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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 187 毫秒

1.  RF溅射钕掺杂ZnO薄膜的结构与发光特性  被引次数:3
   文军  陈长乐《发光学报》,2008年第29卷第5期
   通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂ZnO薄膜和Nd掺杂ZnO薄膜。应用XRD分析了ZnO:Nd薄膜的晶格结构,通过AFM观察了ZnO:Nd薄膜的表面形貌。结果表明,Nd掺入了ZnO晶格中,由于Nd原子半径大于Zn原子半径,Nd以替位原子的形式存在于ZnO晶格中。ZnO:Nd薄膜为纳米多晶薄膜,表面形貌粗糙。ZnO:Nd薄膜的室温光致发光谱表明,相同条件下制备的未掺杂ZnO薄膜和Nd掺杂ZnO薄膜都出现了395nm的强紫光带和495nm的弱绿光带。我们认为,紫光发射峰窄而锐且强度远大于绿光峰,源于薄膜中激子复合;绿光峰强度较弱,源于薄膜中的氧空位(VO)及氧反位锌缺陷(OZn)。Nd掺杂没有影响ZnO:Nd薄膜的PL谱的发射峰的峰位。由于Nd3 离子电荷数与Zn2 离子电荷数不相等,为了保持ZnO薄膜的电中性,间隙锌(VZn)可以作为Nd替位补偿性的受主杂质而存在,影响ZnO薄膜的激子浓度。同时,Nd掺入使ZnO的晶格畸变缺陷浓度改变增强,因而发射峰的强度随Nd掺杂浓度不同而变化。    

2.  氦、氘对纯铁辐照缺陷的影响*  被引次数:1
   姜少宁  万发荣  龙毅  刘传歆  詹倩  大貫惣明《物理学报》,2013年第16期
   在核聚变堆的辐照环境中,核嬗变产物氢、氦对结构材料的抗辐照性能将产生很大的影响。本实验采用离子注入和电子辐照模拟研究了氦和氘对具有体心立方结构的纯铁的影响。采用离子加速器在室温分别对纯铁注入氦离子和氘离子,经500?C时效1 h后在高压电镜下进行电子辐照。结果表明:室温注氦和室温注氘的纯铁在500?C时效后分别形成间隙型位错环和空位型位错环。在电子辐照下,间隙型位错环吸收间隙原子而不断长大,而空位型位错环吸收间隙原子不断缩小。通过计算位错环的变化速率发现,空位型位错环比间隙型位错环吸收了更多的间隙原子,即室温注氘纯铁的位错偏压比室温注氦纯铁的偏压参量大,这意味着相同实验条件下空位型位错环对辐照肿胀的贡献大于间隙型位错环对辐照肿胀的贡献。利用氦-空位复合体和氘-空位复合体的结构,分析了注氦和注氘后在纯铁中形成不同类型位错环的原因。    

3.  碘化铟晶体本征缺陷的第一性原理研究  
   张伟  徐朝鹏  王海燕  陈飞鸿  何畅《物理学报》,2013年第24期
   采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对正交碘化铟(InI)晶体可能存在的6种本征点缺陷(碘空位、铟空位、碘占铟位、铟占碘位、碘间隙、铟间隙)结构进行优化.通过缺陷形成能的计算,得出各缺陷在生长过程中形成的难易程度;通过态密度的计算,分析出各种缺陷能级位置及其对载流子传输的影响.结果表明:最主要的低能缺陷铟间隙会引入复合中心和深空穴陷阱,前者降低少数载流子的寿命,后者俘获价带的空穴而降低空穴的迁移率-寿命积.计算结果为实验中提高InI晶体载流子的迁移率-寿命积提供理论指导,对获得性能优异的InI核辐射探测材料有重要帮助.    

