第一性原理对GanPm小团簇的结构及稳定性的研究

利用密度泛函理论(DFT)对GanP和GanP2 (n=1-7)团簇的几何结构、电子态及稳定性进行了研究. 在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanP和GanP2(n=1-7) 团簇的基态结构. 结果表明,n≤5团簇的几何结构基本上为平面结构,n＞5的团簇均为立体结构;在GanP2 (n=1-6)团簇中,P-P比Ga-P容易成键;在GanP和GanP2 (n=1-7) 团簇中,Ga3P, Ga4P, GaP2, Ga2P2 和 Ga4P2的基态结构最稳定,在所研究的团簇中,稳定性随团簇总原子数的增大而减小.     

GanN-m阴离子团簇的结构及稳定性的研究

利用密度泛函理论(DFT)对GanN-(n=2-8)和GanN2-(n=1-7)阴离子团簇的结构及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanN-(n=2-8)和GanN2-(n=1-7)阴离子团簇的基态结构.在这些团簇中,原子总数小于等于6的团簇的几何结构为平面结构,原子总数大于6的团簇的几何结构为立体结构;在所研究的团簇中,Ga4N-,Ga6N-,Ga4N-2和Ga5N-2的基态结构较稳定.     

GanNm+(n=1～8,m=1～2)团簇的结构及稳定性的DFT研究

用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法在6-31C*水平上对GanN (n=2～8)和GanN2 (n=1～7)阳离子团簇的几何结构、稳定性和振动频率等进行研究,得到GanN (n=2～8)和GanN2 (n=1～7)阳离子团簇的基态结构.其中,GanN (n=2～8)团簇在总原子数≤6时,其几何结构为平面结构,总原子数＞6时,其几何结构为立体结构,N原子位于立体结构的中心;GanN2 (n=2～7)团簇在总原子数≤7时,其基态几何结构为平面结构,总原子数＞7时,其基态几何结构为立体结构;原子总数为奇数的团簇Ga4N ,Ga6N ,Ga3N2 和Ga5N2 的基态结构较稳定.     

从头计算对GanNm团簇的结构与稳定性的研究

用B3LYP-DFT方法对GanN2(n=1~7)和GanN(n=2~8)团簇的结构与稳定性进行了研究.在6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanN2(n=1~7)和GanN(n=2~8)团簇的基态结构.在GanN(n=2~8)团簇的基态几何结构中,N原子处在分子结构的中心;在GanN2(n=1~3)团簇中,N—N键比Ga—N键强;在GanN2(n=4~7)团簇中存在Ga3N单元和Ga4N单元.在GanN2(n=1~7)和GanN(n=2~8)团簇中,Ga4N2,Ga6P2,Ga3N,Ga5N和Ga7N较其它团簇稳定.     

Ga_nN_3(n=1～8)团簇几何结构及光电子能谱的研究

用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G*的水平上,对GanN3(n=1～8)团簇的结构进行优化,并对体系的成键特性、光电子能谱及稳定性进行了计算与分析,得到了GanN3(n=1～8)团簇的最稳定结构.结果表明,当n≤5时,其基态几何结构为平面结构,N-N键在这些团簇的形成过程中起着决定性的作用;当n≥6时,其基态几何结构为立体结构,Ga-N键起主导作用;在所研究的团簇中,Ga4N3、Ga7N3的基态结构最稳定;随着n值的增大,平均极化率逐渐增强;通过对光电子能谱的分析,得到Ga-N键的振动频率与六方晶系纤锌矿结构GaN的光学声子峰值相近.     

第一性原理对GanPm小团簇的结构及稳定性的研究

利用密度泛函理论（DFT）对Ga_nP和Ga_nP₂ (n=1—7)团 簇的几何结构、电子态及稳定 性进行了研究. 在B3LYP/6-31G^*水平上进行了结构优化和频率分析，得到了Ga _nP和Ga_nP₂(n=1—7) 团簇的基态结构. 结果表明，n≤ 5团簇的几何结构基本上为平面结构，n ＞ 5的团簇均为立体结构；在Ga_nP₂ (n=1—6)团簇中，P-P比Ga-P容易 成键；在Ga_nP和G a_nP₂ (n=1—7) 团簇中，Ga₃P, Ga₄P, Ga P₂, Ga₂P₂ 和 Ga₄P₂的基态结构最稳定，在所研究的团簇中，稳定性随团簇总原 子数的增大而减小. 关键词： nP_m团簇')" href="#">Ga_nP_m团簇 密度泛函理论（DFT） 几何结构 电子态     

