高Mach数格子Boltzmqnn模型的改进

对文献「７」所提出的高Ｍａｃｈ数格子Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ模型作了改进，克服了原模型拟结果与理论偏差较大、存在色散效应的缺陷，并进一步Ｍａｃｈ数提高到５以上，据我们所知，这是目前同类研究的最好结果。     

全光纤密集型波分复用器

分析了全光纤Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ结构的功率谱特性，并利用自行设计的耦合器拉锥设备，研制成功最小波长复用间隔为０．４５ｎｍ的密集型波分复用器。该类器件具有附加损耗低，偏振不灵敏和较好的温度及机械稳定性等特点。     

利用Fe：LiNbO3晶体的多波混频实时实现并行图象相减运算

我们在研究Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的多波混频基础上，把ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ光路和相位共轭反射镜结合起来，建立了一个并行实时图象相减和逻辑“异或”操作系统．这种光学运算系统有着不受Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ光路各臂长差和光路中介质扰动等影响的优点．这为光学信息处理提供了一条重要的实时途径．     

1．55μmInGaAsP及其相应量子阱结构的LP－MOCVD生长

本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓｐ体材料及ＩｎＧａＡＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓（ＴＭ６３）、三甲基铟（ＴＭｈ）和纯的砷烷（Ａ８Ｈ３）、磷烷（ＰＨ３）分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源，在非故意掺杂情况下，ＩｎＧａＡｓＰ材料的载流子浓度为３．６×１０１５ｃｍ－３；在液氦温度和室温下，与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ光致发光半峰宽分别为１９．２ｍｅＶ和６３ｍｅＶ；对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶Ｘ光衍射仪，低温光致发光和扫描电子显微镜分析，对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。     

Sagnac效应在光纤水听器中的应用

本文介绍了Ｓａｇｎａｃ效应组成的光纤水听器原理，着重推导了声压作用下的光纤水听器的相位变化关系，并在此基础上对比了Ｓａｇｎａｃ光纤水听器与Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ光纤水听器，结果表明Ｓａｇｎａｃ光纤水听器在低频段的灵敏度及其实现的简易性上具有很大优势。     

圆柱振荡绕流中涡旋运动模式（pattern）的数值模拟

提出并发展的一种基于区域分解思想，综合了解Ｎ－Ｓ方程的有限差分法及涡法各自优点的新数值方法，计算了各种Ｋｅｕｌｅｇａｎ－Ｃａｒｐｅｎｔｅｒ数下（Ｋｃ＝２～２４）振流绕圆柱的流动。系统地研究了振荡流中涡旋运动模式随Ｋｃ数变化的规律，模拟了不对称区，单对涡区（或模向区），双对涡区（或对角区）和三对涡区四种不同的涡旋运动模型将计算所的阻力系数Ｃｄ，惯性系数ＣＭ与国外近期发表的计算结果进行了比较。     

MOCVD法在金属基体上制备YBCO超导带

本报道了用ＭＯＣＶＤ静态和动态沉积两种工艺制备ＹＢＣＯ超导带的实验结果。以Ｙ（ＴＭＨＤ）３、Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２为挥发源，Ｏ２气为反应剂，高纯Ａｒ气为载流气体，在静止和以１０－１５ｃｍ／ｈ带速移动的金属银基体上，制出了有强烈ｃ－轴取向的ＹＢＣＯ超导带。静态沉积样品的Ｊｃ达到１．０４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，动态沉积样品的Ｊｃ达到１．４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７８Ｋ，０Ｔ）。对改…     

腔靶内超热电子的实验研究

介绍了利用１０道滤波荧光谱仪（简称Ｆ．Ｆ．谱仪）测量新型腔靶中超热电子产生的硬Ｘ光能谱，并结合ＧａＡｓ阵列探测器测量硬Ｘ光角分布，给出了腔外硬Ｘ光总能量，同时用Ｆ．Ｆ．谱仪测量结果与其同方位的ＧａＡｓ探测器测量结果比对，两者在误差范围内是一致的。在Ｆ．Ｆ谱仪和ＧａＡｓ探测器两者数据比较自洽的情况下，并与后向受激拉曼散射光特征量比较，得出了：（１）腔靶内超热电子不是各向同性均匀分布的，大部分超热电子沿着入射激光光轴方向运动；（２）腔内大部分超热电子与冷介质（腔壁）发生库仑作用产生硬Ｘ光。     

H^—5的正四面体中心和正方形中心构型能量的理论计算

文中用ＭＡＣＱＭ（ｍｏｄｉｆｉｅｄａｒａｎｇｅｍｅｎｔｃｈａｎｎｅｌｑｕａｎｔｕｍｍｅｃｈａｎｉｃｓ）方法计算了负离子团簇Ｈ－５的正四面体中心和正方形中心构型的能量随中心原子核到顶角原子核间距离Ｒ变化的曲线。计算得知，两种构型均在Ｒ＝１．５５ａ０时有能量极小值Ｅ正四面体中心＝－２．７８９９ａ．ｕ．，Ｅ正方形中心＝－２．７５３９ａ．ｕ．。说明Ｈ－５的这两种结构都可能存在，但正四面体中心结构较为稳定。     

1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长

本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。