4.  本征缺陷对Ag掺杂ZnO的影响  
   万齐欣  熊志华  李冬梅  刘国栋  甘丽新《人工晶体学报》,2009年第38卷第5期
   采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究。研究表明,Ag代替Zn位(AgZn)可以在ZnO中形成受主能级。同时,研究发现,Zni-AgZn和Oi-AgZn的形成能较小,存在的可能性较大。其中,Zni-AgZn呈现明显的n型导电特性,而Oi-AgZn具有p型导电的趋势。因此Oi-AgZn有利于p型ZnO的形成。    

5.  α-Fe氦缺陷及弹性模量的第一性原理研究  
   汤新政  彭蕾《原子与分子物理学报》,2017年第34卷第6期
   基于密度泛函理论, 针对聚变堆结构钢中子辐照后氦效应进行第一性原理模拟研究. 通过计算α-Fe中He缺陷形成能, 来分析不同类型He缺陷相对稳定性及磁性的影响, 并针对相对稳定的替位He缺陷, 计算氦缺陷对α-Fe弹性模量的影响. 结果表明: 磁性对替位氦缺陷影响较小, 结合态密度数据可知, 替位氦可能引起晶格常数增大和体模量降低, 且氦相对浓度减小可能会引起对弹性模量降低影响的弱化.    

6.  α-Fe氦缺陷及弹性模量的第一性原理研究  
   汤新政  彭蕾  时靖谊  白永安《原子与分子物理学报》,2016年第33卷第5期
   基于密度泛函理论, 针对聚变堆结构钢中子辐照后氦效应进行第一性原理模拟研究. 通过计算α-Fe中He缺陷形成能, 来分析不同类型He缺陷相对稳定性及磁性的影响, 并针对相对稳定的替位He缺陷, 计算氦缺陷对α-Fe弹性模量的影响. 结果表明: 磁性对替位氦缺陷影响较小, 结合态密度数据可知, 替位氦可能引起晶格常数增大和体模量降低, 且氦相对浓度减小可能会引起对弹性模量降低影响的弱化.    

7.  内在缺陷与Cu掺杂共存对ZnO电磁光学性质影响的第一性原理研究  
   张梅玲  陈玉红  张材荣  李公平《物理学报》,2019年第68卷第8期
   采用基于自旋密度泛函理论的平面波超软赝势方法,研究了Cu掺杂ZnO (简称CuZn)与内在缺陷共存对ZnO电磁光性质的影响. 结果表明,Cu是以替位受主的形式掺入的;制备条件对CuZn及内在缺陷的形成起至关重要的作用,富氧条件下Cu掺杂有利于内在缺陷的形成,且CuZn-Oi最易形成;相反在缺氧条件下,Cu掺杂不利于内在缺陷的形成. 替位Cu的3d电子在价带顶形成未占据受主能级,产生p导电类型. 与CuZn体系相比,CuZn-VO体系中载流子浓度降低,导电性变差;CuZn-VZn体系中载流子浓度几乎不变,对导电性没影响;CuZn-Oi体系中载流子浓度升高,导电性增强. 纯ZnO体系无磁性;而Cu掺杂ZnO体系,与Cu原子相连的O原子,电负性越小,键长越短,对磁矩贡献越大;CuZn与CuZn-Oi体系中的磁矩主要是Cu的3d电子与Z轴上O的2p电子耦合产生的;CuZn中存在空位缺陷(VO,VZn)时,磁矩主要是Cu 3d电子与XY平面内O的2p电子强烈耦合所致;CuZn中存在VZn时,磁性还包含VZn周围O(5,6)号原子2p轨道自旋极化的贡献;所有体系中Zn原子自旋对称,不产生磁性. CuZn-VZn和CuZn-Oi缺陷能态中,深能级中产生的诱导态是O-O 2s电子相互作用产生的. CuZn模型的光学带隙减小,导致吸收边红移;CuZn-VZn模型中吸收和反射都增强,使得透射率降低.    

8.  First-principle Study on the Doping Mechanism of ZnO: Sb  
   SONG Yang    LIANG Shu-hua《人工晶体学报》,2012年第41卷第2期
   为了研究ZnO:Sb的掺杂机理,本文运用第一性原理密度泛函理论计算了理想纤锌矿ZnO和SbO 、SbZn 、SbZn-2VZn三种Sb掺杂ZnO晶体模型的几何结构、能带结构和电子态密度.计算结果表明:sb的掺人使得晶格发生不同程度的膨胀,其中以SbZn-2VZn复合缺陷模型的膨胀最小,键长最短,说明此结构的化学稳定性最高.通过能带和态密度的分析可知,ShO和SbZn模型存在不合理性,而SbZn-2VZn复合缺陷中的VZn可以使价带产生非局域化空穴载流子.定量计算进一步确认了SbZn-2VZn构型的可填充电子数最多,合理解释了晶体导电性的提高.形成能计算表明,在富氧条件下SbZn-2VZn的形成能最低,说明在富氧条件下掺杂Sb更有利于实现ZnO的p型化.    

