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2 几种纳米材料的结构、特性和应用2 .1 奇妙的碳纳米管将两根石墨碳棒在惰性气体 (氦、氩 )中进行直流电弧放电 ,并用围于碳棒周围的冷凝板收集挥发物 ,通过提纯可获得碳 6 0 ( C6 0 ) .1 991年底 ,瑞士苏里士高工的高压电镜实验室在研究碳团簇的结构时 ,意外地发现有管状结构的碳分子存在 . 1 991年 1 1月 ,日本电器公司( NEC)的电子显微镜专家 Sumio Iijima在用高分辩率电镜检查球状碳分子时也发现了由纳米级同轴碳分子构成的管状物 ,现称为碳纳米管或纳米碳管 .碳纳米管是由石墨中一层或几层碳原子卷曲成的笼状“纤维”,内部是空的… 相似文献
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测量了石墨和纳米碳在不同温度下的正电子寿命谱,研究了石墨和纳米碳中缺陷和电子密度随温度的变化.结果表明,纳米碳中缺陷的开空间和缺陷浓度分别大于和高于石墨晶体;纳米碳的平均自由电子密度低于石墨晶体.当温度从25K升至295K时,石墨和纳米碳中的平均自由电子密度随温度的升高而下降:石墨晶体中的自由电子密度随温度的升高变化较小;纳米碳的自由电子密度随温度的升高变化较大.随着温度的升高,石墨和纳米碳中的热空位数量增多,而且这些空位可迁移至微孔洞的内表面使微孔洞的开空间增大. 相似文献
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用射频等离子体辅助化学气相沉积方法生长碳纳米洋葱.电子显微镜观察表明,产物中无碳纳米管等伴随生成,因而制得了较高产率、较高纯度的纳米洋葱.尤其是Co-SiO2催化剂生长的碳纳米洋葱,实心、光滑,且内无催化剂颗粒,其外层由未闭合的、呈波浪状的石墨片构成,显示出与众不同的微观结构和性能.提出了该方法中碳纳米洋葱的生长机理为碳笼由里向外嵌套形成球形粒子.对波浪状、非闭合结构的形成过程进行了讨论.
关键词:
射频等离子体
化学气相沉积
碳纳米洋葱 相似文献
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介绍了爆轰法合成碳包覆钴、镍纳米磁性颗粒研究的初步结果。以黑索今炸药为主体,加入钴、镍金属硝酸盐与有机碳源材料,在爆炸容器中氮气保护下用导爆管雷管引爆,成功地合成了碳包覆钴、镍纳米磁性颗粒。为了探求爆轰固体产物的形貌特征及性能,分别采用了TEM、XRD、VSM等测试手段对其进行表征。实验结果表明,爆轰产物中主要含有碳包覆纳米钴、纳米镍磁性颗粒,成球体或者椭球体,具有完好的核壳结构形貌。合成的碳包覆钴颗粒分布在30~50 nm之间,碳包覆的镍颗粒分布在25~60 nm之间,外层碳壳层主要由无定形碳和石墨构成。磁性测试表明,所得碳包金属钴、镍颗粒在室温下具有良好的软磁特性。 相似文献
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基于第一原理电子结构和输运性质计算,研究了585双空位拓扑缺陷对锯齿(zigzag)型石墨纳米带(具有椅型(armchair)边)电子结构和输运性质的影响.研究发现,585双空位缺陷的存在使得锯齿型石墨纳米带的能隙增大,并在能隙中出现了一条局域于缺陷处的缺陷态能带,双空位缺陷的取向也影响其能带结构.另外,585双空位缺陷对能隙较小的锯齿型石墨纳米带输运性质的影响较大,而对能隙较大的锯齿型石墨纳米带影响很小,缺陷取向并不显著影响纳米带的输运性质.