GanN－m阴离子团簇的结构及稳定性的研究

利用密度泛函理论(DFT)对Ga_nN^-(n=2—8)和Ga_nN^-₂ (n=1—7)阴离子团簇的结构及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G^*水平上进行了结构优化和频率分析，得到了Ga_nN^-(n=2—8)和Ga_nN^-₂(n=1—7)阴离子团簇的基态结构.在这些团簇中，原子总数小于等于6的团簇的几何结构为平面结构，原子总数大于6的团簇的几何结构为立体结构；在所研究的团簇中，Ga₄N^-，Ga₆N^-,Ga₄N^-₂和Ga₅N^-₂的基态结构较稳定. 关键词： nN^-_m团簇')" href="#">Ga_nN^-_m团簇 密度泛函理论(DFT) 几何结构     

GaSi_n(n=1-6)团簇结构和稳定性的第一性原理研究

采用密度泛函理论(DFT),在B3LYP/6-311+G(d)水平下研究了GaSi_n(n=1-6)团簇的几何构型、电子性质、稳定性和振动特性.研究结果表明:GaSi_n(n=1-6)团簇基态结构基本保持了纯硅团簇的结构框架,Ga原子往往被吸附在Sin团簇的表面上.布局分析显示电子由Ga原子向Sin框架转移.平均束缚能和分裂能表明GaSi_3和GaSi_5团簇相对其他团簇具有较强的稳定性.振动特性研究表明:GaSi_n(n=1-6)团簇的IR活性最强振动模式主要是Ga原子与Sin结构之间的相对振动.极化率的研究表明,随着Si原子数的增多,GaSi_n团簇的非线形光学效应逐渐增强,更容易被外场极化.     

WnSi02,±(n=1～5)团簇结构与光谱的理论研究

利用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/Lanl2dz水平上对WnSi0,2±(n=1～5)团簇的各种可能构型进行了几何结构优化,预测了各团簇的基态结构.并对基态构型的平均结合能、能隙、红外光谱及拉曼光谱进行了系统的理论分析.结果表明:WnSi0,2±(n=2～5)团簇的基态结构及亚稳态结构中的Si-Si原子不成键,W5Si0,2±团簇的基态构型与W7团簇的基态构型相似,W3Si2+团簇的基态构型与W0,5±团簇的基态构型相似;W5Si2-团簇是比较理想的复合材料;WnSi0,2±(n=1～5)团簇的所有IR吸收峰都属于红外光谱中的指纹区的特征吸收区域;除W4Si2-团簇外,其它团簇都具有非刚性特性.     

密度泛函理论对GamAsn团簇的结构及稳定性的研究

利用密度泛函理论(DFT)对GamAsn(m=1,2;n=1-5)团簇的几何结构及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GamAsn(m=1,2;n=1-5)团簇的基态和亚稳态结构.结果表明,在GamAsn (m=1,2;n=1-5)团簇中,团簇的稳定性随着总原子数的增多而增大;总原子数相同的团簇,As原子多的团簇比Ga原子多的团簇稳定;最高占据轨道(HOMO)和最低空轨道(LUMO)的能级差(Egap)随As原子数的增加而变化,且大体呈现奇偶交替变化规律;原子间的振动频率均在太赫兹频段,为GaAs团簇纳米材料的太赫兹电磁波检测和太赫兹电磁波辐射提供了依据.     

砷原子团簇结构的量子化学密度泛函理论研究

采用密度泛函理论的三种方法 :局域自旋密度近似SVWN、梯度修正BLYP、杂化密度泛函B3LYP ,优化了中性Asn、负离子Asn-(n =2～ 5 )的结构 ,在优化结构基础上计算了它们的振动光谱 ,获得它们稳定的最低能量态的结构 .其中中性Asn(n =2～ 5 )的稳定结构的计算结果 ,与已有的理论结果以及实验数据进行了比较 .而对负离子Asn-(n =2～ 5 ) )的稳定结构作了预言 .同时计算了Asn(n =2～ 5 )的绝热电子亲和能 (EAa) ,与有关光电子谱学的实验值符合较好 .     

Ga_(2n)(n=1～4)团簇自旋极化机理的密度泛函理论研究

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下对Ga_(2n)(n=1～4)团簇进行了几何结构优化和结合能计算,并对其电子结构及成键特性进行了分析.结果表明,Ga_2,Ga_4团簇的基态都是自旋极化态,Ga_6团簇的能量局域极小的八面体结构也具有自旋极化;这些团簇的最外层分子轨道的空间分布是对称的,最外层分子轨道之间的能量相差很小,最外层分子轨道的近简并引起了自旋极化;对称性较高的团簇容易形成近简并的最外层分子轨道.     

