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相似文献
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1.
王启明 《物理》1998,27(9):534-537
文章简要地介绍了当今信息高科技领域中半导体微电子、光电子技术的发展现状,阐明其得以发展的物理基础是本世纪初叶提出的量子力学概念以及随后建立的固体能带论.文章还探讨了其今后进一步发展的前景.  相似文献   

2.
当前,人类正进入信息化时代;这是微电子技术、光电子技术、通信技术、计算机科学与技术、自动化、精密机械等应用性很强的科学技术综合发展的结果.在迈人信息化社会的进程中,光电子技术起着十分重要的作用.它是继微电子技术之后,近十几年来迅速发展的新兴高科技,集中了固体物理、导波光学、材料科学、微细加工和半导体的科研成就,成为电子技术与光子技术的自然结合与扩展,是具有强烈应用背景的新兴交叉学科.这些都说明了从电荷-电子-电子学-电子工程-电子技术到光-光子-光子学-光子工程-光子技术发展的必然趋势,也是从量子力学(实物)到量子电动力学、量子场论(场)发展的必然结果:信息技术的发展在20世纪是由电子学向光电子学发展的阶段;  相似文献   

3.
激光的发明,将人类带入光通信、光存储、光显示的高科技文明中,随着高科技的不断发展、进步和应用范围的不断扩大,对激光的要求更高,例如低阈值、高效率、高亮度、高速、小体积、好的模式特性等,这些要求在现有的传统激光器理论及技术中是难以达到的。但是当人们将光子晶体的理论与现有激光物理和技术相结合时,则有望突破传统激光器的性能瓶颈。例如,提高自发辐射速率,同时获得更高的自发辐射向受激辐射的耦合效率,实现激光器的无阈值工作;利用光子晶体对光子态的调制作用,可以获得比传统激光器大几个数量级的光学腔品质因子,大幅度提高激光的亮度、单色性;结合光子晶体微腔及其显著增加的光学腔品质因子,可以提高激光器的调制速率等,因此,人们预期光子晶体科学与技术将成为未来光电子领域发展的核心之一。文章介绍了光子晶体在半导体激光器中的应用,指出光子晶体科学技术引入发展了几十年的半导体激光器中,使半导体激光器展现出更加优异的性能。最后文章作者展望了光子晶体激光器的未来发展和应用的方向。  相似文献   

4.
卜涛  陈慰宗  刘军  冯宇 《物理通报》2001,(11):45-47
异质结半导体激光器是半导体激光发展史上的重要突破,它的出现使光纤通信及网络技术成为现实并迅速发展。异质结构已成为当代高性能半导体光电子器件的典型结构,具有巨大的开发潜力和应用价值。  相似文献   

5.
蒋维栋  张翔九 《物理》1989,18(4):205-210
由极性半导体GaAs,GaP 等和非极性半导体Ge,Si等构成的异质结构,为高速集成和光电子集成技术的发展提供了新的机会,同时也为基础物理研究提出了新的课题.本文简要介绍极性/非极性半导体异质结构的制备和特性方面的一些基本问题及其在器件应用方面的发展现状.  相似文献   

6.
王圩 《物理》2004,33(8):597-604
文章对布拉格衍射效应在半导体光电子材料和光电子器件,特别是在光纤通信中的光电子器件的应用和发展进行了详细的介绍.文中以布拉格光栅衍射效应的光反馈和选模功能为主线,逐一介绍了X射线双晶布拉格衍射技术在半导体材料、特别是在量子阱和应变量子阱超薄层晶体生长和质量控制方面的作用,介绍了内建布拉格光栅对光通信用光信号源的发展所起的重要作用,波导光栅在复用和解复用过程中的作用,以及光纤布拉格光栅在全光纤通信系统中的应用及发展等.  相似文献   

7.
ZnSe蓝色半导体发光和激光器件的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
范希武  吕有明 《物理》1994,23(7):393-399
阐述了研制蓝色半导体发光和激光器件在光电子技术发展中的重要性。通过对ZnSe半导体发光和激光器件发展过程的评论,说明了获得p型ZnSe所遇到的困难和解决的途径。介绍了近期在获得高导电p型ZnSe层方面的突破性进展,从而实现了ZnSe-p-n结蓝色半导体发光和激光器件。  相似文献   

