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使用90%N2稀释的SiH4与O2作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR CVD)方法制备了非晶氮氧化硅薄膜(a-SiOxNy).红外吸收光谱的结果表明,a SiOxNy薄膜主要由Si O Si和Si N键的两相结构组成,在存在氧流量的情形下,薄膜主要成分是SiOx相,而在无氧流量的情形下,薄膜则主要是SiNx相.使用565eV的紫外光激发,发现SiOxNy薄膜出现了位于460nm的光致蓝光主峰,且其发光强度随着氧流量的降低而显著增强.根据缺陷态发光中心和SiNx蓝光发射能隙态模
关键词:
ECR CVD
红外吸收光谱
非晶氮化硅薄膜
光致发光 相似文献
5.
使用三氟甲烷和苯的混合气体,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0.11—0.62之间的α-C∶F薄膜.研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率,降低了薄膜的F/C比,也降低了薄膜中CF和CF3基团的密度,而使CF2基团的密度保持不变.在高微波功率下可以获得主要由CF2基团和C=C结构组成的α-C∶F薄膜.薄膜的介电频率关系(1×103—1×106Hz)和损耗频率关系(1×102—1×105Hz)均呈指数规律减小,是缺陷中心间简单隧穿引起的跳跃导电所致.α-C∶F薄膜的介电极化主要来源于电子极化
关键词:
氟化非晶碳薄膜
ECR等离子体沉积
键结构
介电性质 相似文献
6.
用紫外可见光透射光谱(UV-VIS)并结合键结构的X射线光电子能谱(XPS)和红外谱(FTIR)分析,研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备的氟化非晶碳薄膜的光吸收和光学带隙性质.在微波功率为140—700W、源气体CHF3∶C6H6比例为1∶1—10∶1条件下沉积的薄膜,光学带隙在1.76—2.85eV之间.薄膜中氟的引入对吸收边和光学带隙产生较大的影响,吸收边随氟含量的提高而增大,光学带隙则主要取决于CF键的含量,是由于强电负
关键词:
氟化非晶碳薄膜
光吸收与光学带隙
电子回旋共振等离子体 相似文献
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金刚石镶嵌非晶碳膜表面形貌对场致电子发射的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
用微波等离子体化学气相沉积设备,在经过不同研磨预处理的金属钼衬底上沉积出了表面形貌有较大差异的金刚石镶嵌非晶碳膜,分别用扫描电子显微镜(SEM)、金相显微镜和X射线衍射谱(XRD)以及Raman光谱对样品进行了分析测试.研究了各样品的场致电子发射特性,结果发现薄膜表面由大量镶嵌有金刚石小晶粒的非晶碳球组成,在我们的实验范围内,薄膜表面非晶碳球尺寸越小,场致电子发射效果越好 相似文献
8.
采用原子力显微镜(AFM)、俄歇电子能谱(AES)和显微压痕分析等手段对射频等离子体增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石(DLC:N)薄膜的微观结构和力学性能进行了研究.结果表明,随着含氮量的增加,DLC薄膜的AFM表面形貌中出现了几十纳米的颗粒,原子侧向力显微镜和AES分析表明这种纳米颗粒是x大于0.126的非晶氮化碳CNx结构.这种非晶DLC/CNx的纳米复合结构,减小了薄膜的内应力,从而提高了薄膜与衬底的附着力.
关键词:
类金刚石碳膜
微观结构
附着特性 相似文献
9.
