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在实验数据的处理中。估算问接测得量的误差时。经常引用加减运算、乘除运算的代数误差公式。但是。代数误差公式并不是普遍适用的。本证明。代数误差公式适用的充分条件是取误差的各量相互独立。 相似文献
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由于激光的出现和发展及高性能超声延迟线的实现。产生了激光技术与超声技术相结合的新型声光信号处理技术。声光器件具有带宽大、实时性高和并行处理能力强等优点。在光信号处理、光计算、光通信、激光技术(如光调制、偏转、调Q、锁模、腔倒空等)和其它领域中有广泛的应用。本文将简要介绍声光效应在光信号处理和光计算中的应用。光信号处理和光计算没有一个明显的界限。早期人们习惯认为光信号处理只是光学图象的处理。而光计算则限于数值计算。现在二者的概念都大大扩展了。新一代计算机要求的人工智能功能例如图象的识别、推理、分析、判断等已不只是数值计算问题。光计算和光信号处理是密切相关的。 声光器件是通过光波和超声波在介质中相互作用。来控制激光辐射。声光相互作用可分为体光波与体声波的相互作用。导光波和声表面波的相互作用。体光波与声表面波的相互作用,由此制成相应的体波和表面波声光器件。我们仅以体光波和体声波及相应的体波器件为主进行讨论。 一 声光相互作用简述 声光学是研究光波和声波在介质中的相互作用。1922年布里渊首次预言到声光相互作用的存在。1932年由美国的德拜和希思,法国的卢卡斯和毕瓜德在实验上得到证明。在激光出现以前由于它引起光的变化 相似文献
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波源和接收者在介质体内的客观运动理论 总被引:1,自引:1,他引:0
建立介质体概念并指出介质体的内部独立性和外部相关性。建立双列车模型,对波在介质体内的多普勒效应进行量化分析。建立波源和接收者在介质体内的客观运动理论。把客观运动理论应用于天文学。指出天体介质体的边缘凸透镜特性。明确时间和物理介质空间的客观性。指出相对论的错误。明确波和粒子的区别。 相似文献
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本文中我们提出AuCu_3中有序化转变的机构。在有序化成核成长的过程中,我们认为孔穴起主要作用。坐错的原子依靠和孔穴换位才可以坐到对的座位上。根据这样的机构我们得出有序核的成核率。证明成核率随时间依指数下降的关系改变的。同时我们也估计了作为有序核的中心数,结果表示这种中心数是很大的,平均200个原子中就可以有一个中心。中心密度既然这样大,所以有序核以恒速长大的时间不会太长的。在计算恒温转变曲线时就不能把成长时率当做是常数。这使恒温转变曲线与时间不作3次或4次方的指数关系。 直接利用X光衍射的超点阵线的强度,我们定出恒温转变曲线。结果表示恒温转变曲线接近1次方的指数关系。 相似文献
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麦克斯韦速率分布律是热学课的重点和难点,现有的教材都是不加推导直接给出结果的。本文采用简单的几率法来推导麦克斯韦速度分布律,虽然不是作严格的推导,但是对于普通物理课来说,由于这种方法很简单,物理图象清楚,对于建立初步的几率概念、统计概念,学习简单的统计方法,阐述两个分布律的性质都是有帮助的。 一、用几率法推导麦克斯韦速度分布律 设容器内有一定量的气体处于热平衡状态,分子数为N。分子的速度在直角坐标轴上的 dNv一三个分速度为V。、V。、。z。速度分量I)。在。。一。。千加。之lfu的分子数为4叭_,几率为二d上。我们知道… 相似文献
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弯曲振动压电陶瓷薄圆板的等效电路和剪应力 总被引:2,自引:0,他引:2
本文讨论了压电陶瓷和金属构成的三层复合薄圆板的等效电路和粘接面上的剪应力分布。利用电压策动下强迫振动的稳态解求出系统的纯弹性能,纯电能和机电耦合能。再用推导等效电路的能量法求得系统的四端等效电路。在无损耗的情况下,该等效电路在所有的频率上都是正确的。然后利用等效电路求出共振频率附近的有损耗存在的位移函数。再由运动微分方程就可得到动态剪应力的分布。剪应力与策动电压和机械品质因数的乘积成正比。圆板中心处的剪应力为零。随着半径的增加剪应力迅速增加。当r/a=0.85时,剪应力有极大值,边缘上的应力略有下降。 相似文献
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英国杂志《物理世界》在100位著名物理学家中选出的10位最伟大者:爱因斯坦,美籍德国物理学家。苏黎世大学哲学博士,英国皇家学会会员。建立相对论改变了世人的宇宙观。他因解释光电效应的理论,独获1921年诺贝尔物理学奖。牛顿,英国物理学家、数学家与天文学家。创立牛顿运动定律和发现万有引力定律。1666年用三棱镜分析日光,发现白光由不同颜色的光构成。1671年研制反射望远镜观察行星运动规律。解释潮汐现象,预言地球不是正球体。麦克斯韦,英国物理学家、数学家,英国皇家学会会员。他建立电磁场的基本方程,指出光的本质是电磁波。玻尔,丹麦物理学家。量子力学创始人之一。 相似文献
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基于半导体可饱和吸收镜(SESAM)的负克尔效应,对含SESAM的五镜腔进行了理论计算和分析.结果表明,由于SESAM的负克尔效应,与没有SESAM的相比,锁模激光器的稳区在上稳区的内边缘有明显扩展,这使得激光器锁模启动的工作点更加靠近直流运转时的稳区边缘,从而获得更大的非线性因子.这说明SESAM的可饱和吸收机理具有锁模自启动效应外,其负克尔效应也有助于锁模的自启动.
