负载金属对SO^2—4／ZrO2催化剂超强酸性和反应性能的影响

本文研究了气氛和负载金属对ＳＯ＾２－４／ＺｒＯ２超强酸催化剂正戊烷异构化反应性能的影响。ＳＯ＾２－４／ＺｒＯ２催化剂在Ｎ２中初活性较高，但稳定性很差，在Ｈ２中活性很低。负载Ｐｒ可显著地改善催化剂的活性，选择性和稳定性，负载Ｎｉ则使催化剂活性反而降低。催化剂的红外光谱试验结果表明，Ｈ２可使结合在ＺｒＯ２上的ＳＯ＾２－４，部分还原，减少超强酸位，Ｐｒ对ＳＯ＾２－４的还原有阻抑作用，使催化剂表面保留较多     

La2—xBaxCuO4（0≤x≤0.22）的低温结构不稳定性研究

测量了Ｌａ２－ｘＢａｘＣｕＯ４单相多晶材料在１０Ｋ－３００Ｋ的纵波超声声速和超 声衰减，在高温四方相向低温正交相结合相变温度附近，发现强烈的晶格软化现象并伴有明显的超声内耗峰，温度低于６０Ｋ在所有样品中均发现明显的超声异常现象，这表明在ｘ＝０到ｘ＝０范围内Ｌａ２－ｘＢａｘＣｕＯ４中都可能存在不稳定的低温结构相变。ｘ＝０，０．１２和０．２２几个样品的超声衰减在低温下明显高于其它超志性能好的样品，这可     

ZrO2在Rh/γ-Al2O3催化剂中对NO催化还原反应的作用

测定了含ＺｒＯ２的Ｒｈ／γ－Ａｌ２Ｏ３催化剂上ＮＯ＋Ｃ２Ｈ４和ＮＯ＋Ｃ２Ｈ４＋Ｏ２的反应活恬性,并应用ＴＰＲ、ＸＲＤ、ＢＥＴ比表面等表征了ＺｒＯ２的加入方式和晶型对Ｒｈ／γ／Ａｌ２Ｏ３催化剂活性和结构的影响。结果表明,ＺｒＯ２的加入一定程度也抑制了Ｒｈ＾３＋与γ－Ａｌ２Ｏ３之间的相互作用和Ａｌ２Ｏ３的相变,提高了催化剂的热稳定性,明显提高了８５０℃老化样品的ＮＯ＋Ｃ２Ｈ４反应活性。对于ＮＯ＋Ｃ２     

La＿xBi＿（2－X）Ti＿4O＿11的合成及相变研究

合成了Ｌａ＿ｘＢｉ＿（２－Ｘ）Ｔｉ＿４Ｏ＿１１系列样品，并完成了它们的喇曼光谱和ｘ射线衍射测量；结果表明，该体系在Ｘ＝１．２经历了一次相变，且相变与最低频声子模随Ｘ的变化有关。Ｌａ＿０．２Ｂｉ＿１．８·Ｔｉ＿４Ｏ＿１１的相变温度为２００℃。初步获得Ｌａ＿２Ｔｉ＿４Ｏ＿１１的结构为正交结构。     

强氧化条件下非晶态Ni—Zr合金的表面结构及组成表征

用ＸＰＳ，ＵＰＳ，ＩＳＳ，ＳＥＭ方法分别对Ｎｉ２４Ｚｒ７６和Ｎｉ３６Ｚｒ６４两种组份的非晶态合在氧气压强为５×１０＾４Ｐａ温度为２５０℃～３００℃，的强氧化条件下，氧化前后表面的形貌及化学组成分析，结果表明，表面优化氧化Ｚｒ，并形成ＺｒＯ２物种，在非晶态Ｎｉ２４Ｚｒ７６合金中没有发现Ｎｉ的氧化，而Ｎｉ３６Ｚｒ６４组份的合金中Ｎｉ被氧化生成了ＮｉＯｘ（１〈ｘ〈１．５），氧化后表面富Ｚｒ将氧化后的Ｎｉ     

固体酸SO^2—4／Ti—La—O的制备及催化酯化活性的研究

研制了稀土复合固体酸ＳＯ＾２－４／Ｔｉ－Ｌａ－Ｏ以均苯四甲酸二酐和２－乙基己醇的酯化为模型以应，研究催化剂制备条件与催化剂的表面结构对催化活性的影响。ＸＲＤ表明ＳＯ＾２－４／Ｔｉ－Ｌａ－Ｏ在４００℃～４５０℃焙烧呈非晶态，Ｘ光电子能谱解析中可知原子所处的状态已不完全和单组份氧化表面相同，金属原子极化程度增加了，氧化物表面的硫为高价氧化态Ｓ＾＋６，ＦＴ－ＩＲ表面ＳＯ＾２－４以螯合状双配位方式吸附在金     

Gd_2O_3: Eu纳米荧光体的晶体结构和相变

首次报告Ｇｄ２Ｏ３Ｅｕ纳米荧光体的晶体结构和相变．由Ｘ射线衍射检测结果，Ｇｄ２Ｏ３Ｅｕ纳米荧光体存在体心立方和单斜多型结构．和体材料的相变温度１２５０℃相比，Ｇｄ２Ｏ３Ｅｕ纳米晶由立方到单斜相变温度升高到１３００和１３５０℃之间．这一结果也从Ｇｄ２Ｏ３Ｅｕ纳米荧光体的荧光光谱变化得到证实．     

GdBa2Cu3O7—x超导体失氧与超导电性的关系：GdBa2Cu3o7—x淬火样品的EXAF …

本文采用ＥＸＡＦＳ方法了ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ高Ｔｘ超导陶瓷在不同温度下淬火后各金属原子周围氧配位数及键长的变化,得出该１２３相超导体随淬火温度升高失氧的具体位置为Ｏ１及Ｏ４,Ｃｕ－Ｏ平面未被破坏。指出Ｃｕ－Ｏ链及Ｏ４在１２３相超导体中应具有重要作用。     

Gd2O3：Fu纳米荧光体的晶体结构和相变

首次报告Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ纳米荧光体的晶体结构和相变，由Ｘ射线衍射检测结果，Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ纳米荧光体存在的体心立方和单斜多型结构，和体材料的相变温度１２５０℃相比。Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ纳米晶由立方到单斜相变温度或高到１３００和１３５０℃之间，这一结果也从Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ纳米荧光体的荧光光谱变化得到证实。     

ZnO－Bi＿（2）O＿（3）－Sb＿（2）O＿（3）－BaO系陶瓷的晶界相与抗退降性能

在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｓｂ＿２Ｏ＿３系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ＿２Ｏ＿３和Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６相是热稳定的，它对改善压敏陶瓷的退降性能起重要作用。通过控制各种添加剂的含量，使晶界相Ｂｉ＿２Ｏ＿３，Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４和ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６之间的数量有适当比例时，压敏陶瓷在长期电负荷作用下和脉冲大电流作用下的抗退降能力都有显著的提高，特别可贵的是反向Ｖ—Ｉ特性的退阵有很大的改善。