9.  ZnO:Sb掺杂机理的第一性原理研究  
   宋杨  梁淑华《人工晶体学报》,2012年第2期
   为了研究ZnO∶Sb的掺杂机理,本文运用第一性原理密度泛函理论计算了理想纤锌矿ZnO和SbO、SbZn、SbZn-2VZn三种Sb掺杂ZnO晶体模型的几何结构、能带结构和电子态密度。计算结果表明:Sb的掺入使得晶格发生不同程度的膨胀,其中以SbZn-2VZn复合缺陷模型的膨胀最小,键长最短,说明此结构的化学稳定性最高。通过能带和态密度的分析可知,SbO和SbZn模型存在不合理性,而SbZn-2VZn复合缺陷中的VZn可以使价带产生非局域化空穴载流子。定量计算进一步确认了SbZn-2VZn构型的可填充电子数最多,合理解释了晶体导电性的提高。形成能计算表明,在富氧条件下SbZn-2VZn的形成能最低,说明在富氧条件下掺杂Sb更有利于实现ZnO的p型化。    

10.  第一性原理和热力学计算预测a-Al2O3中缺陷的稳定性  
   常秋香  刘廷禹  马昌敏《中国科学:化学》,2016年第4期
   基于第一性原理中的密度泛函理论(DFT)和热力学计算方法,利用VASP软件包和GULP程序,计算了a-Al2O3晶体的能带结构,并考虑振动熵对晶体中本征点缺陷的形成能的贡献,预测了不同温度和氧分压条件下a-Al2O3晶体中点缺陷的稳定性.缺陷热力学跃迁能级的计算表明,Ali是浅施主能级,VAl(除2-/3-之外)都是浅受主能级,这些浅热力学跃迁能级在价态的转换上比较容易.通过分析振动熵随温度变化情况,考虑振动熵对缺陷形成能的贡献是必要的,它使铝填隙和氧填隙的缺陷形成能增大,氧空位和铝空位的缺陷形成能减小(尤其在高温条件下).本文讨论了以费米(Fermi)能级、温度和氧分压为函数变化的最稳定点缺陷三维分布图,以便更清晰、直观地掌握晶体中稳定点缺陷随Fermi能级、温度和氧分压变化的分布关系.    

11.  锂掺杂氧化锌复合缺陷电子结构的杂化密度泛函研究  
   孙旭  顾有松  王学强  张跃《化学物理学报》,2012年第25卷第3期
   利用第一原理计算以及杂化密度泛函方法研究了锂掺杂氧化锌的各种缺陷态的电子结构,并通过缺陷形成能考察其在不同气氛中的能量稳定性. 计算结果表明,在通常的气氛条件下,锂离子占据间隙位置和锂离子替换锌离子形成的复合缺陷具有最低的形成能. 锂掺杂氧化锌中,复合缺陷对的形成使氧化锌很难实现p型导电. 然而,当气氛从富锌环境转变到极端氧环境时,锂替代锌离子的缺陷将更加稳定,其形成能将低于锂间隙和锂替代锌复合缺陷的形成能. 因此,锂掺杂氧化锌可以通过在氧气氛中生长,或在富含氧气气氛中退火得到有效的p型电导.    

