首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 18 毫秒
1.
PEG200改性SiO_2溶胶制备光学增透膜的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用TEM、SDP 等分析手段对PEG200 改性的SiO2 溶胶制备参数与光学增透膜的性质进行了研究。结果表明:PEG200 改性后的SiO2 溶胶簇团粒度分布与交联状况发生显著变化,形成不同的网络结构特征,由此影响膜层的光学增透性能。  相似文献   

2.
氧化硅包敷对铁黄脱水过程的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文采用DTA、TG、HTXTD和TEM研究了SiO2包敷a-FeOOH粒子的脱水过程。从DTA和TG曲线算得的动力学参数表明,SiO2包敷a-FeOOH粒子的脱水过程近似为一级反应,其活化能大于未处理的a-FeOOH粒子的活化能。  相似文献   

3.
此文用从头计算法,在HF、MP2、MP3水平下,使用基组6—31G、6—31+G对SiO的等电子分子SiXm(X=Be、B、C、N、P、Ne,m=-4~+2)进行了几何优化,并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率,对SiO分子,使用QCISD(T)方法考虑了不同水平下的电子相关效应,并考虑了不同基函数6-31+G和6-311+G的影响。计算结果表明,所有分子的势能曲线都有稳定的极小值,并且键长与频率在HF、MP2、MP3水平上都呈现出明显的规律性,通过与实验上存在的稳定分子SiO相比较,可以预言NSIi-和SiF+比其它分子有较明显的成键可能性,所以,NSi-和SiF+有可能形成稳定的分子。  相似文献   

4.
化学复合镀Ni-P-SiO2镀层的XPS和AES分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文运用XEM、AES和XPS分析了Ni-P-SiO2镀层的表面形貌及镀层组成。研究显示:Ni-P-SiO2镀层表面光滑、均匀、光洁度好;其相对原子百分数为Ni74.56%,P12.38%,Si2.77%,Fe2.32%,O6.65%,镀层厚度为6.40um,镀层耐10%NaCl溶液和1%H2S气体的腐蚀能力较强。  相似文献   

5.
应用HF、MP2和杂化的B3LYP方法,使用3-21G基组,对H2Si8O12和H8Si7TiO12团簇的几何构型,总能进行了计算,并在B3LYP/3-21G的水平上对硅原子的核磁共振化学位移进行了研究,得到的几何构型,以及核磁共振化学位移与实验结果进行了比较,发现吻合得很好。计算了H8Si8O12和H8Si7TiO12团簇的Mulliken布居数的大小。并对Si原子被Ti原子取代前后的H8SiO12体系的几何构型、Mulliken布居数的变化进行了比较和研究。  相似文献   

6.
夏海平  朱从善 《光学学报》1997,17(12):634-1637
报道了在C60与NH2(CH2)3Si(OC2H5)3中的胺基反应生成C60-NH2(CH2)3Si(OC2H5)3物质后引入r-缩水甘油醚基丙基三甲氧基硅烷「CH2OCHCH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)3,3-Glycidoxypropltrimethoxysilane,简称KH560」与二甲基二乙氧基硅烷「(CH3)2Si(OC2H5)2,Diethoxydimethylsilane  相似文献   

7.
THERMALINSTABILITYOFD-TBURNINGPLASMAS¥B.R.SHIY.X.LONGH.G.ZHAO(SouthwesterninstituteofPhysics,P.O.Box432,Chengdu610041,Sichuan...  相似文献   

8.
此文用从头计算法,在HF,MP2,MP3水平下,使用基组6-31G,6-31+G对SiO的等电子分析SiX^m(X=Be,B,C,N,F,Ne,m=-4~+2)进行了几何优化,并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率,对SiO分子,使用QCISD(T)方法考虑了不同水平下的电相关效应,并考虑了不同其函数6-31+G和6-311+G的影响。计算结果表明,所有分子的势能曲线都有稳定的极小值,并且键长与频  相似文献   

9.
本文采用步辐射的SiK-边X-射线吸收近边结构(XANES)谱研究了Si在SiO2-P2O5和Na2O-SiO2-P2O5的低压磷硅酸盐玻璃中结构与配位,以及Si的配位几何随玻璃中P2O5含量而变化:同步辐射的Al K-边XANES谱研究了Al在铝硅酸盐成分为NaAlSi2O6-NaAlSi3O8的玻璃和熔体中的配位和局部结构,并提供了直接的实验证据该成分的玻璃体系中由于压力的变化所诱导Al配位的  相似文献   

10.
KrFLaser-inducedDamagetoZrO_2/SiO_2Coatings¥WANGNaiyan;GAOHuailin(ChinaInstituteofAtomicEnergy,P.O.Box275-7,Bejijng102413,Chin...  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号