基于自适应方法的Sn/O/H/N/C/Cl反应机理简化

计算包含详细反应机理的复杂反应流问题仍然是十分费时的,已有的反应流计算方法通常采用简化的化学反应机理．传统的机理简化方法大多基于反应条件的稳态假设,如主量组分分析法等．近年来,一种基于自适应化学理论的机理简化的新方法被提出．该方法根据设定的化学精度要求,可实现详细反应机理的最优简化．对Sn/O/H/N/C/Cl详细反应机理的简化结果表明Sn CO_2=SnO CO和Sn O_2=SnO O为机理中影响Sn氧化最重要的两个基元反应．     

超导体/正常金属/半导体/正常金属/超导体结的研究

在约瑟夫逊效应的理论研究中,大体上有微观和宏观两种方法。采用的是宏观的方法。利用推广的Ja-cobson方法,讨论了超导体/正常金属/半导体/正常金属/超导体结的约瑟夫逊效应,并在小电流假设下,推导出了该结的电流密度与位相之间的关系。     

普通话韵母/ao/与/ou/的时频协变对比分析

本文以语言所普通话语音数据库中十五个人的零声母音节声学参数为基础，对／ao／与／ou／这样一对极易相混的二合元音韵母内部频率域和时间域特性的协同变化进行微观分析．重点解析它们的频率特性随时间而协同变化的行为及其相关结构方面的异同，并给出相应的统计参数和相关的时频协变模式．     

LixNayCoO2的制备和热电性质

用固相反应方法，成功地合成了具有交互生长结构的Li_xNa_yCoO₂单相多晶系列样品. 热电势测量表明，该系统的室温热电势比Na_xCoO₂体系约高出60μV/K. 基于空穴载流子具有O2p特征，提出Li_xNa_yCoO₂中额外的热电势来源于氧空穴的占位熵. 关键词： xNa_yCoO₂')" href="#">Li_xNa_yCoO₂ 热电势 热电材料     

InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究

利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/In _{x Ga1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有In x Ga1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/In x Ga1-x关键词： 纳米线异质结构 xGa1-xAs')" href="#">InxGa1-xAs 组分渐变缓冲层 金属有机化学气相沉淀法}     

Nb/Al-AlOx/Nb隧道结的制备

本文报道了在射频磁控溅射装置上Nb/Al-AlO_x/Nb隧道结的制备工艺和所获得的结果。对SIS三层结构形成时基片的温度、势垒,以及电极形成方法等问题进行了讨论。 关键词：     

Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率

在有效质量近似下利用打靶法求出Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y/GaAs量子阱中的本征能级E_n, 并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律. 计算结果表明: 在In 组分恒定的情况下, 随着N组分的增加, 散射率和平均散射率增加; 在N组分恒定的情况下, 随着In组分的增加, 散射率和平均散射率减小; 随着温度的增加, 在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大, 在温度较高时随温度的增加而增加; 随着阱宽的增加, 散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值, 然后再减小, 最大值出现在阱宽200 Å附近. 计算结果对Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y/GaAs量子阱在光电子器件应用方面有一定的指导意义. 关键词： 费米黄金规则 1-xIn_xN_yAs_1-y/GaAs量子阱')" href="#">Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y/GaAs量子阱 LO声子 散射率     

基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究

基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试，采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明，肖特基接触的电流输运机理非常复杂，在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触I-V特性方程进行了修正，得到了很好的拟合曲线.试验表明，高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值. 关键词： 氮化镓 肖特基二极管 表面势垒减薄模型 热电子场发射     

CoFeB/AlOx/Ta及AlOx/CoFeB/Ta结构中垂直易磁化效应的研究

本文详细研究了在不同氧化层和铁磁层厚度情况下, 底层CoFeB/AlO_x/Ta结构和 顶层AlO_x/CoFeB/Ta结构中的垂直磁各向异性. 在底层CoFeB/AlO_x/Ta结构中观察到了垂直磁化的磁滞回线, 证明了其垂直易磁化效应的存在; 而在顶层AlO_x/CoFeB/Ta结构中却没有观察到类似的磁滞回线. 对这种对称结构中的非对称现象进行了分析. 研究还发现不同的氧化层和铁磁层厚度均会影响层间界面相互作用的强度, 从而导致结构的垂直磁化曲线矫顽力大小发生改变. 这项研究将对基于AlO_x氧化层垂直磁隧道结的研制具有重要的意义. 关键词： 垂直磁各向异性 磁隧道结 随机存储器     

GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点中的电子结构

详细讨论了GaAs/Al_xGa_1-xAs球形量子点内的单电子束缚能级随量子点半径、Al组分以及外电场的变化规律,并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对电子能级的修正. 另外,用解析和平面波展开两种方法对球形量子点内的电子能级进行了计算,并对计算结果做了比较,发现它们符合的很好. 结论和方法为量子点的研究和应用提供了有益的信息和指导. 关键词： 球形量子点 解析方法 平面波展开方法 有效质量     

PdMn/Co多层膜的磁性和磁光特性研究

用磁控溅射法制备了不同Mn含量的PdMn/Co磁性多层膜，通过x射线衍射对该多层膜系列进行结构分析；测定了不同Mn含量系列样品的磁滞回线、垂直各向异性及磁力显微镜图，分析了饱和磁化强度、磁畴和垂直各向异性变化的原因；通过测定该多层膜体系的克尔谱，简要分析了一定波长下克尔角随Mn含量增加而变化的物理机制. 关键词： 多层膜 磁性 磁光     

Pt974Mn26/Co多层膜的磁性与磁光性质研究

用磁控溅射法制备了Mn含量一定、不同PtMn层厚度的Pt974Mn26/Co磁性多层膜系列，通过x射线衍射对该多层膜系列进行结构分析；测定了不同PtMn层厚度系列样品的磁滞回线、有效垂直各向异性，分析了饱和磁化强度和有效垂直各向异性变化的原因；通过测定该多层膜体系的克尔谱，分析了一定波长下克尔角随PtMn层厚度变化的规律.认为克尔角的变化是由于界面的合金化以及原子的极化减小所致. 关键词： 多层膜 磁性 磁光     

Co-Zr/Pd多层膜的磁性与结构

Co-Zr/Pd多层膜由高频溅射方法制得．磁性合金Co-Zr层厚度固定为1.8nm，改变Pd层厚度0.5—6nm．由振动样品磁强计测量，发现随Pd层厚度增加，磁化强度发生周期性振荡变化，周期约为1nm，这是由Pd层的极化振荡引起的．经X射线衍射测得Pd层厚度超过1.3nm时，磁性合金Co-Zr层发生晶化，而厚的Co-Zr单层膜是非晶结构．X射线大角衍射图中的超晶格峰表明，在Co-Zr层和Pd层之间存在相关生长．而且还发现，随Pd层厚度增加，样品在垂直膜面方向的晶粒尺寸及fcc（111）面的面间距发生周期性 关键词：     

[Pd/Co-Nb/Pd/Si]多层膜的结构与磁性

用高频溅射法制备了两套[Pd/Co-Nb/Pd/Si]多层膜,分别用X射线衍射和振动样品磁强计做了结构和磁性测量。随Pd层厚度增加(或Co-Nb层厚度减少),Pd层由非晶态过渡到晶态,并观察到Pd的fcc(111)双峰结构,双峰的位置逐渐从两侧向体材料Pd的fcc(111)峰的位置靠近。双峰来源于Co-Nb层与Pb层、Pd层与Si层的晶格失配度以及靠近这两种界面的Pd原子的极化不同。样品的饱和磁化强度随Pd层增厚(或Co-Nb层增厚)从小于同样成分的Co-Nb合金体材料的饱和磁化强度值单调增大到大于体材料     

Fe/Pd金属超晶格的磁性和内转换电M?ssbauer谱研究

利用真空双源蒸镀法成功地制备了Fe/Pd金属超晶格,并对其结构和磁性进行研究。发现其比饱和磁化强度在固定Pd层30?不变时,随Fe层厚度减小而单调上升,这是界面处Fe对Pd的极化效应造成的,且得出0K下极化效应的等效Fe层厚度约为10?;低温下σ-T关系满足Bloch的T^3/2定律,自旋波劲度系数随Fe层厚度减小而单调增大;居里温度则单调下降。⁵⁷Fe内转换电子M?ssbauer谱(CEMS)的测量进一步证实极化效应的存在,而界面处Fe原子不存在磁性增强,也不存在“死层”效应。 关键词：     