12.  类石墨碳修饰提高ZnO纳米棒阵列光催化活性和光稳定性的研究  
   张学伟  张学亮  王鑫  刘乐全  叶金花  王德法《催化学报》,2018年第39卷第5期
   半导体光催化是一种理想的太阳能化学转化绿色技术,可以实现水分解制氢和CO2光还原制备碳氢化合物燃料.氧化锌 (ZnO) 作为一种直接带隙半导体材料,一方面具有性能优异、价格低廉、易制备等优点; 另一方面因光腐蚀而不稳定,大大限制了该材料的实际应用.本文提出了一种简单易行的类石墨碳修饰方法,可以有效提高 ZnO 用于CO2光还原的光催化活性和稳定性.首先采用水热法在金属锌片基底上生长 ZnO 纳米棒阵列 (ZnO-NRA),然后通过葡萄糖水热法进行不同含量的类石墨碳 (C-x) 修饰,形成 ZnO-NRA/C-x 纳米复合结构,同步实现碳包覆和碳掺杂.X 射线衍射结果表明,ZnO 纳米棒及ZnO-NRA/C-x 纳米复合结构都具有良好的纤锌矿型 (Wurtzite) 结构; 而拉曼散射则清楚地证实了类石墨碳的存在.扫描电子显微观察显示,生长的 ZnO 纳米棒长度大约 2-5 μm,直径为 400-700 nm,沿方向[0001]生长,端部由六个规则的 (103)晶面组成,进一步直观佐证了 ZnO 的典型纤锌矿型结构特征.透射电子显微分析结果表明,ZnO-NRA/C-x 纳米复合结构中类石墨碳包覆层厚度大约为 8 nm.ZnO-NRA/C-x 纳米复合结构的 X 射线光电子谱分析结果验证了 C-C,C-O 和 C=O键的存在与碳的包覆层相对应; 而 C-O-Zn键的出现则是由于碳在 ZnO 中掺杂所引起.从紫外-可见吸收谱上可观察到ZnO 的典型吸收带边位置约为 385 nm,而碳的包覆和掺杂导致 ZnO-NRA/C-x 纳米复合结构的吸收带边发生红移,并且吸收背底明显提高.电化学阻抗谱测试结果清楚地显示,ZnO-NRA/C-x 纳米复合结构比单纯 ZnO-NRA 的电化学阻抗明显降低,说明类石墨碳包覆层大幅度提高了电导性能,从而有利于光生载流子的分离和传输.荧光分析结果也表明,与单纯的 ZnO-NRA 相比,ZnO-NRA/C-x 纳米复合结构的荧光强度大幅度下降,进一步证实了 ZnO-NRA/C-x 纳米复合结构比单纯的 ZnO-NRA更有利于光生载流子的分离和传输.光电化学测试结果表明,ZnO-NRA/C-x 纳米复合结构的瞬态光电流 4 倍于单纯的ZnO-NRA,而 CO2 光还原性能测试也得到一致的结果.长时间多循环 CO2 光还原实验证实,ZnO-NRA/C-x 纳米复合结构具有稳定的光催化活性和极好的光稳定性.综上,我们利用一种简单易行的水热法进行类石墨碳修饰,成功开发了 ZnO-NRA/C-x 纳米复合结构,该结构因其优异的光生电子和空穴的分离和迁移性能,从而具有显著提升的CO2光还原活性和光稳定性.本工作证明,类石墨碳修饰是一种可以广泛借鉴的有效提升半导体材料光催化活性和光稳定性的可行方法.    

13.  CuI晶体及其缺陷态电子结构的模拟  
   顾牡  刘峰松  张睿《发光学报》,2004年第25卷第4期
   利用相对论密度泛函理论和嵌入分子团簇方法,模拟计算了具有闪锌矿结构的γ态CuI晶体及其缺陷态的电子结构。结果显示晶体的本征能级结构:价带顶主要由I5p和Cu3d轨道杂化组成,导带底由Cu4s轨道组成,禁带宽度为3.1eV,该结果与实验相符。在不同缺陷态的计算中,四面体间隙铜缺陷相对其他间隙缺陷更易于在晶体中形成,其中Cu3d→4s跃迁能量为3.2eV,推测与CuI晶体发光密切相关。    

14.  CdS/ZnO纳米复合结构制备及荧光特性研究  
   黄杰  胡陈力  毛建敏  沈为民  王乐  余静《光谱学与光谱分析》,2017年第37卷第9期
   为增强CdS纳米粒子的荧光强度,以及稳定性,研究了Cd,S不同质量比,有无稳定剂等条件下CdS纳米粒子的制备及荧光特性.在碱性条件下,利用水热法合成了CdS/ZnO的纳米复合结构,并对所有样品进行了XRD、荧光光谱和SEM表征.测试结果表明所制备的CdS纳米粒子和CdS/ZnO的纳米复合结构粒子成分单一且纯净;ZnO复合在CdS表面;在紫外光(328.5 nm)激发下,CdS/ZnO纳米复合结构的发射峰位于463 nm处,峰形窄而对称,CdS/ZnO纳米复合结构的荧光强度比CdS纳米粒子的荧光强度有显著增强,且CdS和ZnO物质量之比为1:1条件下,荧光强度最高,其荧光效率比单一CdS纳米粒子高出11%.通过第一性原理计算结果表明,CdS能带结构中,Cd-4d,S-3p和Cd-5s能带分别由5条、3条和1条能级构成,对比不同轨道的分态密度强度,看出CdS的导带边主要由Cd-5s轨道贡献,而价带边主要由S-3p轨道贡献,能量在-7 eV附近的电子态主要由Cd-4d轨道贡献.而ZnO上价带主要由O-2p电子构成,靠近费米能级的价带区域则主要由Zn-3 d电子贡献,在导带部分,主要来源于Zn-4s和O-2p电子.由于在两种材料的复合结构中Zn-3d电子的能级和S-3p电子的能级接近,存在着二型带阶结构使能带变窄,容易形成跃迁,减小电子-空穴的复合,从而促进复合结构荧光效率的提高.    

