光致变色多阶游程光存储研究

多阶游程存储是一种不改变光学系统而显著提高光存储容量和数据传输率的新方法.介绍了光致变色多阶游程存储原理和实验系统.提出了基于光致变色原理的多阶游程存储数学模型，该模型反映了记录符反射率与曝光功率、曝光时间之间的非线性关系，并在此基础上确定了光致变色多阶游程存储的写策略.基于650nm光致变色材料进行了4阶游程存储的动态实验.结果表明，实验中采用的650nm光致变色材料可用于多阶游程存储，采用的写策略能够有效地使记录信道线性化，利于采用适合线性系统的信号处理方法. 关键词： 多阶游程 光致变色 光存储 写策略     

光致变色材料多阶光存储模型与实验

光致变色材料具有光子型反应的特点,控制光致变色材料吸收的光子数就可以控制材料的反应程度,从而实现多阶存储。根据光化学反应的原理,分析了光致变色材料的写入过程,建立了光致变色多阶存储写入过程的反射率模型。根据该模型的仿真计算结果,设定了一组合适的曝光量,在1,2_双(2_甲基_5_(4_(1,3_二氧戊环基)苯基)噻吩_3_基)全氟环戊烯材料上实现了8阶存储。     

多阶光存储的调制原理分析与编码设计研究

根据编码理论的状态切分算法，提出一种新型的8阶(1,3)游程长度受限码，在最小记录符上能够存储3.0比特的用户数据，并且编码与译码逻辑简明，可用于未来高密度多阶游程长度调制光盘系统.     

光致变色多阶光存储中的光学串扰分析

利用光致变色材料的灰度分阶特性可以实现多阶光存储。以傅里叶光学和光致变色记录符的可叠加性为基础,采用霍普金斯标量衍射理论的经典归-化坐标,对光致变色多阶光存储中的光学串扰进行了理论建模和数值分析。作为后续电通道补偿设计的前提。数值计算结果表明：相邻记录符与盘基信号的交叉串扰项是光学串扰的主要成分,且随着中心距的增加,相邻记录符引起的串扰迅速降低;当无寻道误差时,邻道记录符引起的串扰可以忽略;高阶记录符引起串扰要明显高于低阶的串扰。且影响多阶存储的可分阶性;实验结果很好地验证了所建立的模型的合理性。     

多阶光存储原理分析及其读写系统前端信号处理研究

运用矢量衍射理论的计算方法(耦合波方法，时域有限差分法)，对两种多阶光存储方案(坑深调制，坑形调制)进行了原理性分析，并简略分析了利用相变材料的幅值调制实现多阶存储的原理.由此得出多阶光存储技术的实现是利用了光与物质之间的相互作用，使光对记录介质产生作用，同时介质也对光的某些特性进行调制，而这些特征的改变一般都不止两个状态0或1，用数字方式将这多个状态记录下来便实现了多阶数字存储.此外,还提出了多阶光盘前端信号处理系统的设计与开发.该系统是多阶光存储实验系统的重要组成部分，可输出RF,TE,FE等伺服与误差信号，并将信号反馈给多阶处理芯片；同时系统还可对光学头的激光读写功率及写入时间进行控制，并能使其实现自动调焦和道跟踪. 关键词： 多阶光存储 矢量衍射理论 时域有限差分法     

一种新的多阶只读光存储方法的仿真分析和实验验证

提出了一种波形调制的方法,在原有记录符中加入一个短坑或短岸,在读出信号上产生一个可辨识的"扰动",从而对读出信号波形产生调制.用简化的光刻模型和基于角谱分解的读出模型,对该方法在DVD系统上的坑形和读出信号进行了仿真.仿真结果确定了各个游程可实现的阶次和各个阶次的刻写参量.对典型游程6T和11T进行了实验,读出信号与仿真结果相吻合,并分别得到了小于1×104和1×10-5的阶次误码率.实验结果验证了该方案的实际可行性.     