Ni_n(n≤8)团簇的结构(英文)

用高斯程序的B3LYP交换相关函数和全电子基组DGDZVP、TZVP优化Nin、Ni+n和Ni-n(n=2～8),得到这些体系的基态几何构型、离化能、电子亲和能及键能.结果表明:Ni2,Ni3,Ni4,Ni5和Ni6团簇的基态分别是5,7,9,11和13重态.表明:Ni2,Ni3,Ni4,Ni5和Ni6团簇中分别有4,6,8,10和12个平行自旋的电子,在每一个Nin团簇中非耦合的电子最多,这些电子占据不同的轨道,导致每一个Nin团簇的能量最小,说明在这些Nin团簇中电子平行的效应大于电子耦合的效应,这显然与d电子的离域效应有关,称为自旋极化效应,符合宏特规则.Nin、Ni+n和Ni-(n=2～8)体系的磁矩分别是Ni具有8μ(n=6～8),Ni+具有9μ(n=6～8),Ni-具有7μ(n=4～8).     

铟团簇结构和电子性质的密度泛函研究

用密度泛函方法研究了In_n(n=2～7)团簇的稳定结构和电子性质.结果表明:自旋多重度对结构的影响不大;对于基态结构,n≤5时为平面结构,n≥6时为立体结构,n=6为结构转变点;平均结合能曲线随团簇尺寸增大逐渐平缓;能隙、结合能的二阶差分和电离势随团簇尺寸的变化趋势完全一致,均反映出In_4团簇的基态结构较为稳定,具有较强的非金属性.     

铟团簇结构和电子性质的密度泛函研究

用密度泛函方法研究了Inn(n=2-7)团簇的稳定结构和电子性质。结果表明：自旋多重度对结构的影响不大;对于基态结构,n≤5时为平面结构,n≥6时为立体结构,n=6为结构转变点;平均结合能曲线随团簇尺寸增大逐渐平缓;能隙、结合能的二阶差分和电离势随团簇尺寸的变化趋势完全一致,均反映出In4团簇的基态结构较为稳定,具有较强的非金属性。     

(CoMn)n(n=1~5)合金团簇的结构和磁性

采用密度泛函理论中的局域自旋密度近似和广义梯度近似对(CoMn)n(n=1～5)团簇的几何构型进行优化、能量、频率和磁性计算,确定了团簇的基态,对其基态的磁性和电子结构进行了系统研究,并与相对应的一元团簇进行了结构和磁性比较.研究表明,两种方法确定的基态构型基本一致,当n=1～4时,等比CoMn二元合金团簇的几何形状仍与一元团簇相同;(CoMn)3和(CoMn)4团簇出现了磁性双稳态,显示铁磁性和反铁磁性耦合;二元CoMn合金团簇中Co、Mn原子磁性仍能保持一元Co、Mn团簇基态的磁性.     

Eu_mSi_n(m=1～2,n=1～8)团簇结构和性质的密度泛函理论研究

在密度泛函理论的框架下,采用广义梯度近似（GGA）研究了Eu₂Si_n（n=1～7）团簇的基态几何结构,系统计算了平均结合能E_b、二阶能量差分△₂E、最高占据轨道（HOMO）与最低未占据轨道（LUMO）之间的能隙,并与已有的EuSi_n（n=2～8）团簇相关数据作对比分析.研究表明:单Eu原子比双Eu原子掺杂的Si团簇具有更高的稳定性,EuSi₃、EuSi₆、Eu₂Si₄团簇较相应邻近团簇结构稳定;Eu_mSi_n（m=1～2,n=l～8）团簇的能隙随着团簇总原子数的增加呈现振荡变化,态密度分析得到能隙振荡变化的原因是S原子的s轨道与Eu原子的p轨道发生了杂化.     

DFT study of CO adsorption on neutral and charged Pd<Subscript>n</Subscript>(n = 1–7) clusters

Density functional calculations have been performed to investigate CO adsorption on neutral, cationic and anionic Pd_n (n=1–7) clusters. From the results, it is observed that the binding of CO molecule to neutral and cationic palladium clusters takes place via 1-, 2- and 3-fold coordination. On the other hand, only terminal adsorption of CO molecule is possible in anionic clusters barring bridging adsorption in Pd₇ ^- cluster.