钙负离子是稳定的

元素周期表中大约80%的元素可以在气相中形成稳定的负离子.对于外壳层只有一个电子的碱金属,外电子可与元素的外层单电子配对,形成弱稳定的负离子;对于卤族元素,原子外壳层只差一个电子就形成满壳层状态,因此很容易形成稳定的负离子,其中氟元素(原子序数最小)形成的负离子最稳定.一个中性的原子自然不会对外电子有任何净的库仑力,但是当外电子部分地进入原子的电子云时,电子云对带正电荷的原子核不能完全屏蔽,同时电子云的分布在一定程度上被极化, 这些均使外电子受到吸引作用.显然这种吸引力随距离的增加很快衰减.对于惰性气体元素,外壳层…     

过渡元素的磁性

一、引言在周期表中第一个过渡元素系有钪钛 釩 鉻 錳 鉄鈷镍 Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni这几个元素。每一周期的第一个元素的电子开始填充新的电子壳层,第四周期的第一个元素鉀有一个电子填充第四个电子壳层,第二个电子填充第四个电子壳层。輸到了Sc,所增的一个电子是在3d层而不是在外壳层。除了铬都有两个     

用屏蔽法计算较轻元素原子的高次电离能

考虑到离子的相对论效应,依据屏蔽方法,给出了原子第2、1壳层电子电离能的一种表达式.依据较轻元素原子低次(小于13)电离能实验数据,总结出原子(离子)电离第2、1壳层不同电子态电子时,相应的屏蔽系数与电子态及原子序数的函数关系,根据该函数关系,可求出相应原子的高次电离电子的屏蔽系数.计算了原子序数13至23的元素高电荷态离子基态电离能,计算结果与文献可提供的实验数据相符合.     

铈原子基态的理论研究

在有心力场近似和组态相互作用理论框架下,通过对电子波函数、各壳 层上电子的束缚能、半径、总束缚能的分析和计算,研究了Ce原子的可能的基组态及其基态 时的原子态。研究结果表明：基组态为4f5d,基态原子态为1G4。     

原子替位掺杂对单层Janus WSeTe电子结构的影响

基于第一性原理计算系统地研究了氮族、卤族和3d过渡金属元素(Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co)替位掺杂对单层Janus过渡金属硫族化合物WSeTe电子结构的影响.通过对能带结构、电荷转移以及磁性的分析,发现氮(卤)族原子替位掺杂单层WSeTe会发生本征半导体-p (n)型半导体的转变, Ti, V原子替位掺杂单层WSeTe会发生半导体-金属的转变.由于电荷转移以及氮族原子掺杂时价带顶的能带杂化现象,卤族和氮族非金属元素掺杂时价带顶G点附近的Rashba自旋劈裂强度在同一主族随着掺杂原子原子序数的增大而增大. 3d过渡金属元素掺杂会产生能谷极化和磁性,其中Cr, Mn原子替位掺杂会产生高于100 meV的能谷极化,并且Cr,Mn, Fe元素掺杂在禁带中引入了电子自旋完全极化的杂质能级.研究结果对系统地理解单层WSeTe掺杂模型的性质具有重要意义,可以为基于单层WSeTe的电子器件设计提供理论参考.     

关于洪德定则的一些讨论

每种原子包含有一定数量的电子.在原子中,这些电子按照电子壳层的次序由内向外填充,最外层的壳层一般是不填满的(除了情性气体元素外).因为这些外壳层的电子对于原子的化学性质有重要的影响而被称为价电子,除了氢和I族元素外,大部分原子的外壳层一般有几个电子.由于多个电子的存在,这些电子就构成了一定的电子组态,使得总的原子状态具有复杂的性质.首先,因为价电子可以经跃迁处于不同的壳层,所以全部价电子可以处于同一壳层,也可以因跃迁处于不的壳层,这就构成了各种不同的电子组态,如两个(uP)价电子可以处于(uP)‘电子组态,也可以处于对*…     

变价稀土元素L,M,N内壳层电子束缚能量的变化

变价稀土元素的4f电子占有数可以随不同的温度、压力或者组成(为化合物时)而作“连续”或不连续的变化,对于不同的4f电子占有数,其内壳层电子的束缚能量也将有所不同,本文应用相对论性原子自洽场理论计算由“变价”而引起的束缚能移动。 关键词：     

原子的壳层填充次序与电离次序

关于过渡族元素壳层填充和电离次序,现行的某些原子物理书籍介绍得不够准确。本文在回顾轨道贯穿的物理实质之后,作简要讨论。 核外电子空间几率分布是电子真实运动的反映。有时也可以从某一方面来研究它的分布规律,如讨论它的径向几率分布。轨道贯穿效应实质是 S、P、d、f态电子径向几率分布不同而引起的能量效应。图1是氢原子的3d态与4.s态径向分布。其特点是每个曲线有(n-l)个峰,4s态有四个峰,3d态有一个峰。可以藉此图对多电子原子的贯穿效应给以形象说明。值得注意的是,多电子原子中各态电子由于几率分布的特点,电子间既有屏蔽共它电…     

镧系氮化物压致结构相变的第一性原理计算

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,得到了常压下镧系氮化物的晶格常数,以及在压力作用下镧系氮化物从NaCl型结构(B1)到CsCl型结构(B2)转变的压力。并把考虑电子自旋极化与不考虑电子自旋极化作用的计算结果进行了对比,分析了4f电子对镧系氮化物这些强关联体系的压致结构转变压力的影响。结果显示:5个镧系元素的氮化物(GdN、TbN、DyN、HoN和ErN)从B1相到B2相转变的压力与电子自旋极化作用关系很大,而其它镧系氮化物的相变压力与电子自旋极化作用的关系很小。     

外延石墨烯电导率和费米速度随温度变化规律研究

考虑到原子的非简谐振动和电子-声子相互作用,建立了金属基外延石墨烯的物理模型,用固体物理理论和方法,得到金属基外延石墨烯的电导率和费米速度随温度变化的解析式.以碱金属基底为例,探讨了基底材料和非简谐振动对外延石墨烯电导率和费米速度的影响.结果表明:1)零温情况下,碱金属基外延石墨烯的电导率和费米速度均随基底元素原子序数的增大而增大;2)外延石墨烯的电导率随温度升高而减小,其中,温度较低时时变化较快,而温度较高时则变化很慢,费米速度随温度升高而增大,其变化率随基底材料原子序数的增大而增大;3)原子非简谐振动对外延石墨烯的电导率和费米速度有重要的影响,简谐近似下,费米速度为常数,电导率的温度变化率较大;考虑到原子非简谐项后,费米速度随温度升高而增大,电导率的温度变化率减小;温度愈高,原子振动的非简谐效应愈明显.