子体的杂质光谱,波长区为1580—550?和460—43?。观察到限制器材料钼的谱线MoⅧ234.314?,235.510?和237.215?,以及低Z杂质C,N,O的谱线。它们的最高电离阶分别为MoⅧ,OⅦ,CⅣ和NⅤ。在这些杂质光谱中,OⅤ和OⅥ谱线出现得多而且强,说明氧是CT-6B等离子体的主要杂质,它的线辐射在CT-6B辐射损失中占主要部分。观察到的最短波长为OⅦ 21.6020?和21.804?的二级谱。由MoⅧ和OⅦ谱线的出现可以估计出CT-6B等离子体平均电子温度约为140eV。在所观察波长区内,未发现真空室壁材料Fe,Ni,Cr,Ti等杂质的谱线。 关键词：     

HL-1M装置的真空运行与质谱诊断

通过对真空运行模式、真空运行参数、辉光放电清洗和硅化壁处理手段的规范化，显著地降低了HL－1M装置的真空壁出气、本底杂质浓度、放电杂质出气比和再循环，成功地实现了高参数放电、长脉冲放电和装置暴露大气后快速恢复放电，并为验证低混杂电流驱动、离子回旋共振加热、电子回旋共振加热、中性束注入、弹丸注入和分子束注入实验及升级等离子体运行提供了良好的壁条件。描述了HL－1M装置真空系统、壁出气和再循环、质谱诊断和程序脉冲送气等方面的主要实验成果，这些结果为HL－2A装置的真空系统研制和运行提供有益的参考。     

托卡马克中撕裂模的抑制

本文分析与计算了共振螺旋场对自发撕裂模的抑制作用。通过解电阻MHD方程证实了螺旋场能使m=2的撕裂模增长速度减慢一倍左右。同时也讨论和计算了边界控制场对撕裂模的抑制作用。 关键词：     

托卡马克边界等离子体数值模拟

本文用数值模拟法，通过数值求解二维多流体等离子体输运方程。来模拟托卡马克边界等离子体输运过程和输运特性。模拟计算的结果，对托卡马克偏滤器和第一壁的设计有重要意义。