关键词:
半导体可饱和吸收镜
负克尔效应
五镜腔 相似文献
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Zhao Z Bouchoule S Song J Galopin E Harmand JC Decobert J Aubin G Oudar JL 《Optics letters》2011,36(22):4377-4379
Near-transform-limited subpicosecond pulses at 1.56 μm were generated from an optically pumped InP-based vertical-external-cavity surface-emitting laser (VECSEL) passively mode-locked at 2 GHz repetition rate with a fast InGaAsNSb/GaAs semiconductor saturable absorber mirror (SESAM). The SESAM microcavity resonance was adjusted via a selective etching of phase layers specifically designed to control the magnitude of both the modulation depth and the intracavity group delay dispersion of the SESAM. Using the same VECSEL chip, we observed that the mode-locked pulse duration could be reduced from several picoseconds to less than 1 ps with a detuned resonant SESAM. 相似文献
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With the development of high power ultrafast laser passively mode-locked by a semiconductor saturable absorber mirror (SESAM), the damage threshold and degeneration mechanism of the SESAM become more and more important. One way to reduce the maximum electric field inside the active part of the SESAM is the use of a dielectric coating on the top of the semiconductor structure. With Presnel formula, optical transfer matrix, and optical thin film theory, the electric field distribution and reflectance spectrum can be simulated. We introduce the design principles of SESAM including the dependence of reflectance spectrum on dielectric function of absorber, and investigate the dependences of the electric field distribution, modulation depth, reflectance spectrum, and the relative value of incident light power at the top quantum well of SESAM on the number of SiO2/Ta2O5 layers. 相似文献
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Jianming Dai Weili Zhang Lizhe Zhang Lu Chai Yong Wang Zhigang Zhang Qirong Xing Ching-yue Wang Kenji Torizuka Tadashi Nakagawa Takeyoshi Sugaya 《Optics & Laser Technology》2001,33(2)
In this paper, a self-starting, diode-pumped self-mode-locked Cr:LiSGAF laser, which produced a stable pulse train of 45 fs duration with about 20 mW-average power at the repeated rate of 90 MHz, was presented. Self-mode-locked operation can be obtained whether there is the semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) in the Cr:LiSGAF laser cavity or not, and with the SESAM in the cavity, the self-mode-locked operation could self-start. The shortest pulses, as short as 38 fs, which were not very stable, were obtain with the SESAM in the cavity. 相似文献
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We demonstrate what is to our knowledge the first ultrabroadband monolithically grown AlGaAs/CaF(2) semiconductor saturable-absorber mirror (SESAM) that covers nearly the entire gain spectrum of a Ti:sapphire laser. A large high-reflectivity bandwidth of more than 300 nm is provided by a device consisting of only six material layers. This fluoride SESAM had a modulation depth of 2.2%, a fast recovery time constant of less than 150 fs, and a slow recovery time constant of 1.2 ps. Using this SESAM inside a Ti:sapphire laser produced self-starting sub-10-femtosecond pulses. 相似文献
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We report in situ characterization of a semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) in an operating Yb:KGW mode-locked laser. The technique may be described as a pump-probe experiment in which the intracavity beam acts as a pump beam while the output of the same laser is used as a test beam for the SESAM reflectivity. At zero delay, the probe pulse overlaps in time with the subsequent intracavity pulse. The method is an alternative to standard pump-probe measurements in situations where the intracavity parameters such as energy fluence onto the SESAM, pulse length, and center wavelength cannot be achieved simultaneously with available lasers. 相似文献
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G. J. Spühler K. J. Weingarten R. Grange L. Krainer M. Haiml V. Liverini M. Golling S. Schön U. Keller 《Applied physics. B, Lasers and optics》2005,81(1):27-32
We present two novel semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) designs which can exhibit more than ten times lower saturation
fluence than classical SESAM devices. Design considerations and characterization data are presented. These devices are particularly
suited for passively mode-locked lasers with ultra-high repetition rates. 相似文献