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本文用电化学现场表面增强拉曼散射光谱(SERS)技术研究了MTU在HClO4、H2SO4和HNO3介质中分别与一种或两种无机阴离子的共吸附行为,发现ClO-4、SO2-4和NO-3等弱吸附无机阴离子均能被MTU诱导物理吸附在其质子化了的氨基(NH+3)上,这三种无机阴离子被MTU诱导物理吸附的强弱顺序是:在电极电位位于-0.2V~-0.7V区间时,SO2-4>ClO-4>NO-3,在电位位于-0.8V~-1.2V区间时,ClO-4>SO2-4>NO-3。 相似文献
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Y. K. Zhu 《核聚变与等离子体物理》1996,(3)
DEUTERIUMINFLUXPROFILEALONGTHEAPEXOFTHEUPPERX-POINTTILESINJET¥Y.K.Zhu(SouthwesternInstituteofPhysics,P.O.Box432,Chengdu610041... 相似文献
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对[μ-CF_3CO_2)_2Ln(μ-CF_3HCO_2)Al(i-Bu)_2·THFl_2(Ln=Nd,Y)配合物单晶结构的X-射线分析指出,配合物具有中心对称性,配位中心由两个稀土和两个Al离子组成,稀土由两个THF和6个TFA分子配位形成畸变的三盖三棱柱结构,Al由两个TFAG和两个i-Bu配位形成四面体结构。桥连Al与两个稀土的TFA分子的羧基发生歧化加氢,其碳原子由SP ̄2型转变为SP ̄3型.NMR研究表明,在THF溶液中,该配合物保持了它在单晶中的配位结构,所不同的是两个i-Bu在溶液中有两种异构形成,二者间为慢交换过程。 相似文献
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采用离散变分局域密度泛涵( D V L D F) 方法,基于 Tersoff Hamann 的扫描隧道显微镜( S T M) 理论,通过计算单个 C60 五种不同吸附取向的电荷密度分布图来模拟其 S T M 图象.计算结果表明,不同取向 C60 的电荷密度分布图有各自的特征‘指纹’,其中模拟正偏压情形下 C60 的最低未占据分子轨道( L U M O) 分布图与其 S T M 图象具有较好的可比性.与实验上已有的 S T M 图象和文献中的理论计算结果比较,可以确定 C60 在一些表面上的吸附取向.根据我们实验上获得的 S T M 图象及理论模拟结果,发现 C60 在 Si(111)7 ×7 表面存在一种新的吸附取向,即5 —6 键朝上.计算结果还对 S T M 的实验工作具有一定的指导意义,并可以采用这一方法,用来确定其他分子的吸附取向. 相似文献
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Su Kehe Department of Chemical Engineering Northwestern Polytechnical Univ. Xi′an Shaanxi P. R. China Carol A. Deakyne Department of Chemistry Eastern Illinois University Charleston IL U. S. A. Joel F. Liebman Department o 《原子与分子物理学报》1997,(1)
G2PREDICTIONOFTHEENTHALPIESOFFORMATIONFORSOMEDIATOMICCATIONSANDNEUTRALSSuKeheDepartmentofChemicalEnginering,NorthwesternPoly... 相似文献
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本文应用时间分辨表面增强拉曼光谱(TRSERS)结合电位阶跃和电位扫描的方法,研究了硫脲和ClO-4在Ag电极表面的共吸附层结构。结果表明SERS谱峰强度随电极电位的响应速率与电位阶跃扫描的方向有关,TU和ClO-4在Ag表面的共吸附层在不同的电位下存在两种不同的构型,并且两种构型之间转化的难易程度不同。 相似文献
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我们制作了一种可在6—11V偏压范围内均匀发射可见光的新型金属—绝缘体—金属结型发光器件,其内层结构是Al-Al2O3-MgF2-An(Cu),其承受偏压、单位面积发光功率及相应的外量子效应高过迄今已知的M-O-M遂道结型发光器件.本文首次报导并论证了这一由Schottky热电子所激发的光发射及其物理图象:Schottky热电子在AO(Cu)-真空界面激发表面等离极化激元(SPP);Au(Cu)-真空界面的SPP通过表面粗糙度与外光子耦合.这一图象与该器件的电流—电压(I—V)、电流—温度(I-T)关系及其发射光谱的主要特征一致. 相似文献