多层膜［Co85Cr15/Pt］20的磁性、垂直磁记录特性和微结构的关系

采用磁控溅射法制备了性能优良的以Pt为缓冲层的［Co85₈₅Cr15_{15/Pt］2020 多层膜，研究了溅射气压对［Co8585Cr1515/Pt］2020多层膜微结构和磁性的 影响.研究结果表明，Ar溅射气压对［Co8585Cr1515/Pt］2020多层膜的微结构 、垂直磁各向异性和矫顽力有重要的影响 关键词： 溅射气压 多层膜 垂直磁各向异性 有效磁各向异性常数}     

Structure of sputter-deposited Pt/Fe and Cr/Fe multilayers

Conversion electron Mössbauer spectroscopy (CEMS) and X-ray diffraction (XRD) have been used to investigate the structure of Pt/Fe and Cr/Fe multilayers deposited by magnetron sputtering. The Cr/Fe samples consisted of four samples prepared under Ar sputtering pressures of 1.3, 3.0, 5.0, and 10.0 mT, all with the same multilayer structure of 3.5 nm Cr/2.5 nm Fe, repeated 35 times onto c-Si wafer substrates. The quality of the interfaces between Cr and Fe is clearly degraded with increasing sputter pressure, as seen by changes in the relative intensities of four magnetic subspectra in the CEMS and the gradual appearance of a single-line resonance similar to Fe in solution in Cr. The low-angle XRD superlattice peaks also disappear with increasing sputter pressure, while the high-angle XRD shows a tendency for loss of the preferred (110) texture. Two films of Pt/Fe were deposited epitaxially onto MgO single crystals with bilayer periods of 1.3 nm and 2.6 nm and total thickness of 300 nm each. A transition from fcc-PtFe with near-perpendicular magnetic anisotropy to a bcc-Fe/fcc-PtFe mixture with in-plane magnetic texture is observed by CEMS for the factor of two increase in bilayer period.     

Microscopic properties of Co/Pd multilayers studied by ferromagnetic and nuclear magnetic resonance

The microscopic properties of Co/Pd multilayers were studied by ferromagnetic and nuclear magnetic resonance. The anisotropy of the layer is found to decrease for decreasing Co sublayer thickness and a switching of the magnetic preferential direction occurs below 8Å. The anisotropy is also a function of the Pd layer thickness: below 20Å it increases with decreasing thickness. This is attributed to a decrease in the Pd/Co interface contribution to the anisotropy. Hyperfine field spectra show the layers with [111] texture to be mainly polycrystalline fcc. The spectra shift to lower hyperfine fields upon decreasing Co sublayer thickness. This is attributed to a decrease in the magnetic moment caused by stretching of the Co lattice due to neighbouring Pd atoms. The results were checked by experiments on almost single phased [100] fcc Co/Pd multilayers. The similarity with the results on the [111] layers suggests that the expansion of the Co lattice is nearly isotropic.     

Suppression of incommensurate spin-density waves in thin epitaxial Cr(110) layers of a V/Cr multilayer

We observed a complete suppression of the incommensurate spin-density wave in thin Cr layers of a V/Cr multilayer in a temperature range from 550 K down to 2 K. The (110)-oriented V/Cr multilayer consisting of 30 nm thick Cr layers and 5 nm thick V layers was investigated by neutron and X-ray diffraction (XRD). From the XRD experiments we were able to determine that the epitaxial strain of the Cr layers in the V/Cr multilayer is about 90% larger than in earlier studied Fe/Cr(110) multilayers. That leads to a completely different magnetic phase diagram as revealed by neutron diffraction experiments. The existence of the commensurate antiferromagnetic structure in the Cr layers can be observed in the whole temperature range without a phase transition to an incommensurate spin-density wave at lower temperatures. In order to elucidate the proximity effects further we also performed experiments in an external magnetic field. Up to a field of 4 T we found no change in the magnetic structure of the Cr films whereas in earlier experiments on Fe/Cr(110) multilayers we could observe a strong perpendicular pinning of the Cr polarization to the Fe magnetization.Received: 28 August 2003, Published online: 8 December 2003PACS: 75.30.Fv spin-density waves - 75.70.-i magnetic properties of thin films, surfaces, and interfaces - 61.12.-q Neutron diffraction and scattering     

PtMn/Co多层膜的磁光特性研究

采用磁控溅射法制备了一系列的Mn掺杂的PtMn/Co多层膜.通过测量得到的磁光常数和光学常 数,计算介电张量的对角元和非对角元,得到在掺杂较大时,克尔角的变化是由于介电张量 的非对角元引起的;在掺杂量较小时,克尔角的变化是由介电张量的对角元和非对角元以及 光学常数的变化引起的.