采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWPECRCVD)方法,使用不同的源气体(CHF3CH4,CHF3C2H2,CHF3C6H6)体系制备了aC∶F∶H薄膜.由于CH4,C2H2,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H,而用C2H2CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高,其相应的CF振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,aC∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键
关键词:
氟化非晶碳膜
电子回旋共振化学气相沉积
红外吸收光谱 相似文献
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使用C2H2和CHF3的混合气体,在改变微波功率的条件下,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法制备了氟化非晶碳薄膜(aC∶F).薄膜的傅里叶变换红外光谱分析结果表明:薄膜中的CC与C—F键含量的比值随功率的增加而相应地增大;借助于紫外可见光谱分析发现,薄膜的光学带隙随功率的增大而减小.由此推断微波输入功率的提高有助于增强薄膜的交联结构.aC∶F薄膜的交流电导与x射线光电子能谱进一步证实了这种增强效应
关键词:
氟化非晶碳薄膜
傅里叶变换红外光谱
x射线光电子能谱 相似文献
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文中描述了利用束箔方法研究能量为110keV的Ni+离子与厚度为8.5μg/cm2的碳箔相互作用的激发光谱和能级寿命,以及实验测量结果的分析。 相似文献
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我们用爱氏光源(低电流交流电弧)作高速钢的光谱分析时,发现样品的组织结构对于分析结果有影响。为了对这个现象得到进一步的了解,我们选择了10种含碳量不同的铬钢进行热处理试验和光谱分析。一系列实验的结果指出,用小电流(5安)电弧光源时,铬的光谱分析结果由于试样是退火组织或淬火组织而有差别,这个差别又随着钢中含碳量的增加而增加。我们认为,这种影响是由于碳在试样中存在状态的不同所引起的。在低功率光源中,这种不同使合金元素被蒸发和被激发的情况有所差别,因而就影响了光谱分析的结果。这种影响由于合金元素之不同而有程度上的不同,对铬的影响很显著,对锰和矽的影响则很小。此外,所选择的分析线对是弧线还是火花线,对于这种组织结构的效应也有显著的影响。曾经进行了一些消除组织结构影响的实验。发现在应用低功率光源时,增加预燃时间并不能消除这个效应。用火花光源或大电流(8安)电弧光源时,这种影响大为减小。 相似文献
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《Composite Interfaces》2013,20(3-4):259-269
The dimensional changes of two-dimensional phenolic resin-based carbon/carbon composites during pyrolysis were investigated. The carbon/carbon composites were obtained by pyrolyzing the carbon fiber/phenolic resin composites that were fabricated using a vacuum bag hot pressing technique. Length, width and thickness of the rectangular composite samples were measured carefully before and after pyrolysis. The effects of heat treatment temperature and fiber pre-heat treatment on the dimensional changes of carbon/carbon composites were investigated. The measurement results indicated that different behavior in dimensional changes could be obtained for carbon/carbon composites with different fiber–matrix bonding in the interface. 相似文献
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本文是作者从马氏体回火第一阶段中的等温分解曲线来研究分解过程。这种等温曲线最初接近时间的一次方的指数关系,越后则越不到一次方关系的分解时率。作者认为这种曲线反映了分解过程瞬变的本质和晶格间隙中碳原子运动迟留的特徵。假定了间隙碳原子从任一种运动情态转变到另一种情态都有一定的几率以后,等温分解曲线可以被表示成为一系列的时间的指数函数的和。每一指数项中时间的系数和运动情态转变的几率有关。这种几率和碳原子的浓度及时间无关,它们是温度的函数且和晶体间架的性质有关。指数项的系数则和碳原子在各种运动情态中的分布有关。这样的方式可以把实验数据代表到如所需要的精确度,而凭着所得的系数可以对推测分解过程的机构有所帮助。 相似文献
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用XPS和AES电子能谱的方法对等离子体辅助分子束外延(MBE)生长的GaN薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现红外分子束外延(RFMBE)生长的富镓GaN薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为物理吸附,而O在GaN表面形成局域化学键产生氧络合物覆盖层,并形成一定的深度分布.杂质O在GaN带隙中导带底形成杂质带同时引入深受主能级,使得带隙变窄室温光吸收谱向低能方向移动,光致发光谱出现宽带发光峰.从而影响GaN薄膜的电学和光学性质
关键词:
GaN薄膜
X射线光电子能谱
俄歇电子能谱
表面分析 相似文献