作为光存储记录材料的偶氮染料研究进展

文章综述了作为光存储记录材料的偶氮染料的研究与开发状况，讨论了将来的发展方向     

多阶光盘系统中帧同步信号的自适应检测

多阶光存储是提高光盘存储容量和数据传输率的重要途径。帧同步信号在多阶光盘的重放系统中起着很重要的作用。分析了实际多阶存储系统中帧同步信号的特征和信号检测的特点,提出了一种自适应检测帧同步码的方法。实验结果表明,该方法的精度可以满足系统的需求。     

超高密度磁光存储及其介质研究进展

短波长（蓝光）磁光存储，磁光超分辨近场结构光存储（Super-RENS)、混合记录技术是近年来发展起来的超大容量磁光存储技术，文章介绍了这些技术用于超高密度磁光存储的原理，并对其研究现状及发展前景作了全面综述。     

近场光存储及其研究进展

本文从近场光学的超分辨原理出发详细介绍和分析了孔径探针型近场光存储技术、SIL透镜近场光存储技术和近场超分辨结构光盘存储技术等的基本原理、研究现状以及它们的优缺点及存在的问题     

Multilevel optical data recording methods on phase-change media

Multilevel data storage (ML) is a new method in the optical storage field, which is also a trend for improving the capability of future optical discs. This article introduces several ML methods based on phase-change media including pit depth modulation (PDM) and mark radial width modulation (MRWM). In addition, some disadvantages and advantages concerning the principle of these methods will be discussed. Finally, a new ML method will be advanced, through which the levels in one recording pit will be increased evidently.     

应用四元数方法对光存储光学系统的建模

光存储中的光学系统是一种非同轴光学系统，其中各个光学元件的设计位置与装配精度是保证系统光线正常传输并获得准确信号的前提。四元数方法是一种可以方便地描述空间光线的传输计算与坐标变换的数学方法。通过将四元数引入到光学头光学系统的建模中，使用四元数法表征非同轴光学系统的传输方式，并给出建立光学元件的设计、安装参数与聚焦光斑、读出光斑之间关系的流程图。据此模型对各个独立的研究对象进行分析的结果，对光存储中光学系统的设计与生产装配工艺的制定有指导意义；同时,以此模型分析物镜的连续运动对光斑和读出信号的影响，对光学头中的可执行机构力矩器的设计有实践作用。     

光存储系统中的游程长度受限编码

游程长度受限编码广泛应用于光(磁)存储系统中,通过将用户数据转换为符合特定信道约束的码元序列,从而提高数据传输的效率与可靠性。较为系统的介绍了游程长度受限编码的基本理论,从原理上分析了有限状态编码器与滑块分组译码器模型,并对主要的编码构造方法进行了概述,展望了游程长度受限编码的发展方向。     

相变存储单元RESET多值存储过程的数值仿真研究

使用数值仿真方法对相变随机存储器存储单元的RESET操作的多值存储过程进行了研究,建立了三维存储单元模型,用有限元法解Laplace方程及热传导方程以模拟电脉冲作用下的存储单元物性变化过程.计算出单元内相变层的相态分布及单元整体电阻,分析了单元内部尺寸变化对多值存储过程及状态的影响.结果表明,通过精确控制输入电脉冲,相变存储单元能够实现4值存储;多值存储状态受单元内相变层厚度及下电极接触尺寸变化的影响较大;存储状态在80℃的环境温度下均可保持10年以上不失效.     

Polarization readout analysis for multilevel phase change recording by crystallization degree modulation

Four different states of Si15Sb85 and Ge2Sb2Te5 phase change memory thin films are obtained by crystallization degree modulation through laser initialization at different powers or annealing at different temperatures. The polarization characteristics of these two four-level phase change recording media are analyzed systematically. A simple and effective readout scheme is then proposed, and the readout signal is numerically simulated. The results show that a high-contrast polarization readout can be obtained in an extensive wavelength range for the four-level phase change recording media using common phase change materials. This study will help in-depth understanding of the physical mechanisms and provide technical approaches to multilevel phase change recording.     

基于纳米孔径激光器的近场光存储的最新发展

近几年发展起来的近场光学原理和方法为实现超高密度光学数据存储开辟了新的技术途径。基于近扬光学方法的最小信息记录单元尺寸突破了经典光学分辨率的衍射极限 ,理论存储密度高达 1 0 0 0Gb/平方英寸 ,受到了研究人员和工业界的广泛关注。着重介绍了用于近场光学存储的纳米孔径激光器的原理、结构、优点 ,对它的实现方法和发展状况作了详细的阐述 ,并对其在近场光存储领域未来的发展趋势进行了展望