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国立西南联合大学物理系──抗战时期中国物理学界的一支奇葩沈克琦(北京大学物理系,北京100871)(5)赵忠尧(1902-)浙江诸暨人。东南大学物理系毕业(1925)。1925-1927任清华大学物理系助教,1927年留美,获加州理工学院博士(193... 相似文献
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拉曼光谱在医学上的应用(Ⅱ)余国滔(北京大学生命科学学院北京100871)BiomedicalApplicationsofRamanSpectroscopy(Ⅱ)YueKwokto(ColegeofLifeSciences,PekingUnivers... 相似文献
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关于半导体极薄层超晶格拉曼散射特征的研究杨昌黎,张树霖(北京大学物理系北京100871)R.Planel(LaboratiredeMtcrostructusedetdeMicroelectroniqueCentreNationaldelaRecher... 相似文献
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《微机辅助大学物理教学系列软件》项目介绍 总被引:1,自引:1,他引:0
《微机辅助大学物理教学系列软件》项目介绍秦克诚,陈海平(北京大学物理系,北京100871;高等教育出版社物理编辑室,北京100009)《微机辅助大学物理教学系列软件》是由国家教委立项下达、由高等学校物理学教学指导委员会和高等教育出版社共同组织实施的一... 相似文献
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基于Litovchenko提出的多孔硅三层模型和在此基础上由Li等人提出的多孔硅三层发光模型,利用半导体异质结理论导出了多孔硅芯部与夹层中载流子浓度、非平衡载流子数目、扩散电流密度、夹层与芯部发光强度的比值等关系式.结果表明:当Egint>Egcore时,在0.2 eV<ΔEv+ΔEc<0.26 eV范围内发光谱将出现双峰,并在ΔEv+ΔEc>0区域发光峰位不断向高能移动,发生蓝移现象;当Egint<Egcore时,尽管芯部由于量子限制效应仍将导致发光峰蓝移,但芯部的发光相对夹层的发光相当弱,这时多孔硅发光谱呈现单峰.此模型定量地解释了多孔硅发光峰的蓝移起源于多孔硅量子限制效应,而发光出现发光双峰和发光峰位钉扎是由夹层物质决定,说明了多孔硅的发光存在多种发光机制. 相似文献
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用脉冲激光沉积(PLD)技术以多孔硅(PS)为衬底生长了ZnS薄膜,分别测量了ZnS、PS以及ZnS/PS复合体系在室温下的光致发光(PL)光谱。结果发现,ZnS/PS复合体系的PL光谱中PS的发光峰位相对于新制备的PS有所蓝移。把该ZnS/PS样品分成三块,在真空400℃分别退火10,20,30 min,研究不同退火时间对ZnS/PS复合体系光致发光特性的影响。发现退火后样品的PL光谱中都出现了一个新的绿色发光带,归结为ZnS的缺陷中心发光。随着退火时间的延长,PS的发光强度逐渐降低且峰位红移。把ZnS的蓝、绿光与PS的红光相叠加,整个ZnS/PS复合体系在可见光区450~700 nm形成一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射。 相似文献
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研究了不同质量比的聚苯乙烯(PS)三苯基二胺(TPD)复合空穴传输层对有机电致发光器件(OLED)性能的影响。采用此掺杂体系作器件的空穴传输层,利用旋涂工艺制备了结构为indium-tin-oxide(ITO)/polystyrene(PS)∶N,N′-bis(3-methylphenyl)-N,N′-diphenylbenzidine(TPD)/tris-(8-hydroxyquinoline)-aluminium(Alq3)/Mg∶Ag的双层有机电致发光器件。为便于比较,另直接蒸镀TPD薄膜做空穴传输层制备了相似结构的器件。利用飞行时间法对不同PS-TPD质量比例的薄膜的空穴迁移率进行了表征,并对器件的电致发光特性进行了测试。测试结果表明,掺杂薄膜的空穴迁移率比纯TPD膜的低1~2个数量级。当质量比为m(PS)∶m(TPD)=10∶90时,器件具有最高光亮度14280 cd/m2和最高流明效率1.2 l m/W。说明适当质量比PS的引入相对降低了薄膜的空穴迁移率,调节了TPD的空穴传输能力,更有效地平衡了复合区内正负载流子的数目,从而提高了器件的发光亮度和效率。 相似文献
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从生物延迟发光的机理出发,建立了生物延迟发光动力学方程,发现菠菜叶片的延迟发光随时间按双指数规律衰减,表明菠菜叶片延迟发光来源于快项和慢项两个发光系统,其动力学行为可以通过发光动力学参数积分强度、初始光子数和衰变时间定量描述。用体积分数为10%的H2O2溶液处理菠菜叶片,随着处理时间的延长,延迟发光积分强度和初始光子数快速降低,积分强度和初始光子数的变化呈正相关,表征快相和慢相发光特征的两个衰变时间表现出逐渐减小的趋势。积分强度和初始光子数的变化代表了叶片的光合能力和代谢强度的下降,衰变时间的变化暗示H2O2可能对叶片PSⅡ中D1和D2两条多肽造成了破坏。 相似文献