关键词:
石墨纳米带
585空位缺陷
电子结构
输运性质 相似文献
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用RAMAN光谱研究碳纤维皮芯结构随热处理温度的演变规律 总被引:2,自引:0,他引:2
用Raman光谱研究碳纤维经不同温度热处理后其皮芯结构的演变规律.结果发现:随着热处理温度的提高,碳纤维表面和内部的Raman光谱具有相似的变化趋势.同时,表征碳纤维表面和内部石墨化程度的Rs与Rc值均越来越小,且Rs值减小得更快,说明碳纤维的石墨化程度越来越高,并且表面的石墨化程度提高的更快,这是因为碳纤维表面和内部的碳有着不同的石墨化物性.前者接近于软碳,易于石墨化;后者接近于硬碳,难于石墨化,可能是树脂碳.文章提出并采用皮芯结构因子Rsc(=Rs/Rc)来表征了碳纤维的皮芯结构程度.当Rsc等于1时,碳纤维是完全均质的.随着热处理温度的升高,碳纤维的Rsc趋向于零,说明其皮芯结构越来越严重.碳纤维的皮芯结构加重是最终导致其抗拉强度不断降低的原因之一. 相似文献
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纳米碳管的电化学贮锂性能 总被引:5,自引:0,他引:5
用透射电镜、高分辨透射电镜、X射线衍射和拉曼光谱表征了用催化热解法制备的纳米碳管的结构,研究了纳米碳管的电化学嵌脱锂性能。以纳米级铁粉为催化剂热解乙炔气得到的纳米碳管石墨化程度较低,结构中存在褶皱的石墨层、乱层石墨和微孔等缺陷,具有国交高的贮锂容量,初始容量为640mAh/g,但循环稳定性较差。而以纳米级氧化铁粉为催化剂热解乙烯得到的纳米碳管结构比较规则,循环稳定性较好,但贮锂容量较低,初始容量为282mAh/g。讨论了纳米碳管的结构对其温度特性和不同电流密度下的充放电容易的影响。 相似文献
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采用第一性原理电子结构和输运性质计算研究了zigzag型单层石墨纳米带(具有armchair 边缘)的电子结构和输运性质及其边缘空位缺陷效应. 研究发现,完整边缘的zigzag型石墨纳米带是具有一定能隙的半导体带,边缘空位缺陷的存在使得纳米带能隙变小,且缺陷浓度越大,能隙越小,并发生了半导体-金属转变. 利用这些研究结果,将有助于在能带工程中实现其电子结构裁剪.
关键词:
石墨纳米带
空位缺陷
电子结构
输运性质 相似文献
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本文叙述了用德拜·谢乐的方法探讨Mn-Ga二元系中γ3相的晶体结构,并进一步研究了在这个相区内原子排列的有序度随Ga含量的变迁。γ3相属四方晶系,空间群为D4h1—P4/mmm,其理想配比成分为MnGa,每晶胞含1个化合式量,Mn原子和Ga原子分别占据着(0,0,0)和(1/2,1/2,1/2)等效位置。这是一种畸变型的B2结构,如果原晶胞沿c轴转动π/4,则变换后的晶胞就是LI0型结构,与CuAu-1同型。在室温,原晶胞在42.9at.%Ga成分处的点阵常数为a=2.7475?,c=3.6756?。这个相可看作是γ-Mn的替代式固溶体,由于Ga原子替代了部分Mn原子而在室温稳定存在为四方面心有序结构。在整个相区内,有序度随Ga含量的增加而增加。
关键词: 相似文献
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本文引入并论证了描述动态位错场的张量势(A与B)的规范交换问题,而且证明这种变换可采取这样的形式:B′=B+▽F, A′=A-ρ?/(?t)▽G,x′=x-ρ?/(?t)F,其中xi=eiklAkl。至于F与G,则为带有很大任意性的时空坐标的矢量函数,但它们要满足以下关系式:F=▽×G,▽2F-1/Gt2-(?2/?t2)F=0.进
关键词: 相似文献
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根据压电换能器的Mason等效电路,就36°у切LN/PM声光器件和x切LN/TeO2声光器件以及各种镀层材料和厚度计算了换能器损耗TL随规一化频率f/f0的变化关系,由此可确定各镀层的厚度和器件的换能器带宽,还给出器件的电输入阻抗zi在阻抗圆图上随f/f0变化的轨迹,它可作为器件性能测试的理论依据。
关键词: 相似文献
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应变量子阱激光器阱宽与组分的确定和增益特性的理论研究 总被引:2,自引:1,他引:1
本文根据一维势阱和应变效应的简单理论,给出一种既简单又较准确的确定量子阱的组分和阱宽的方法。并且,针对较为常用的波长为1.3μm的InGaAs/InGaAsP材料以及最新兴起的InAsP/In材料应变量子阱激光器,利用该方法得到了组分和量子阱阱宽。再根据这些参数,利用变分法计算了量子阱的能带结构和二维电子气状态密度。然后,在选取不同的线形函数的情况下分别计算了对应于不同的注入载流予浓度时的这两种激光器的线性增益和微分增益。 相似文献
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根据WBR理论,采用"改进的矩阵计算方法",计算出了强偶合体系较为完整、准确的弛豫方程组,并根据此方程组分析研究了J偶合对横向弛豫、纵向弛豫和交叉弛豫的影响,获得了一些相应的结论。 相似文献