埸致发光

将一种发光材枓置于两个平行的平板电极间(其中一个电极必需是透明的),在两个电极上加上电压就能发出光来的现象称为场致发光。图1为场致发光的示意图。早在1923年,     

专利选报

先前的树脂型场致发光屏是把场致发光材料分散在介电常数较大的树脂中,然后再在这样做好的发光层上做上一对电极即成。如图所示,在一个带有氧化锡透明电极层1的透明基板2上涂以一种分散在树脂中的场致发光材料,干燥之后,做成发光层3,然后再真空蒸发A1等,做上第二电极4。为了改善发光,提高发光层的耐压,在电极和发光层3之间往往加以反光层5。 从前,为了提高树脂型场致发光屏的亮度,其办法主要是把发光材料分散在介电常     

增强碳纳米管场发射性能的沟槽形冷阴极制作(英文)

基于烧结工艺和丝网印刷技术,研发了一种新的沟槽形冷阴极.底部绝缘层由黑色绝缘浆料被烧结后制成,且在底部绝缘层中存在倾斜面.将银浆丝网印刷在条形电极上,依次经烘烤和烧结工艺后形成银电极.利用细砂纸,对银电极进行适当的抛光工艺,以便获得光滑的电极表面.由于特有的银电极形状,从而易于获得更大的场增强因子.将碳纳米管制备在银电极上,形成场发射极.致密的碳纳米管层完全覆盖银电极表面,特有的边缘场增强效应能够使得碳纳米管发射出更多的电子.顶部绝缘层则用于抑制碳纳米管的横向电子发射.结合沟槽形冷阴极,制作了三极结构的场致发射显示器,该显示器具有良好的场致发射特性及优良的发光图像均匀性.与普通冷阴极场致发射显示器相比,沟槽形冷阴极场致发射显示器能够将开启电场从1.86V/μm降低到1.78V/μm,将最大场致发射电流从1 537μA增加到2 863μA,且将最大发光图像亮度从1 386cd/m2提高到1 865cd/m2.该制作技术在场致发射显示器中具有较强的实际应用性.     

粉末状氧化铝的场致发光

当用电化学方法制备氧化铝薄膜的场致发光研究较多的时候,粉末状氧化铝的工作还比较少。 本文研究了牌号为“C”的氧化铝微晶粉末的场致发光,它是以重量比1:1混和在聚苯乙烯中。用镀在玻璃衬底上的SnO_2层作为场致发光盒的透明电极。发光强度由光电倍增管—19M记录下来,由它发出的信号或供给示波器C1—19或供给检流计。     

对未来场致发光平板电视的设计考虑

从平板场致发光显示整个系统的各个方面看来,制作场致发光电视屏是可能的。这种考虑的基础是采用大面积薄膜晶体管矩阵组成的寻址和驱动线路,把它直接蒸着在场致发光层的背面上。低压直流的场致发光最为理想,而为实现这一点,提出一种Ⅱ—Ⅳ族多晶异质结新原理(半势垒注入场致发光)。不过,现行的交流场致发光也可使用,但有待得到某些改进。     

GaN场致发光二极管

RCA公司制备出Zn掺杂的i—n(绝缘层—n型层)结构的GaN二极管。在常温下具有绿色和兰色直流场致发光特性。发绿光的二极管特性如下。 GaN绝缘层是在Zn蒸汽气氛中用汽相生长技术制得的。过去曾报导过点接触电极GaN绝缘层的场致发光。但其发光效率很低,而且只能在晶粒边界的若干微小点上发光。在报导的这种i—n结构中,观察到了     

一道高考题的几个问题：解决和思考

2009年高考(江苏卷)第15题第2问: 如图所示,两平行的光滑金属导轨安装在一光滑绝缘斜面上,导轨间距为l、足够长且电阻忽略不计.导轨平面的倾角为α,条形匀强磁场的宽度为d,磁感应强度大小为B、方向与导轨平面垂直.长度为2d的绝缘杆将导体棒和正方形的单匝线框连接在一起组成如图1类型装置,总质量为m,置于导轨上.导体棒中通以大小恒为I的电流(由外接恒流源产生,图中未图出).线框的边长为d(d < l),电阻为R,下边与磁场区域上边界重合.将装置由静止释放,导体棒恰好运动到磁场区域下边界处返回,导体棒在整个运动过程中始终与导轨垂直.重力加速度为g.     

