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在实验优化MBE工艺条件的基础上，采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高，AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性对比实验研究发现，常规衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫特性出现双分子复合、单分子复合和弛豫振荡三个过程，持续时间分别为0.91，7.7和35.5ms；蓝宝石邻晶面衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫过程主要是双分子复合和单分子复合过程，持续时间分别为0.78和14ms.理论分析表明MBE生长GaN薄膜的持续光电导效应主要起源于本生位错缺陷引发的深能级.
关键词：
邻晶面蓝宝石衬底
GaN薄膜
瞬态光电导
弛豫特性 相似文献
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一、引 言 非晶态硒具有良好的光电导特性,已在静电复印和彩色电视摄象中得到广泛的应用[1-3].随着应用的发展,对其光电导性亦提出了更高的要求,目前多采用硒合金来改进其光电导性的[1,4,5]. 鉴于非晶态硒基材料的组份对其载流子传输特性具有很大影响,且直接影响其光电导性[1,4-8].本文针对非晶态硒基材料的应用,研究了硒砷薄膜中砷含量对其暗电阻率、光电导灵敏度、光谱灵敏度和光电流与光强关系的影响.实验结果表明,薄膜中砷含量对非晶态硒砷薄膜的光电导性具有重要影响. 二、原理和方法 光电导灵敏度的各种特性。是通过测定一定尺寸样品… 相似文献
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为了满足大学生多元化学习需要,目前高校物理实验教学内容丰富、教学形式多样,而操作简易化却使教与学双方部分忽视了物理实验的教学意义.基于"广东省大学生物理实验设计大赛"所构建的开放式物理实验教学交流平台与物理实验示范中心作用互补,在有效利用高校现有教学资源基础上,通过关注物理实验测量基本原理和实验物理相关性,促进实验教学方法改革,提高物理实验教学质量.交流平台超越《教育部高等院校物理实验基础教学示范中心建设标准》示范要求,教学受益面广泛,辐射"靶向"作用直接、明确. 相似文献
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利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响.发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用,估算了陷阱能级的位置.曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降,而且还有所上升,薄膜的光敏性有所改善.很可能曝光过程引起了硼受主的退激活,导致费米能级向导带边移动,使有效的复合中心减少,样品的光电导上升.
关键词：
非晶硅
瞬态
光电导
光致变化 相似文献
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