电容器串联“无过压”击穿分析

电容器串联“无过压”击穿分析邢柏森，赵梅（长春空军第二航空学院基础部长春１３００２２）电容元件在电路中的应用十分广泛，为满足电路中所需要的容量或耐压值，往往将两只以上电容器串联接在一起使用．在电路设计时，一般是脱离外接电路计算电容器组的耐压值的，但在...     

SiGe HBT势垒电容模型

在考虑SiGe HBT的势垒电容时，通常的耗尽层近似不再适用，应考虑可动载流子的影响.在分析研究SiGe HBT载流子输运的基础上，建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型.将以上势垒电容 模型应用于SiGe HBT频率特性模拟，模拟结果与实验结果符合得很好. 关键词： SiGe HBT 势垒电容 微分电容     

非平行板电容器电场和电容的简化计算

用高斯定理求得非平行板电容器的场强和电容，计算方法简便，场的表达式简明，场的图象清楚。     

深化教学内容改革的尝试

本文结合在电气工程系应用电子技术专业物理课程中关于“电容和电场能量”的一次公开课，探索在教学中从应用角度引入问题；在教学过程中紧扣“撑握概念、强化应用”；以讲清原理、概念在工程技术应用为主，不过多涉及技术细节以及注意培养学生工程思维方法等问题。     

PN结对交流信号相位的影响

交流小信号被PN结和电容分压，且电容值远远大于PN结电容值时，大电容两端的电压是很小的交变电压，该信号的相位与PN结的内阻(正向)有关．把PN结当做一个电容和一个电阻并联，可定性解释这种关系．     

长直组合矩形柱面电容传感器电容的研究

通过求解电势的拉普拉斯方程，讨论长直组合矩形柱面电容器中的电势、电荷和电容。     

用电容法测量微振动位移

木文介绍了微振动位移非接触测量的电容法，讨论了方法的原理，测量电子学和有关的技术问题．测量中采用小尺寸的电容位移探测头，同样获得了高的灵敏度，精密的滤波技术，使得所测振动的上限频率达７ｋＨｚ．实验结果证明，这一方法是可靠的．     

用单片机制作电容测量仪

介绍用单片机测量电容的方法，用数学导出软件校准结果，同时对测量误差进行分析，给出应用实例，最后讨论了扩展量程的方法。     

单芯偏心电缆单位长度电容的计算

根据场强唯一性定理，计算出了单芯偏心电缆单位长度的电容。     

如何做好导体和电介质增大电容演示实验

一、实验分析电容器中插入导体板和介质板增大电容的实验是通过静电计指针的偏转角a的大小变化来说明电容器电容C的变化的（图1）．Q一定时，若α大，则C／小；反之则C大、本实验的目的有两个．图1（1）在电容器中插入电介质板时，α的减小量α1要较大；（2）在电容器中插入导体板时，α的减小量凸a。要大，而且凸α2要明显地大于α1．在电容器中插入电介质板时（图2），设极板面积为S，两极板相距为d，插入厚度为t1、相对介电常数为的电介质板．则电容器的电容由变为电容增量为若插入厚度为t2的导体板，则电容由C0变为电容的增量为根据…