“国外发光与电光”一九七四年分类目录

一固体发光的一般问题: 固体发光简介 发光材料的光谱特征(1) 制备荧光纯硫化锌原料的一种新方法 发光材料的光谱特征(2) 光度学简介 东芝磷光体 简讯: 用高压烧结法制备磷光体,51一5583一8753一5977一8786一9415一231 2 3 3 56二场致发光材料和器件: 场致发光的应用和固体显示前景 硫化锌和有关化合物的直流场致发光 直流场致发光材料与平板电视显示技术 场致发光磷光体 场致发光Zns: Er“ 薄膜的激发机理 固体X射线图象转换器 新的场致发光显示屏 场致发光体悬浮浓的电泳沉积 粉末材料的场致发光(1) 简讯: 关于场致发光器件的讨论 ZnS:…     

平板电视屏的显象方法

新制成的接收机采用电极矩阵来激发场致发光屏;呈现的图象是鲜明的。但还不够完全。 东京松下无线电研究室 如果松下研究人员所研究的一种实验性显象方法能够进一步发展完美,那末平板场致发光屏将来可能会取代电视设备中的阴     

谈场致发光器件的老化原因

在有关场致发光工作中,主要注意力都放在该过程的物理方面,尽管场致发光电容器是一个较复杂的系统,由几部分组成(发光粉、粘合剂和薄膜导电材料),但是这几部分之间的相互作用影响到它的发光特性。本     

场致发光层的高温固化对其亮度的影响

目前作为场致发光层的介质粘合剂材料,其固化温度都不超过130—150℃,并且没有发现用这种条件制备场致发光层对场致发光粉的亮度特性有不良影响。由于发现介电常数大的新粘合剂,它能在200℃以下几小时内固化,所以弄清这种固化条件到底对场致发光粉的亮度及其稳定性有多大影响是重要的。 为此研究了用两种化学性质相同的有机硅粘合剂和场致发光粉—515制作的场致发光层,其一是—1在150℃时固化,其二是—2,它的固化温度仅在200℃。与此同时研究了漆BC—530和在200℃空气中予热5小时的场致发光粉—515及其普通粉制作的场致发光层。     

《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

两平行相交带电圆柱导体的空间电场

用镜象法求解由两平行相交带电圆柱导体所组成的柱形导体边界静电场边值问题,通过简单的数学分析,获得两类平行相交带电圆柱导体问题的空间电场分布．     

《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

X射线象转换器

据日本松下电器公司申请的西德专利2050253号称,场致发光X射线象转换器的结构如下,由下而上: (1)第一电极——透明电极; (2)场致发光层——厚度25—80μ; (3)反射层——厚度2.5—24μ; (4)不透光层——厚度2.5—24μ,具有10~5—10~(10)欧/厘米的比电阻; (5)光导层——厚度75—800μ,由CdSe和CdS的混合物组成; (6)第二电极——可以透射X光; (7)复盖层。 光导层从暗电流至每毫米800伏以上具有线性特性,其组分按重量计算CdSe占40—80％,CdS占20—60％。     

场致发光理论(一)

1936年,Destriau发现悬浮在绝缘介质中的ZnS—Cu粉末在交变电场作用下发光,这称为Destriau效应,或本征场致发光。这篇报告的作者总结了自1936年以来对这一现象所观测到的二十种比较重要的实验结果,并简单回顾了对这一现象所作的一些比较典型的理论解释。作者认为,当前对场致发光过程的物理解释仍然是很不清楚的。     

薄膜场致发光显示的研究进展

描述了薄膜场致发光显示的电学和光学性质,介绍了夹层结构,它等效齐纳二极管组成的线路。分析了影响亮度和效率的因素,主要是发光中心浓度,电子的能量和发光体的结晶状态,为了提高电子能量,提出了分层优化方案,它具有明显的优越性;为改善发光层的结晶状态,提出了厚膜扬致发光。对场致发光的机理进行了讨论,描述了多色和全色ＴＦＥＬ器件的材料和结构的研究进展。     

稳定的低压场致发光屏

在各种不同的技术领域中,作为指示器及光源用的场致发光屏,为了得到所需的亮度,一般都用较高的交流电压(100—220伏)激发。参考资料[1—3]指出了利用各种有机粘合剂制备在较低电压下有几十个尼特亮度的场致发光屏的可能性。但是这些场致发光屏的稳定性很差(特别是用细的场致发光粉时),并且在连续工作时亮度急剧下降。只有采用稳定过的细的荧光粉,情况才比较好。本文研究了解决这个问题的另一种途径,即利用玻璃介质制备稳定的低压场致发光屏。     

发蓝绿光的低阻硫化锌注入式发光二极管

室温下在低阻单晶ZnS作的金属一半导体二极管上发现有足够强而又很稳定的蓝、绿色场致发光,它是加正向偏压U≥2伏时记录下来的,又由金属接触向ZnS注入空穴所决定。在直流电流10~(-5)～10~(-1)安下用Au作注入接触时,其发光的外量子效率为10~(-4)光量子/电子。     

动态报导

一种新的低压场致 发光层的制备方法 苏联Светотехника杂志1973年第4期报导了一种新的低压场致发光层的制备方法,内容如下: 在工业中广泛采用的场致发光层的制备方法是喷敷法和浇敷法,用这两种办法可以制备出很均匀的屏,但是厚度较厚20—70微米。这一点就决定了在电压40—60伏,频率400—1000赫芝时,场致发光指示器的亮度很低。利用新的办法制备场致发光层,也就是被我们称为汲取的方法,能提高指示器的