甲基乙烯基硅酮在外场作用下的光激发特性研究

采用密度泛函B3P86和组态相互作用方法在6-311++G^**基组水平上计算了甲基乙烯基硅酮分子从基态到前10个激发态的跃迁波长，振子强度，自发辐射系数A_n0和吸收系数B_0n(n＝1—10).同时研究了外电场对甲基乙烯基硅酮分子激发态的影响规律.结果表明，随外电场强度增大，最高占据轨道与最低空轨道能隙变小，激发能随电场增加而急剧减小.因而表明在外电场作用下，分子易于激发和 关键词： 甲基乙烯基硅酮 激发态 外电场     

外电场作用下二氧化硅分子的光激发特性研究

采用密度泛函B3P86和组态相互作用方法在6-311G**基组水平上计算了二氧化硅分子从基态到前5个激发态的跃迁波长、振子强度、自发辐射系数A_n0和吸收系数B_0n（n=1—5）.研究了外电场对二氧化硅分子激发态的影响规律. 结果表明，随外电场强度增大，最高占据轨道与最低空轨道能隙变小，占据轨道的电子易于激发至空轨道. 因而在外场作用下分子易于激发. 关键词： 2')" href="#">SiO₂ 激发态 外电场     

外电场作用下N2O分子的结构与光谱特性

采用密度泛函B3LYP方法,在6-311+g(d)基组水平上研究了不同外电场对直线型分子N₂O的基态结构、偶极矩、轨道能级、红外和拉曼光谱特性的影响,并采用杂化CIS方法研究了N₂O分子在外电场作用下前9个激发态的激发特性.结果表明:外电场导致分子键长变化,但并没有改变分子的直线特征,偶极矩和分子总能量随外电场的增加先减小后增大,而能隙随外电场的增加先增大后减小,外电场的增加使LUMO(lowest unoccupied molecular orbital)组成由π~*轨道变为σ~*轨道,外电场使红外光谱发生移动,峰的强度增强或减弱.外电场的增加显著影响了N₂O分子的激发特性.激发能、激发波长受外电场影响发生了变化,同时,振子强度受外电场影响明显,禁阻跃迁变为可允许的跃迁,允许的跃迁在电场作用下变为禁阻跃迁或者跃迁变弱.紫外光谱在电场的作用下吸收峰发生了明显的移动,而且有新的吸收峰产生.     

外场作用下C12H4Cl4O2的分子结构和电子光谱研究

各种环境毒物危害着人类的生产生活，二噁英更是严重危害人类的健康.C₁₂H₄Cl₄O₂（2，3，7，8-tetrachlorodibenzo-p-dioxin，TCDD）是二噁英中毒性最强的化合物，也是目前已知毒性最强的污染物.为研究TCDD外场效应，采用密度泛函理论方法优化了不同静电场0–0.025 a.u.（0–1.2856×10¹⁰ V/m）作用下TCDD分子的基态几何结构，得到了分子总能量；在此基础上，采用含时密度泛函理论方法对TCDD分子的紫外-可见（UV-Vis）吸收光谱在不同外电场下的变化进行了研究.结果表明：分子几何构型与电场大小呈现强烈的依赖关系，分子总能量随着外电场的增强而减小；伴随着外电场的增强，分子激发态的摩尔吸收系数逐渐减小，UV-Vis吸收峰显著红移.     

外电场作用下黄曲霉素B1的分子结构和光谱

利用密度泛函（DFT）理论，在B3LYP/6-311G基组水平上研究外电场（0~0.015 a.u.）作用下黄曲霉素B₁（Aflatoxin B₁，AFB₁）分子的总能量、偶极矩、键长、HOMO-LUMO能隙、红外光谱.在优化构型的基础上，利用含时密度泛函（TDDFT）方法研究紫外可见吸收光谱和激发态的变化.结果表明：在CO键方向上加电场，外电场逐渐增大时，AFB₁分子的总能量逐渐增大，偶极矩逐渐减小.电场对不同的键长影响不同.能隙随外电场逐渐增大而减小，红外光谱吸收峰出现红移或蓝移，紫外可见吸收光谱的两个吸收峰发生不同的移动，但总的谱线集中在近紫外光区.分子各个激发态的激发能在外电场逐渐增大时逐渐减小，表明分子结构越来越不稳定.     