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A planar optode system based on an oxygen quenchable luminophore platinum (II) octaethyporphrin (PtOEP) bound with thin polystyrene (PS) film and UV light-emitting diodes (UV-LEDs) was developed to measure the dissolved oxygen (DO) concentration field in micro-scale water flows. An intensity-based method adopting a pixel-to-pixel in situ calibration technique was used to visualize DO concentration fields around an impinging micro-nozzle. The achievable spatial resolution of the acquired concentration map could be as high as 2.94 μm. A micro-round water jet having 100% of DO was obliquely impinged on to a PtOEP/PS film coated plate placed in a 0% of DO water container. Velocity fields were obtained by computational fluid dynamics (CFD) analysis and it is demonstrated that the high DO concentration region was coincided with the impingement area. The DO concentration gradient due to DO diffusion was affected by the Reynolds number. 相似文献
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Enhancing light extraction of GaN-based blue light-emitting diodes by a tuned nanopillar array 下载免费PDF全文
Surface patterning of p-GaN to improve the light extraction efficiency of GaN-based blue light-emitting diodes(LEDs) has been investigated. Periodic nanopillar arrays on p-GaN have been fabricated by polystyrene(PS) nanosphere lithography; the diameter of the nanopillars can be tuned to optimize the electrical and optical properties of the LEDs. The electroluminescence intensity of the nanopillar-patterned LEDs is better than that of conventional LEDs; the greatest enhancement increased the intensity by a factor of 1.41 at a 20 mA injection current. The enhancements can be explained by a model of bilayer film on a GaN substrate. This method may serve as a practical approach to improve the efficiency of light extraction from LEDs. 相似文献
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硅发光对于在单一硅片上实现光电集成是至关重要的.目前已有的使硅产生发光的方法有:掺杂深能级杂质、掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格.声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备光致发光多孔硅薄膜提供了一条重要的途径.实验表明,声化学处理对于改善多孔硅的微结构,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术.超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅薄膜,比目前通用的常规方法制备的样品显示出更优良的性质.这种超声波的化学效应源于声空化,即腐蚀液中气泡的形成、生长和急剧崩溃.在多孔硅的腐蚀过程中,由于超声波的作用增加了孔中氢气泡的逸出比率和塌缩,有利于孔沿垂直方向的腐蚀,使多孔硅光致发光峰的半峰全宽压缩到了3.8nm. 相似文献
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利用直流电源对发光二极管(LED)的结电容充电,切断直流电源后对LED的电压-时间特性进行测量。当充电电压低于LED复合发光的门槛电压,LED的电压-时间特性与普通二极管的相似。当充电电压高于LED复合发光的门槛电压,首次观察到:开始放电的瞬间会出现一个快速下降过程,快速下降到门槛电压以下;LED上的电压越高,快速下降到的电压越低。对该现象进行分析,得到一些新的结论。当LED的正偏电压高于复合发光的门槛电压后,出现了注入到扩散区的非平衡载流子随正偏电压的提高而减小的现象,即dQ/du<0。 相似文献