LIGA—EDM复合技术的研究

提出LIGA-EDM复合技术技术,即采用LIGA技术制备工具电极的微细电火花加工技术,通过同步辐射尝试光刻得到的胶结构厚度达2mm深宽比约为100,使用电铸技术得到厚度达1mm的铜工县电极,利用该电极进行微细电火花加工实验,在不锈钢上加工出异形小孔阵列．     

新型LIGA掩摸板制造工艺研究

LIGA掩模板的制备是LIGA技术中的关键工艺。利用最近发展起来的硅感应耦合等离子体（ICP）深层刻蚀工艺开发出了新型LIGA掩模板。与其它类型的LIGA掩模板相比，该掩模板具有加工工艺简单、价格低廉等优点。利用该LIGA掩模板进行了LIGA技术的研究，得到了比较理想的结果。     

新型LIGA掩模板制造工艺研究

LIGA掩模板的制备是LIGA技术中的关键工艺.利用最近发展起来的硅感应耦合等离子体(ICP)深层刻蚀工艺开发出了新型LIGA掩模板.与其它类型的LIGA掩模板相比,该掩模板具有加工工艺简单、价格低廉等优点.利用该LIGA掩模板进行了LIGA技术的研究,得到了比较理想的结果.     

同步辐射讲座第五讲微电子机械系统加工新方法--LIGA技术

简述了微电子机械系统的起源和特点，介绍了LIGA技术的基本原理以及一些相关技术，对同步辐射深度光刻的技术要求进行了详细地说明，并介绍了国内外利用LIGA技术进行微电子机械系统研发的现状。     

TiO2微图纹结构的制作

用软刻蚀技术中具有代表性的方法———微模塑法和转移微模塑法 ,在普通光学玻璃表面成功制备出TiO2 微阵列结构 .首先 ,以钛酸四丁酯为前驱物 ,通过溶胶 凝胶法合成出TiO2 溶胶 ,然后用表面带有微图纹的有机硅橡胶PDMS作为弹性印章分别对所制得的TiO2 溶胶进行微模塑及转移微模塑加工 ,在 70℃下溶胶凝胶 ,进而让凝胶材料在 5 5 0℃下焙烧 2h得到TiO2 微结构 .用光学显微镜对所得到的微结构进行了显微观察 ,显微照片显示 ,微模塑法和转移微模塑法在制备材料微结构方面复制精细度和重复率都比较令人满意 .同时 ,还初步探讨了影响最终图纹复制效果的凝胶温度、外加压力及模板等因素     

刻划微棱锥抗反射层的GaP太赫兹波发射器

报道了利用出射面加工有微棱锥结构抗反射层的GaP晶体THz发射器产生超快THz脉冲. 基于微结构界面等效折射率渐变原理, 设计并利用超精密微加工技术在GaP块状THz发射器出射面加工了亚波长微棱锥结构层, 用以提高所产生的THz波的耦合输出. 实验验证了该微结构层能提高所产生的THz波的耦合输出效率, 并能够有效散射剩余抽运光, 提高系统运转的稳定性.     

利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构

采用x射线小角散射（SAXS）技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积（rf-PECVD）、 热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积(PE-HWCVD)技术制备的微晶硅（ μc-Si:H）薄膜的微结构.实验发现，在相同晶态比的情况下，PECVD沉积的μc-Si:H薄膜微 空洞体积比小，结构较致密，HWCVD沉积的μ-Si:H薄膜微空洞体积比大，结构较为疏松，PE -HWCVD沉积的μc-Si:H薄膜，由于等离子体的敲打作用，与HWCVD样品相比，微结构得到明 显改善.采用HWCVD二步法和PE-HWCVD加适量Ar离子分别沉积μc-Si:H薄膜，实验表明，微结 构参数得到了进一步改善.45°倾角的SAXS测量显示，不同方法制备的μc-Si:H薄膜中微空 洞分布都呈各向异性.红外光谱测量也证实了SAXS的结果. 关键词： 微晶硅薄膜 微结构 微空洞 x射线小角散射     

高速沉积本征微晶硅的优化及其在太阳电池中的应用

采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术高速（沉积速率约为1.2 nm/s）沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,并通过Raman谱和XRD谱的测试,研究了高速沉积时本征微晶硅薄膜的微结构演变特性及其对电池性能的影响.针对其微结构特性及高速沉积本身存在的离子轰击作用强的特点,提出了在沉积微晶硅薄膜过程中采用功率梯度的方法,达到有效地控制薄膜微结构变化的目的,并在一定功率梯度范围内降低了电子温度,提高了薄膜质量,从而使电池效率明显提高.最后在沉积速率为1.2 nm/s时,制备 关键词： 高速沉积 微晶硅薄膜 微结构演变 功率梯度     

利用LIGA技术研制超微步进电机

文章慨述了超微步进电机的原理设计、结构设计、加工方法以及该电机的扫描电镀照片等。该电机的转于和定于由LIGA技术制造完成．线圈由手工在显微镑下绕制完成，转子直径2mm．整个电机直径5mm。     

扫描质子微探针质子束刻写

质子束刻写技术利用MeV能量的聚焦质子束对抗蚀剂材料直接刻写m甚至nm尺度微结构。研究了质子束刻写中抗蚀剂胶层样品厚度与涂层机旋转速度的关系以及曝光对抗蚀剂的影响,解决了质子束刻写中抗蚀剂厚胶层样品的制备、固化、显影等技术问题,利用扫描质子微探针系统,在正型抗蚀剂胶层上刻写出m尺度的海宝图形、 双矩形结构,在负型抗蚀剂上刻写出m尺度的平行线条、十字形微结构。