Ce3+离子激活的SrB4O7的VUV光谱

Ce³⁺只有一个4f电子,具有最简单的4f¹5d⁰基态结构,其激发光谱直接反映了5d轨道的能量状态。由于同一基质晶格相同格位上不同稀土离子受基质晶体场影响相近,所以根据Ce³⁺离子的光谱可以推测和分析其他稀土离子的5d轨道能量,是研究其他稀土离子f-d跃迁的基础。采用高温固相法合成了Ce³⁺离子激活的SrB₄O₇发光体,测定了样品在130~350nm波长范围的激发光谱和相应的发射光谱。指认了VUV激发光谱上Ce³⁺离子的5个4f¹→4f⁰5d¹跃迁激发带,讨论了SrB₄O₇的基质吸收带和Ce³⁺的5d轨道在SrB₄O₇中的晶体场劈裂、5d轨道能级重心及SrB₄O₇:Ce³⁺的发射光谱和Stokes位移。     

GeTe和GeSe 分子在外电场下的特性研究

对Ge原子采用6-311++G^**基函数,Te和Se原子采用SDB-cc-pVTZ基函数,利用密度泛函理论的局域自旋密度近似方法优化得到了GeTe和GeSe分子的稳定构型,并计算了外电场作用下GeTe和GeSe基态分子的平衡核间距、总能量、最高已占据分子轨道能量E_H、最低未占分子轨道能量E_L、能隙、谐振频率和红外谱强度. 在上述计算的基础上利用单激发组态相互作用-局域自旋密度近似方法研究了GeTe和GeSe分子在外电场下的激发特性. 结果表明:随着正向电场强度的增大,分子核间距逐渐增大,分子总能量逐渐降低,谐振频率逐渐减小,红外谱强度则逐渐增大. 在0-2.0569×10¹⁰ V·m^-1的电场范围内,GeTe分子的E_H 均高于GeSe分子的E_H;随着正向电场的增大,GeTe与GeSe的E_H差逐渐变大,GeTe的E_L低于GeSe的E_L,它们的E_L均随正向电场的增大而增大. 无外场时,GeTe分子的能隙比GeSe分子的能隙要小;在外电场反向增大的过程中, GeTe和GeSe的分子能隙始终减小. 外电场的大小和方向对GeTe和GeSe分子的激发能、振子强度及跃迁的波长均有较大影响. 关键词： GeTe GeSe 外电场 激发态     

YNbO4：Tm3+/Yb3+上转换发光特性研究

按照50Nb₂O₅-（46-x）Y₂O₃-4Yb₂O₃-xTm₂O₃（x=0.1，0.2，0.5，1，2）的配比方式，采用高温固相法制备出了掺杂Tm³⁺/Yb³⁺的YNbO₄晶体粉末。在980 nm红外光激发下，观测到波长为478，645，707 nm的上转换荧光，分别对应于Tm³⁺离子的¹G₄→³H₆、¹G₄→³F₄、³F₃→³H₆能级跃迁过程。利用上转换发射功率与980 nm激光器工作电流关系估算出跃迁过程吸收光子数目为2.72，2.69，2.01，从而确定出前两者为三光子吸收过程，最后一个对应于双光子吸收过程。运用Judd-Ofelt理论研究样品光谱特性，根据样品的吸收谱得到样品的谱线强度参数Ω_t（t=2，4，6），进而得出理论振子强度及实验振子强度，二者均方根偏差δ_rms=1.299×10^-7。计算了Tm³⁺离子向下能级跃迁的跃迁几率、跃迁分支比等参数。最后得出结论：（1）³F₄能级寿命较长，适合作为上转换中间能级；（2）³H₅能级寿命较长，且³H₅→³H₆跃迁分支比（96.46%）接近100%，可用于产生1 216 nm激光。     

