电子动量谱学研究的新进展

简要地说明了电子动量谱学的特色、意义和发展情况．概要地描述了本实验室最近研制成功的一台第二代电子动量谱仪的结构和达到的性能指标，以及利用该谱仪所取得的一些物理和化学研究成果．扼要地说明电子动量谱学的发展趋势．     

电子能量损失谱学及其在材料科学中的应用

讨论了电子能量损失谱学及其在材料科学中的应用，主要内容包括：能量分析和选择系统，低能损失谱学，内层损失谱学，能量选择成像以及电子能量损失谱的精细结构的分析。     

二氧化碳分子3σu轨道的电子动量谱测量

自从70年代实现（e,2e）电子动量谱测量以来,电子动量谱学获得了巨大的发展,成为探测物质结构的强有力的手段[1]。它可以分辨壳层来获得原子分子价壳层轨道的动量空间的电子密度分布,尤其是对低动量端的电子分布非常敏感。二氧化碳分子是一种典型的线性分子,对其结构的深入研究,具有相当的应用价值,尤其在环境保护领域。以前,CO2分子的电子动量谱曾被测量过三次[2-4],但由于能量分辨或动量分辨较低,研究结果不能令人满意。因此,用电子动量谱学的实验手段,进一步研究CO2分子,是非常有意义的。……     

He原子电子动量谱学实验结果的理论分析

对作者所在实验室最近完成的Ｈｅ原子电子动量谱学实验结果进行了详细的理论分析。在平面波冲量近似和扭曲波冲量近似下，利用三类典型的Ｈｅ原子基态波函数，对Ｗｅｉｇｏｌｄ几何条件下的（ｅ，２ｅ）反应的三重微分截面进行了计算，并与实验结果作了详细的比较，结果表明Ｌ（１）电子动量谱学是直接获取电子波函数信息的有用方法；（２）平面波冲量近全民族 扭曲波冲量近似得到的电子动量谱形状的差别并不大。     

电子动量谱仪的研制和He原子的电子动量谱学实验

此文概要描述了国内首台电子动量谱仪的研制，以及利用这台谱仪对Ｈｅ原子进行电子动量谱学实验所得的结果。     

量子化学中的电子轨道成像术

文章通过两个具体的实例阐明一个重要的观点：以电子动量谱学实验提供的电子能谱和电子动量谱为依据，人们可以在众多的量子化学轨道理论中择优．在此理论基础上，利用现代计算机图像技术，人们既可以在位置坐标空间中，也可以在动量空间中以不同的图形将电子轨道展示出来，这就是新近人们称之为电子轨道成像技术或“看”电子轨道的技术．电子轨道成像术能积极地促进电子动量谱学与邻近各学科的交叉．     

电子动量谱学的应用前景

电子动量谱学就其基本概念、基本实验和理论方法而言,均起源于核物理。近年来,它在原子和分子物理中已经形成一个新的前沿课题,而且也开始向邻近学科(例如化学、表面物理等)渗透。总之,它正在兴起。本文简要介绍电子动量谱学的基本概念、基本实验和理论方法,现有的主要进展以及一些应用前景。     

N2价轨道的精细电子动量谱学研究

在高分辨率(ΔE=0.8 eV,Δp≈0.1a.u.)高效率的第三代电子动量谱仪上获得了N2价轨道的电离能谱和动量谱.通过对伴线结构的电子动量谱学(EMS)研究,得到了不同伴线结构的电子动量谱,另一方面也得到了伴线结构的强度.由伴线的电子动量分布形状判断出其跃迁的主要来源,并由实验测量的伴线结构强度确定了谱因子(极强度)的大小,通过对谱因子实验值与理论计算结果的比较检验了各种理论模型的精确度.     

He原子电离能谱和He的1s电子动量谱测量

介绍利用作者最近研制成功的先进的多功能（ｅ，２ｅ）电子动量谱仪实验装置测量得到的Ｈｅ原子电离能谱和Ｈｅ的１ｓ电子动量谱实验结果。     

N2价轨道的精细电子动量谱学研究

在高分辨率（ΔE=08?eV,Δp≈01a.u.）高效率的第三代电子动量谱仪上获得了N₂价轨道的电离能谱和动量谱.通过对伴线结构的电子动量谱学（EMS）研究,得到了不同伴线结构的电子动量谱,另一方面也得到了伴线结构的强度.由伴线的电子动量分布形状判断出其跃迁的主要来源,并由实验测量的伴线结构强度确定了谱因子（极强度）的大小,通过对谱因子实验值与理论计算结果的比较检验了各种理论模型的精确度. 关键词： 氮分子 价轨道 电子动量谱 电子关联效应     