15.  Co掺杂的ZnO室温铁磁半导体材料制备与磁性和光学特性研究  被引次数:2
   程兴旺  李祥  高院玲  于宙  龙雪  刘颖《物理学报》,2009年第58卷第3期
   采用溶胶-凝胶法制备出具有室温铁磁性的Co掺杂的ZnO稀磁半导体材料. 通过对样品的结构、磁性和发光特性的研究发现,样品具有室温铁磁性,并发现其铁磁性源于磁性离子对ZnO中Zn离子的取代. 对不同温度制备的样品的磁性以及其发光特性的变化研究发现,样品的铁磁性与样品中锌间隙位(Zni)缺陷的密度有关.    

16.  六方AlN本征缺陷的第一性原理研究  
   耶红刚  陈光德  竹有章  张俊武《物理学报》,2007年第56卷第9期
   用基于密度泛函理论平面波赝势法首先对六方AlN本征点缺陷(氮空位、铝空位、氮替代铝、铝替代氮、氮间隙、铝间隙)存在时的晶格结构进行优化,得到其稳定结构;然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度;最后从态密度的角度对各种本征点缺陷引起的缺陷能级及电子占据情况进行了分析.发现除氮空位外其他本征缺陷在带隙中形成的能级都很深,要得到n型或p型AlN必须要引入外来杂质.计算得到的本征缺陷能级对于分析AlN的一些非带边辐射机理有重要帮助.    

17.  ZnO和ZnS本征点缺陷的理论研究  
   马昌敏  刘廷禹  常秋香  罗国胤《高等学校化学学报》,2016年第5期
   基于第一性原理和热动力学方法,通过模拟计算分析了不同温度和分压下ZnS和ZnO晶体本征点缺陷的性质.振动熵的计算结果表明,在高温条件下,振动熵对缺陷形成能的贡献不能忽略.对比分析2种晶体本征点缺陷随环境条件变化的规律,结果表明,2种晶体的主导缺陷均为空位型.氧空位(V0)在ZnO中更易形成,富氧和低温条件有利用于ZnO的p型本征掺杂.而锌空位(Vzn)在ZnS中形成能最低,因此ZnS比ZnO更容易形成p型掺杂.研究还发现2种晶体的肖特基缺陷都不稳定,而弗伦克尔缺陷比较稳定.除ZnS反弗伦克尔缺陷外,有价态的缺陷对的形成能均比中性缺陷对的形成能低.    