Mn2+离子掺杂的NaTaOGeO4:Tb3+的发光性能

采用高温固相法制备了颜色可调的NaTaOGeO₄∶Tb³⁺，Mn²⁺荧光粉，并研究了其发光特性以及能量传递机理。在244 nm激发下，NaTaOGeO₄∶Tb³⁺的发射光谱的发射峰分别位于380，413，436，492，544 nm，分别属于Tb³⁺的⁵D₃→⁷F_J和⁵D₄→⁷F_J（J=6，5，4）能级跃迁，为蓝光和绿光发射。在280 nm波长激发下，在492 nm和544 nm处有较强的发射峰，分别属于Tb³⁺的⁵D₄→⁷F₆、⁵D₄→⁷F₅能级跃迁，为绿光发射。在248 nm波长激发下，NaTaOGeO₄∶Mn²⁺的发射光谱由位于576 nm处的宽带组成，属于Mn²⁺的⁴T₁→⁶A₁能级跃迁。当在NaTaOGeO₄∶Tb³⁺荧光粉中共掺杂Mn²⁺时，可以同时观察到Mn²⁺和Tb³⁺的发射峰，通过改变浓度掺杂比，可以得到颜色可调控的荧光粉。     

掺铒硅发光的晶场分裂

测量了掺铒硅的高分辨光致发光光谱，得到9条铒发光分裂谱线.利用群对称理论指出9条谱线来自Er³⁺中⁴I_13/2到⁴I_15/2光跃迁在T_d晶场下的分裂.Er³⁺的第一激发态⁴I_13/2最低能量的两个Stark能级为Γ₈，Γ₆(能量递增)，它们到基态⁴关键词：     

外电场作用下TiO光激发特性研究

利用密度泛函BLYP方法优化得到了TiO分子的稳定构型,并计算了TiO分子基态在外场作用下前线轨道变化情况,然后利用杂化组态相互作用CIS-DFT方法,比较了TiO分子在外电场下的激发特性.结果表明,在一定的电场范围内,随着电场的增大,α轨道的最高占据轨道与最低空轨道能隙逐渐变小,β轨道能隙逐渐变大,同时可跃迁的低激发态跃迁波长随电场的增大而变长,高激发态波长变化相对复杂,且基态跃迁至激发态的耦合强度随外电场的增大而加强.     

CH2Br2的同步辐射光电离研究:10—12eV范围内CH2Br2的振动自电离态

报道在超声射流冷却条件下用同步辐射ＶＵＶ光源研究ＣＨ₂Ｂｒ₂的振动自电离结构．根据测量的１０５—１２３ｎｍ范围内母体离子（ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺）的光电离产率曲线，获得ＣＨ₂Ｂｒ₂的绝热电离势为１０.２３±０.０１ｅＶ．ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺的最低三个电子激发态，即Ａ（²Ａ₂），Ｂ（²Ｂ₁），Ｃ（²Ａ₁）分别位于１０.７８±０.０１ｅＶ，１１.２０±０.０１ｅＶ和１１.２７±０.０１ｅＶ．在１１５.０１—１２１.１５ｎｍ范围内，观察到ＣＨ₂Ｂｒ₂自电离峰叠加在若干台阶结构上，台阶平均宽度为７１６.８±４０.０ｃｍ^-1，对应于ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺（Ｘ²Ｂ₂）中Ｂｒ-Ｃ-Ｂｒ反对称的伸缩振动（ｖ₉），所有的峰均归属为收敛于ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺（Ｘ²Ｂ₂，ｖ⁺）振动能级的ｎｓ，ｎｐ和ｎｄ自电离Ｒｙｄｂｅｒｇ态．此外，对ＣＨ₂Ｂｒ₂光解离电离产生离子型自由基ＣＨ₂Ｂｒ⁺（Ｘ）的光电离产率曲线的结构也进行了归属 关键词：     

外电场下二氧化锆的分子结构及其特性

对O原子采用6-311++G*基组,Zr原子采用aug-cc-pVTZ-PP基组,利用密度泛函(B3P86)方法优化得到了ZrO2分子的稳定构型,并研究了不同外电场(0—0.025 a.u.)作用下ZrO2基态分子键长、能量、电荷分布、偶极矩和能级的变化规律.在优化构型的基础上,利用含时密度泛函(TD-B3P86)方法研究了ZrO2分子在外电场作用下前6个激发态的激发能、跃迁波长和振子强度的激发特性.研究结果表明:随着电场强度的增大,Zr—2O的键长增大,而Zr—3O的键长均匀减少,总能量降低,偶极矩增大;最高占据轨道能量基本保持不变,最低未占据轨道和能隙均减小.电场的增大使得激发能减小,各个激发态跃迁波长均发生不同程度的红移现象,因而,利用外电场可以控制ZrO2的发光光谱范围在可见-红外区域扩展.     

