石榴石磁泡膜中3类硬磁畴的形成方法

研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助 .3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定性的前提 .本文综述了在石榴石磁泡膜上形成硬磁畴的 2类方法———“脉冲偏场法”和“低直流偏场法” .结合文献中的典型样品 ,对用“脉冲偏场法”和“低直流偏场法”形成 3类硬磁畴的过程进行了简单介绍 .     

垂直布洛赫线在畴段畴壁中的形成和消失

在不同的直流偏场下,对脉冲偏场作用后的磁泡膜中的磁畴观测结果表明:磁泡膨胀时的分枝生长往往伴随有大量垂直布洛赫线(以下称VBL)产生;它的正负与反向畴膨胀时所施加的直流偏场大小有确定关系;在幅度不太高的系列脉冲作用下畴端运动可使畴壁中形成大量VBL;足够强的脉冲偏场可使VBL消失。 关键词：     

面内场对三类硬磁畴的影响

采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是逐步解体的,而且三类硬磁畴具有相同的临界面内场范围［H¹_ip,H²_ip］,其中H¹_ip是硬磁畴中VBL开始丢失时的临界面内场,H²_ip是VBL完全丢失 关键词： 硬磁畴 整形 垂直布洛赫线     

枝状畴的形成及分形维数计算

对于石榴石磁泡薄膜,提出了产生单个枝状畴（MBD)的“低静态偏磁场法”.MBD的形成是与其畴壁内垂直布洛赫线（VBL）的形核相联系的.随着静态偏磁场H_b从“枝状膨胀的临界偏磁场”H[d]的降低,相应的MBD的畴形变得越来越复杂,伴随有几类硬磁泡的相继形成.对MBD进行了分形研究,把线结构维数的计算应用于MBD极其弯曲的畴壁结构,定量地描述了它们的弯曲和分枝程度,并与其畴壁内VBL的形核联系起来. 关键词：     

系列脉冲偏磁场作用下硬磁泡的形成

实验研究了系列脉冲偏场作用下外延石榴石薄膜的硬磁泡(包括哑铃畴)的形成规律。发现系列脉冲对畴段的作用不是单次脉冲作用(软畴段硬化的物理过程)的简单迭加,而有其特有的规律性,存在着硬畴段进一步硬化及硬畴段软化的另两个物理过程。运用上述三个物理过程对实验结果作了解释。 关键词：     

直流偏场和面内场联合作用下第二类哑铃畴的自发收缩

实验研究了第二类哑铃畴在直流偏场和面内场联合作用下的自发收缩现象，发现第二类哑铃畴的自发收缩不仅与面内场的大小有关，而且还与第二类哑铃畴在面内场中所处方向有关.采用照相法形象地揭示出：当第二类哑铃畴与面内场垂直时最容易发生自发收缩；当第二类哑铃畴与面内场平行时最难发生自发收缩.实验还证明了第二类哑铃畴在自发收缩过程中存在垂直布洛赫线的丢失现象.     

面内磁场对硬磁泡形成的影响

实验研究了面内磁场对一次脉冲偏磁场作用下外延石榴石薄膜中硬磁泡形成的影响,发现存在一个使硬磁泡不再形成的临界面内磁场H_in⁰,它与材料参量有关,通过实验,运用面内磁场对条状畴的作用和枝状畴的形成,定性解释了软硬磁泡形成的分界场H_[b]随面内磁场增大、快降以及缓降这三个物理过程。 关键词：     

一次脉冲偏磁场作用下硬磁泡的形成

实验研究了一次脉冲偏场作用下外延石榴石膜硬磁泡的形成规律。通过实验和计算,证明了硬泡畴壁中同号的VBL一般地说并非一个脉冲产生一对。通过双重曝光照相法揭示出软畴段的硬化与畴段运动形式的关系,发现了最适于硬泡形成的两种运动形式,并阐明了“软硬磁泡形成的分界场”H_[b]的物理意义。 关键词：     