8.
半导体量子光电子学的进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
就量子阱超晶格的基本物理、量子阱光电于器件对光通信发展的贡献和量子光电子器件对发展计算技术和信息处理技术的贡献等问题进行了较详细的讨论,指出;半导体量子光电子学的内涵既包含了崭新一代光电子器件的诞生,同时也促进了以信息的传输、运算和处理为代表的新一代信息技术的发展.半导体量子光电子学将与微电子技术井列成为未来信息社会的两大支柱.  相似文献   

9.
《物理》2017,(12)
光电子显微镜是一种基于光电效应的电子显微镜,利用样品不同空间位置光电子产量的差异作为图像衬度进行投影成像。其成像速度快、空间分辨率高、探测无损伤等特点和优势,在表面科学、表面等离激元学、半导体学等学科有着广泛应用。另外,结合超快光泵浦探测技术为光电子显微镜提供了高时间分辨能力,特别适用于高时空分辨的动力学过程研究。时间分辨光电子显微镜是具备多维度直观测量的技术方法,为研究人员开辟了新的道路。文章首先简要回顾电子显微成像技术的发展,然后介绍在表面等离激元学和半导体物理领域中应用光电子显微镜的最新进展,最后介绍北京大学最近建设的超快光电子显微镜系统和相关研究工作及展望。  相似文献   

10.
新奇半导体低维结构的自组织生长   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章介绍了自组织生长半导体量子线、量子点和量子环的进展,同时介绍了这些低维半导体材料在光电子和通信等领域应用情况。此外,对这些材料的一些测试方法也进行了介绍.  相似文献   

11.
半导体带间级联量子阱是实现3~5μm波段中红外激光器的重要前沿,其在半导体光电器件技术、气体检测、医学医疗以及自由空间光通信等诸多领域具有重要科学意义和应用价值。半导体带间级联量子阱发光机理是以二类量子阱中的电子与空穴的带间辐射复合发光为主导,再通过电子注入区与空穴注入区形成级联放大,实现多个量子阱周期内电子与空穴的重复利用。本文综述了半导体带间级联激光器从提出能带结构、外延材料到器件制备技术的发展历程,剖析了器件结构各功能区基本概念和工作原理,介绍了器件结构设计与制备工艺技术难点的里程碑突破,详细解释了载流子再平衡、分别限制层等设计,最后展望了半导体带间级联激光器的发展方向和趋势。  相似文献   

12.
Real three-dimensional material structures enable enormous perspectives in the functionality of advanced electronic and optoelectronic III/V semiconductor devices. We report on the technological implementation of surface-micromachined III/V semiconductor devices for optoelectronic applications. Considering fabrication technology, the general principles can be reduced to three fundamental process steps: deposition of a layered heterostructure on a substrate, vertical structurization and horizontal undercutting by selectively removing sacrificial layers. Very useful quality-control elements for precise process control are presented. The basic principles are applied and illustrated in detail by presenting two selected optoelectronic examples. (i) The fabrication technology of buried mushroom stripe lasers is shown. Bent waveguides on homogeneous grating fields are used to obtain chirped gratings, enabling a high potential to tailor specific performances. Excellent optical properties are obtained. (ii) The fabrication technology of vertical optical cavity based tunable single- or multi-membrane devices including air gaps is shown. Record optical tuning characteristics for vertical cavity Fabry–Pérot filters are presented. Single parametric wavelength tuning over 142 nm with an actuation voltage of only 3.2 V is demonstrated. PACS 85.60.-q; 87.80.Mj; 68.65.Ac  相似文献   

13.
The fabrication of organic optoelectronic devices requires patterning techniques that are compatible with organic semiconductor materials. Photolithography represents, by far, the dominant patterning approach for inorganic electronics and optoelectronics. High speed, parallel patterning capability, high resolution, and the availability of standard equipment make this technology also very attractive for applications in the field of organic semiconductor technology. In the present paper we present a successful implementation of photolithography to fabricate organic diodes. This process provides the basis for a future high‐resolution monolithic integration of organic optoelectronic and photonic devices into one photonic circuit. (© 2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)  相似文献   