微通道板表面发雾的AES分析

应用俄歇电子能谱对微通道板表面发雾区域进行分析。分析结果表明,发雾区碳含量比正常区高三倍。由此可推测出,发雾是由碳污染引起的,而这种碳污染很可能是残留于微通道板上的某些有机物在烧氢时碳化所致。     

微纳尺度俄歇电子能谱新技术开发及其应用进展

随着纳米结构材料的广泛应用,新型微纳尺度表征技术成为纳米科学技术发展的重要途径.本文基于局域电子信息全面性的思想,从俄歇电子能谱的原理出发,理论推导出俄歇价电子能谱的简明表述方式,确定俄歇价电子能谱与微观电子结构信息的内在联系和物理意义,建立了俄歇电子能谱探测微区一系列宏观参量的新技术.其中应力测最技术的空间分辨率可优于20 nm,为微纳尺度力学测量的发展提供了重要的方法;非接触性的局域电学性质测量技术,超越了传统电学测量方法的思想框架,实现了无外场驱动的电荷密度分布、电场分布等本征电学性质表征、以及半导体异质结构整个空间区域的能带构造;结构相的测定技术,使纳米微区材料的晶体结构相识别成为可能;半导体微区导电类型测定技术,建续了非接触性电学测量的优点,并且能够灵活地探测分析复杂光电器件结构中不同区域的导电类型分布.通过实际应用于侧向外延GaN不同区域、AlxGa1-xN/GaN超晶格量子阱结构、ZnO纳米颗粒等纳米尺度复杂体系的微区宏观性质探测,获得应力/应变、电荷密度/电场、结构相以及导电类型及其分布等结果,验证了所建立的测量技术的有效性和可靠性.     

连续波电子自旋共振的二维相关谱

在数学相关分析的基础上,建立了获得连续波电子自旋共振（continuous-wave electronspin resonance, CW-ESR）的二维相关谱的方法. 对光照产生的2-甲基-2-亚硝基-丙烷(2-methyl-2-nitrosopropane, MNP)的自捕捉自由基的一系列CW-ESR谱进行相关分析处理,首次得到了同步和异步的二维电子自旋共振（2D ESR）相关谱. 这种利用数学相关分析方法所得到的2D ESR相关谱将为扩大CW ESR的应用领域及获取更多的有用信息开拓新的途径.     

反光电发射谱技术及其应用

本文介绍了反光电发射谱技术的基本原理，实验设备和实验方法，并详细综述了这种技术在表面科学，磁性材料，强关联复杂系统和高分子聚合材料等方面最新的研究进展。     

关于干涉反演光谱技术能否扩大F-P干涉仪光谱范围的探讨

本文从物理学的角度提出了Fredholm第一类积分方程数值解的可靠性概念,证明了在被称为Fabry-Perot干涉反演光谱技术中,当△σ=2/x,△σ=2/σ时,若取样点数为一个适当的奇数,那么积分方程的数值解是稳定的.但是进一步的计算机模拟实验表明,该数值解不是原积分方程的可靠解,因此,干涉反演光谱技术不能扩大Fabry-Perot干涉仪的光谱范围.理论分析表明,在前述条件下,积分方程数值解不可靠的根本原因在于该积分方程本身没有唯一解.     

用可调探测深度电子能量损失谱与俄歇电子能谱研究Pb/Ni(001)界面

本工作用可调探测深度电子能量损失谱(ELS)与俄歇电子能谱(AES)研究Pb在Ni(001)表面的生长过程。发现Pb是一层一层地在表面生长的,即按Franck-van der Merwe(F-M)模式生长。当Pb的覆盖度大于1单层(ML)时,Pb的6s能带对应的电子能量损失峰开始出现,当Pb的覆盖度为3ML时,Pb的体等离激元的损失峰已相当明显。在Pb的蒸镀过程及随后的整个退火过程中,Pb的体等离激元峰,6s能带峰和Ni的3p能带峰的峰位与峰宽均保持与纯金属相同的值,也没有出现新的体等离激元峰。由此说明P     

红外光谱在土壤有机质研究中的应用

红外光谱法作为有机物结构研究的一种重要手段，已在土壤有机质研究中得到广泛应用，特别是近年来傅里叶变换红外光谱的引入以及与色谱的联用，更使这方面研究获得较大进展。本文就此进展作一概述。     

用可调探深的电子能量损失谱研究Sn/Si界面

用可调探测深度的电子能量损失谱辅以俄歇电子能谱和低能电子衍射,研究Sn/Si系统的界面反应。结果表明:当Sn蒸镀量大于两个原子单层,退火温度由400℃到700℃,在Sn/Si(111)界面Sn与Si发生互混,形成几个原子层厚的Sn/Si互混层,该互混层的特征体峰在15.5eV。在相同温度范围退火,Sn/Si(001)界面无可察觉的互混,仍有Sn岛存在,长时间在550℃退火低能电子衍射图形上出现(113)小晶面的衍射斑。 关键词：