外场下SnS分子结构及其特性

对S原子采用6-311++G**基组,Sn原子采用SDB-cc-pVTZ基组,利用密度泛函(B3P86)方法对SnS分子进行了基态结构优化,并研究了外场作用下SnS基态分子键长、能量、能级分布、电荷布居分布、谐振频率和红外谱强度的影响规律.然后利用含时密度泛函(TD-B3P86)方法研究了SnS分子在外场下的激发特性.结果表明,在所加的电场范围内(-0.04 a.u.-0.04 a.u.),随着正向电场的增大,分子键长和红外谱强度均是先减小后增大;总能E,SnS基态分子的最高已占据轨道能量EH和谐振频率均是先增大后减小;分子的最低未占空轨道能量EL和能隙Eg均随正向电场的增大而减小.随着正向电场的增大,SnS分子由基态至前9个单重激发态跃迁的波长增大,激发能则减小.     

Si2O2 molecule:structure of ground state and the excited properties under different external electric fields

Geometry and vibrational frequencies of the ground state of Si 2 O 2 molecule are studied using density function theory (DFT) at the level of cc-pvtz and 6-311++G.It is found that the optimizing value by B3lyp/cc-pvtz is closer to the experimental data.The excited properties under different external electric fields are also investigated by the time-dependent-DFT method.Transitions from the ground state of Si 2 O 2 molecule to the first singlet state under different external electric fields can take place more easily.The corresponding absorption spectral line is about 360 nm in wavelength and the excitation energy is about 3.4 eV.     

UH和UH2分子的结构与势能函数

用相对论有效原子实势(RECP)和密度泛函(B3LYP/SDD)方法研究了UH,UH₂基态和低激发态的结构和势能函数,导出了分子的光谱数据.结果表明,UH和UH₂的基电子状态分别为X⁴Π和X³A₂,离解能分别为2.886eV和5.249eV,UH₂具有C2v对称性,得到了UH和UH₂的几个不同的低激发态的结构与光谱数据.应用多体项展式理论以及数字拟合方法 关键词： UH 2')" href="#">UH₂ 势能函数 分子结构     

激光诱导NO2分子500—532nm区荧光激发谱的实验研究

用准分子激光抽运可调谐染料窄带激光测定了室温下NO₂分子500—532nm区高分辨荧光激发谱,在两个较强吸收区505—510nm和513—520nm范围内标识了25个振动带,并作了转动分析,得到了相应的带头位置、转动常数和旋-转偶合常数等分子光谱常数,在25个振动带中有5个谱带是新发现的,所有得到转动分析的谱线均属于平行跃迁X～ ² A₁—A～²Ｂ₂,对实验结果的分析表明电子激发态A～ 关键词： 激光诱导荧光激发谱 振动带 转动分析     

Theoretical study of molecular properties of low-lying electronic excited states of H2O and H2S

Geometries, excitation energies, dipole moments and dipole polarisability tensor components of the ground and four lowest excited states ³ B ₁, ¹ B ₁, ³ A ₂, ¹ A ₂ of the H₂O and H₂S molecules were calculated at the CASSCF, CASPT2, CCSD and CCSD(T) level of approximation. Vertical excitation and equilibrium transition energies of these states, having the Rydberg character, are reported too. Properties of both molecules in the ground and in low lying excited states are compared and discussed from the point of view of their molecular electronic structure. Upon excitation we observe dramatic changes of dipole moments and polarisabilities with respect to the ground state. We stress the change of the polarity of H₂O in all excited states accompanied by the enhancement of the dipole polarisability by an order of magnitude. Large, even if less pronounced, are changes of electric properties of H₂S in its excited states. Dipole moments and dipole polarisabilities of ³ B ₁, ¹ B ₁ states of H₂S and H₂O behave quite analogously in comparison to their respective ground state. The general pattern of properties for both molecules in their ³ A ₂ and ¹ A ₂ excited states is more different due to a pronounced participation of the sulphur d-orbitals in these states of the H₂S molecule.