14.
张鹏  王慧  赵昆  肖景林 《发光学报》2009,30(4):525-528
研究了半导体量子点中极化子的激发态性质。采用Huybrechts线性组合算符和幺正变换方法,计算了量子点中极化子的振动频率、基态能量、第一激发态能量、由第一激发态向基态的跃迁能量和跃迁频率。分别讨论了电子-LO声子在强弱两种耦合情况下极化子的跃迁能量和跃迁频率。数值计算结果表明,跃迁能量ΔE和跃迁频率ω均随量子点有效受限长度l0的增加而减少,且随电子-声子耦合强度α的增加而减少。  相似文献   

15.
红荧烯具有导电性好、吸收系数高等优良的荧光特性和半导体特性,是目前报道的单晶迁移率最高的材料,在有机光电器件中有很好的发展前景,受到科研人员的广泛关注。目前国内外主要采用真空蒸镀方法和溶液加工方法制备红荧烯晶体薄膜,采用各种制备工艺来提高红荧烯薄膜质量。本文在系统介绍红荧烯晶体薄膜制备工艺研究进展的基础上,归纳总结了掺杂种类/聚合物浓度、后处理工艺/实验温度等对红荧烯晶体性能的影响,简要概述了红荧烯薄膜在有机光电子器件应用研究中所取得的研究成果,最后展望了基于红荧烯晶体薄膜的光电器件的发展趋势。  相似文献   

16.
Optics has already been established its significant application over electronics using the nonlinearity of optical medium. The use of semiconductor optical amplifier (SOA) as a nonlinear medium has remarkably extended in the field of optoelectronic technology due to his high switching speed and high extinction ratio. The SOA based devices are used in multifunctional way mainly in switching, multiplexing, de-multiplexing and wavelength conversion. Here in this paper the authors propose a new demultiplexer scheme with the broad area semiconductor optical amplifier (BSOA) using the frequency encoding techniques and tri state logic. Frequency encoding techniques and tri-state logic in optics are already been established as a potential mechanism.  相似文献   

17.
郭江  赵晓凤 《物理》2004,33(9):641-645
蓝光或紫外激光在光电子学和光储存方面有广阔的应用,一直是国际上关注的前沿领域.而金刚石是最好的半导体紫外发光材料.特别是用于高温、高压、高功率、强辐射和强腐蚀环境中更能显示其优越性.目前人们已在实验上用同质外延、异质外延的方法制备了金刚石紫外发光二极管,观察到了较强的紫外光发射.人们尝试用金刚石与其他半导体材料结合的方法,成功地研制出了金刚石紫外发光二极管,开拓了该研究领域最新研究方向.文章对这些金刚石紫外发光器件研究的最新进展进行了评述.  相似文献   

18.
王新强  黎大兵  刘斌  孙钱  张进成 《发光学报》2016,(11):1305-1309
高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界广泛高度重视。本文对大失配、强极化氮化物半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律进行了研究,旨在攻克蓝光发光效率限制瓶颈,突破高Al和高In氮化物材料制备难题,实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构,制备多波段、高效率发光器件和高频率、高耐压电子器件,实现颠覆性的技术创新和应用,带动电子材料产业转型升级。  相似文献   

19.
光电总体集成技术和光电系统的研发   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
光电技术是信息化建设和国防科技工业的重要支撑技术,在实现装备现代化进程中占据着重要地位.本文论述了光电集成技术的重要性,总结了其主要的研究内容,对今后的发展提出了相应的建议.  相似文献   

20.
熊焱  陆耀东  沙定国  满春阳 《应用光学》2012,33(6):1019-1023
 在现代信息化战争中,光电侦察与跟瞄装备的研制试验和使用维护都离不开其测试技术的保障。从4方面简述了国内外光电侦察与跟瞄装备测试技术的发展现状,目前,可见光及微光成像性能参数已实现数字化的综合测量,其中,像面均匀性和畸变检校的测量不确定度分别达到1%和0.2%,最小可分辨温差(MRTD)等红外热成像系统性能参数已出现客观的评测方法,最大测程等激光测距系统性能参数的测量允许误差极限达到1%以内,多光轴一致性的检校测量不确定度达到2″。未来,我国在该领域的研究热点将集中在发展各种现场快速精准的检校手段,以及继续提升红外、紫外、微光和白光成像测试技术等方面,并建立和完善其相应的测试标准和保障系统。  相似文献   

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