类硼烯HBLiCl的构型及异构化反应的量子化学研究

用ＲＨＦ／６－３１Ｇ＾＊解析梯度方法研究了类硼烯ＨＢＬｉＣｌ的结构，得到了４个平衡构型和３个异构化反应的过渡态构型，并分析了各构型的结构特点及稳定性。文中还给出了各构型的Ｍｕｌｌｉｋｅｎ集居数和基本构型的前线分子轨道，并简单讨论了３种基本构型的化学活性。     

类硼烯HBNaX（X=F,Cl）的构型及异构化反应的理论研究

用ＲＨＦ／６－３１Ｇ＾＊解析梯摭方法研究了类硼烯ＨＢＮａＦ和ＨＢＮａＣｌ的结构２，均得到了３个平衡构型和２个异构化反应的过渡态构型，经动力学分析表明，其中两种平衡要型是它们存在和参加化学反应的基本构型，分子各平衡构型的结构特点及稳定性，给出了各构型的Ｍｕｌｌｉｋｅｎ集居数和基本构型的前线分子轨道，并讨论了基本构型的反应活性及卤素原子（Ｆ，Ｃｌ）对构型稳定性和基本的构型反应活性的影响。     

类铝烯HAlLiX（X=F,Cl）的构型及异构化反应的量子化学研究

用ＲＦＨ／６－３１Ｇ解析梯度方法研究了类铝烯ＨＡｌＬｉＦ和ＨＡｌＬｉＣｌ的结构，均得到了４个平衡构型和３个异构化反应的过渡态构型，经动力学分析表明，其中各自的两种平衡构型是它们存在和参加化学反应的基本构型，文中分析了各平衡型的结构特点及稳定性，给出了各构型的Ｍｕｌｌｉｋｅｎ集居数和基本平衡构型的前线分子轨道，并讨论了基本平衡构型的反应活性及卤素原子（Ｆ，Ｃｌ）对构型稳定性反应活性的影响。     

二氟硅烯与乙烯环加成反应的理论研究

用ＲＨＦ／６－３１Ｇ＾＊解析梯度方法研究了单重态二氟硅与乙烯环加成反应的机理,并用统计热力学方法和过渡态理论计算了该反应温度下的热力涵 数的变化和动力学性质。结果表明,此反应历程由两组成：（１）二氟硅烯与乙烯生成了一中间配合物,是一无势垒的放热反应;     

含ZnS：Mn^2＋纳米晶玻璃中Mn^2＋三种格位态的EPR研究

通过对ＺｎＳ：Ｍｎ＾２＋不同含量的钠硼硅玻璃发光和激发光谱测量,发现Ｍｎ离子可能占扭替位（Ｍｎ＾２＋）ｓｕｂ和间隙（Ｍｎ＾２＋）ｉｎｔ两种格位。进一步的电子 磁共振（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ,ＥＰＲ）实验证实了这一判断,并从ＥＰＲ谱人（Ｍｎ＾２＋）Ｓｕｂ,（Ｍｎ＾２＋）ｉｎｔ和Ｍｎ团三种格位态的存在。观测到ｇ因子和超精细结构（ＨＦＳ）常数随纳米晶粒径的减小而增     

硅基低维半导体材料

Ｓｉ／Ｇｅ超晶格外延生长技术的发展和纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）多孔硅（ＰＳ）发光现象的发现，引起了们们对硅基低材料的关注，文章简要综述了近年来在Ｓｉ／Ｇｅ超晶格的电子态和光学性质以及ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ，ＰＳ的结构和发光机理等方面的研究进展。     

DETA对γ—FeOOH制备过程的影响

在以ＦｅＳＯ４和ＮａＯＨ为原料制备铁黄时,反应初期加入ＥＤＴＡ能诱导γ－ＦｅＯＯＨ的生成。当初始反应液中ＥＤＴＡ的浓度大于某一临界值Ｃ＾＊时,才能得到纯γ－ＦｅＯＯＨ,且Ｃ＾＊随碱比和温度的升高而增大。γ－ＦｅＯＯＨ粒子成核期内Ｆｅ（Ⅱ）／Ｆｅ（Ⅲ）＝２,ＥＤＴＡ分子中以一定距离分隔的２个羧基是诱导γ－ＦｅＯＯＨ粒子成核的关键基团,由于聚丙烯酸分子的聚软性,其也可以诱导γ－ＦｅＯＯＨ的生成。     

典型杂氮硅三环分子构象特性及^29Si磁屏蔽张量从头计算

采用模拟退火方法获得了１－甲基及１－乙烯基取代的杂氮硅三环类化合物存在的几种分子构象，并采用ａｂｉｎｉｔｉｏＧＩＡＯ－ＣＨＦ方法对Ｆ和ＣＨ３基团取代的模型化合物结构进行了＾２９Ｓｉ磁屏 蔽张量从头计算研究。     

稀氢氟酸中硅表面氢终端的原位拉曼光谱研究

本文用共焦显微拉曼系统原位观察了Ｓｉ（１００）表面氢终端原子在稀氢氟酸中的变化过程。研究表明：在硅片浸入氢氟酸溶液的初期,表面主要被硅和三个氢原子的结合体（Ｓｉ Ｈ３）以及硅和两个氢原子的结合体（Ｓｉ Ｈ２）所覆盖。随着腐蚀过程的延长,Ｓｉ Ｈ３越来越少,Ｓｉ Ｈ２的信号不断增强,并且,硅和单个氢原子的结合体（Ｓｉ Ｈ）的信号也开始出现。最终,硅表面主要被Ｓｉ Ｈ２所覆盖,有少量Ｓｉ Ｈ３和Ｓｉ Ｈ键。本文还表明,拉曼光谱用来原位观察半导体材料表面终端原子键在溶液中的变化是很有用的工具     

掺氧化硼应力棒的杂质含量研究

用红外吸收法测量了熊猫光纤掺氧化硼应力棒的ＯＨ根含量，用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）仪测量硼、硅、氧和氮的含量，用扫描电子显微镜测量锗分布、芯／包界面的阴极射线发光（ＣＬ）等。对ＯＨ根基波与谐波吸收差别进行了理论分析。 关键词：