具有条纹磁畴结构的NiFe薄膜的制备与磁各向异性研究

具有条纹磁畴结构的磁性薄膜表现出面内转动磁各向异性,对于解决高频电子器件的方向性问题起着至关重要的作用.本文采用射频磁控溅射的方法,研究了NiFe薄膜的厚度、溅射功率密度、溅射气压等制备工艺参数对条纹磁畴结构、面内静态磁各向异性、面内转动磁各向异性、垂直磁各向异性的影响规律.研究发现,在功率密度15.6 W/cm~2与溅射气压2 mTorr(1 Torr=1.33322×102Pa)下生长的NiFe薄膜,表现出条纹磁畴的临界厚度在250 nm到300 nm之间.厚度为300 nm的薄膜比250 nm薄膜的垂直磁各向异性场增大近一倍,从而磁矩偏离膜面形成条纹磁畴结构,并表现出面内转动磁各向异性.高溅射功率密度可以降低薄膜出现条纹磁畴的临界厚度.在相同功率密度15.6 W/cm~2下生长300 nm的NiFe薄膜,随着溅射气压由2 mTorr增大到9 mTorr,NiFe薄膜的垂直磁各向异性场逐渐由1247.8 Oe(1 Oe=79.5775 A/m)增大到3248.0 Oe,面内转动磁各向异性场由72.5 Oe增大到141.9 Oe,条纹磁畴周期从0.53μm单调减小到0.24μm.NiFe薄膜的断面结构表明柱状晶的形成是表现出条纹磁畴结构的本质原因,高功率密度下低溅射气压有利于柱状晶结构的形成,表现出规整的条纹磁畴结构,高溅射气压会导致柱状晶纤细化,面内转动磁各向异性与面外垂直磁各向异性增强,条纹磁畴结构变得混乱.     

磁泡特性和观察

引言早在1959年人们就观察到了圆柱状磁畴,但它的应用是近十几年的事、目前各国都在积极发展磁泡技术。通过科学工作者的努力,磁泡作为中等容量(几Mb到几十Mb)的磁性固体存贮器的地位业已确定,美、日正在加紧研制泡径为0.5μm的16Mb磁泡存贮器。另外,一个极其重要的进展是日本在1983年提出了超高密度磁泡布洛赫线存贮器方案,这个方案以条状畴畴壁中的布洛赫线(简称BL)作为信息的载体,由于BL宽度远小于泡径,因此在同种磁泡     

Formation of three kinds of hard domains by low-bias-field method

The formation of three kinds of hard domains (HDs) at low bias field was studied experimentally. Low-bias-field method provides a simple way to produce the three kinds of HDs in different proportions. Also, the relationship between the shape of the multi-branched domains (MBDs) and the different kinds of domains was studied. Most branches of the MBDs correspond to the first kind of dumbbell domains or the second kind of dumbbell domains; in contrast, few branches of the MBDs correspond to the hard bubbles or soft bubbles.     

高阶贝塞尔-高斯脉冲光束相位奇点的演化

 推导出被光阑衍射高阶贝塞尔-高斯脉冲光束的场和光强分布的解析公式,对其相位奇点的演化特性做了计算和分析。结果表明,高阶贝塞尔-高斯脉冲光束经光阑衍射后,中心光涡旋始终存在,拓扑电荷守恒。随脉冲频率和脉冲宽度增加,等相位线均沿逆时针方向旋转,涡旋核随脉冲频率增加而减小,而脉冲宽度对涡旋核大小几乎无影响。等相位线随截断参数和传输距离的增加分别沿逆时针和顺时针方向旋转,涡旋核大小随截断参数增加而变化,随传输距离和光束阶数的增加而增大。     

ANNIHILATION OF VERTICAL-BLOCH-LINE CHAINS IN THE WALLS OF THE SECOND KIND OF DUMBBELL DOMAINS SUBJECTED TO JOINT STATIC BIAS FIELD AND IN-PLANE FIELD

Experiments were statistically carried out on the behavior of vertical-Bloch-line(VBL) chains in the walls of the second kind of dumbbell domains (IIDs) is garnet bubble films subjected to joint action of static bias field H_b and in-plane field H_ip. The curves of the four critical in-plane fields, (H_ip)_IID-ID (H_ip)_IID-OHB (H_ip)_IID-SB and H'_ip vs H_b were measured and explained. In particular, in terms of two series of IID photos, a new experimental manifestation of the unknown "number effect" of VBL chains was found.     

脉冲偏磁场作用下硬磁泡形成与温度的关系

用一次脉冲偏场法研究了外延石榴石磁泡薄膜条状畴畴壁中VBL群体形成与温度的关系。发现了与材料参量有关的临界温度T₀₂,当T>T₀₂时,硬磁泡不再形成。还发现了当T02时,VBL群体形成有两个明显不同的阶段,它们的分界温度为T₀₁。定性解释了第一个阶段的实验曲线并用双重曝光照相法揭示了两个阶段中导致软畴段硬化的运动形式的差别。 关键词：     

Influence of Temperature on Equilibrium Separation Between Vertical Bloch Lines in OHBs in Garnet Bubble Films

The diameters of the ordinary hard bubbles （OHBs） and soft bubbles in epitaxial garnet films are measured under the microscope at various temperatures. It is found that the bubble diameters of OHBs increase with temperature, and it is concluded that the equilibrium separation between two neighbouring vertical Bloch lines （VBLs） Seq is widened with increasing temperature. At the same time, the results can be understood simply as that there are more VBLs in the domain walls of the first dumbbell domains （IDs） than those in walls of OHBs at the same temperature.