18.  WO3纳米颗粒修饰ZnO纳米管的光催化性能  
   李亚文  布玉珍  刘倩  张霞  徐君莉《催化学报》,2018年第39卷第1期
   二甲四氯钠(MCPA-Na)是一种广泛用于牧场和果园的除草剂,但由于其生物降解性极低,已成为地下水和浅水中的主要污染物.研究发现,半导体可以有效地辅助降解转化危险化学品.ZnO纳米管因其中空结构和较大的比表面积,而在光催化降解有机物方面备受关注.但是,ZnO只能吸收紫外光,如果将其与窄带隙半导体进行复合,可以有效降低带隙,增强其在可见光区域的光吸收,表现出更好的光催化性能.WO3是一种具有稳定物理化学性质及耐光腐蚀窄带隙半导体.采用WO3修饰ZnO纳米管,能扩展ZnO吸收光的范围以及提高ZnO纳米管的耐光腐蚀性能.本文首先通过电化学合成的方法制备了ZnO纳米管,然后按照不同的W/Zn摩尔比将(NH4)6H2W12O40·XH2O滴加在纳米管表面,并在450 ℃下退火2 h制得ZnO-WO3纳米管阵列.研究了不同WO3含量的ZnO-WO3纳米管光催化降解MCPA-Na性能,并且通过X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、紫外可见光谱(UV-Vis)和光致发光光谱(PL)等手段研究了复合WO3纳米颗粒后ZnO纳米管半导体光催化性能提高的原因.XPS结果表明,W元素在ZnO-WO3纳米管阵列中以W6+的形式存在.FTIR结果表明,复合WO3后的ZnO-WO3复合半导体上比纯ZnO纳米管表面具有更多的OH-基团.由于OH-可以捕获光生空穴,并转化为具有反应活性的●OH自由基,因此复合WO3能在一定程度上提高ZnO纳米管的光催化活性.UV-Vis结果表明,WO3的复合使得光谱发生明显红移,但随着WO3含量的增加,ZnO-WO3的吸光度明显增加.另外,PL结果表明,适当的复合WO3可以抑制光生电子-空穴的复合.这是因为W6+和晶格氧的相互作用产生了较高不饱和键和表面缺陷,而表面缺陷可以作为光生载流子的陷阱,促进了光生电子和空穴的分离,因而光催化性能提高.在模拟太阳光下研究了不同WO3含量的ZnO纳米管对光催化降解MCPA-Na溶液的性能.发现W/Zn摩尔比为3%的ZnO-WO3样品表现出最好的光催化活性,200 min内其降解率为98.5%.与纯ZnO纳米管相比,其光催化循环性能也有所提高.利用Mott-Schottky测试方法并结合UV-vis结果,我们计算得到不同WO3含量的ZnO-WO3复合半导体导带价带位置.由于WO3导带位置和价带位置都比ZnO的更高,WO3上产生的光生电子会向ZnO的导带移动,而ZnO光生空穴向WO3的价带移动,从而促使光生电子和空穴的分离,提高了光催化性能.但是如果WO3复合的量太大,则在ZnO纳米管上分散性不好,反而成为光生空穴和电子复合中心,导致其光催化活性降低.    

19.  O2/(O2+Ar)流量比对ZnO-0.25mol% V2O5薄膜缺陷类型的影响  
   张俊峰  吴隽  龙晓阳  祝柏林  李涛涛  姚亚刚《人工晶体学报》,2017年第4期
   利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol% V2O5(ZnO∶V)薄膜,研究了O2/(O2+Ar)流量比(0%~87.5%)对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响.研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中.ZnO∶V薄膜中的缺陷态为氧空位(VO)和间隙锌(Zni)杂化形成的复合体,两者比例随O2/(O2+Ar)流量比而变化.    

20.  ZnPc/ZnO、ZnTSPc/ZnO的原位自组装合成及可见光光催化  
   钟超阳  潘海波  陈耐生  黄金陵  郭龙发《无机化学学报》,2007年第23卷第11期
   本文采用原位合成方法制备了不同物质的量配比的zinc phthalocyanine (ZnPc)/ZnO、zinc tetrasulfonated phthalocyanine (ZnTSPc)/ZnO复合材料,通过UV-Vis、FTIR和荧光光谱等表征手段,确定了ZnPc、ZnTSPc在ZnO表面的原位形成及两者之间的键合方式,采用荧光光谱仪及单光子计数的方法测定复合前后ZnPc、ZnTSPc荧光强度、寿命的变化,并对其敏化光催化机理进行研究。结果表明,ZnPc与ZnO之间不存在电子转移,而ZnTSPc通过磺酸基与ZnO表面Zn2+形成-SO3-Zn键,有利于其激发态向半导体ZnO导带注入电子;在1.0mol%(ZnTSPc与ZnO物质的量比)ZnTSPc/ZnO复合材料中,ZnTSPc与ZnO之间的电子转移速率ket=6.1×107 s-1;ZnPc经能量转移产生单线态氧,可提高ZnO可见光光降解效率,而ZnTSPc键合于ZnO后,ZnTSPc既可通过能量转移产生单线态氧,亦可通过电子转移产生超氧负离子自由基,获得更高的光催化效率。    

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