Ni52Mn24Ga24单晶中取向内应力的热动力学计算

测量了Ni₅₂Mn₂₄Ga₂₄单晶样品在磁场加载和未加载情 况下马氏体相变时的相变应变.分析结果表明：用提拉法生长单晶时在晶体内部引入了单一取向的内应力，该取向内应力可诱导马氏体变体择优取向，从而导致马氏体相变时产生大的相变应变.从理论上计算了该内应力的大小.另外，对样品在马氏体态单纯磁诱导应变的热动力学研究，表明取向内应力在马氏体态依然存在. 关键词： 马氏体相变 磁感生应变 内应力     

单晶Ni52Mn24Ga24中马氏体变体择优取向的物理表征

利用各种实验手段对M52Mn24Ga24单晶中马氏体变体的择优取向进行了表征.针对金相观察、磁场干预的相变应变、磁感生应变等实验结果,分析了马氏体相变过程变体自发择优取向和磁诱导择优取向的机理.根据不同方向磁场干预相变应变的结果,计算了Ni52Mn24Ga24单晶中等效取向内应力的大小约为2.45 MPa.从变体择优取向造成的有效弹性和磁畴分布两个方面,对单晶样品在[001]和[010]两个等价的晶体学方向上磁感生应变特性的差别,包括最大应变值、饱和场、滞后效应和起始磁场数值的参数,进行了分析和讨论.     

内应力对铁磁性形状记忆合金Ni-Mn-Ga马氏体相变路径的影响

在单晶样品Ni52Mn245Ga235中观察到了单纯由温度诱发的完全的热弹性中间马氏体相变,测定了母相和中间马氏体相的晶体结构和晶格参数.通过对研磨成不同晶粒度大小的单晶样品的研究,发现晶粒度小于50μm时,由于机械研磨引入的内应力可以使中间马氏体相变消失.但这种引入的内应力并不引起马氏体相变温度的明显改变.计算了不同晶粒度大小的样品由于机械研磨引起的微观应变和引入的微观内应力.分析指出,马氏体相变路径的选取与机械研磨引入的内应力大小密切相关. 关键词： Ni52Mn245Ga235 中间马氏体相变     

单晶Ni2MnGa中取向内应力对变体分布规律的研究

对单晶Ni2MnGa的马氏体相微观结构进行了分析，发现可能是由于在单晶生长过程中在生长方向存在取向的内应力，导致该单晶样品发生马氏体相变时马氏体变体会沿生长方向择优排列.通过对单晶磁化曲线的测量，讨论了变体的择优排列对磁畴分布的影响. 关键词： 马氏体相变 Ni2MnGa     

铁磁形状记忆合金Ni52.2Mn23.8Ga24的马氏体相变及其物理表征

对Ni52.2Mn23.8Ga24的单晶样品在马氏体相变过程中的相变潜热、磁性、电阻以及应变等物理序参量进行了测量.测量结果表明:不同的物理机制表征的相变温度有所不同.利用马氏体相变的GT关系予以分析,解释了不同测量方法获得的相变温度差别的原因.研究指出,Heusler合金Ni2MnGa的相变是分布晶格畸变类型,磁结构的变化发生在第二步晶格的非均匀切变,但相变应变与GT模型有区别. 关键词： 马氏体相变 Ni52.2Mn23.8Ga24     

N i50.5Mn24Ga25.5取向晶体相变应变性能的研究

采用区熔法制备了Ni505_50.5Mn24₂₄Ga255_25.5取向晶体，在底部、中部和顶部各切取一块样品进行相变应变测试.在中部样品中获得了高达14%的相变应变，应变随加热冷却循环次数的增加而逐步降低，第9次和第10次相变时应变为08%.在底部和顶部样品中，降温过程的应变随温度的变化呈现先收缩后膨胀或先膨胀后收缩的现象，我们认为这是由于样品中高度择优取向的马氏体变体竞争的结果所致. 关键词： NiMnGa 取向晶体 相变应变     

哈斯勒合金Ni-Mn-Ga的马氏体相变和磁增强双向形状记忆效应

通过研究铁磁性金属间化合物Ni_2+xMn_1-xGa(x=-0.1,0,0.08,0.13,0.18,0.2)和Ni_2-xMn_1+x/2Ga_1+x/2(x=-0.1,0,0.04,0.06,0.1)两个系列多晶样品的交流磁化率随温度的变化行为,得到了化合物在不同组分下的马氏体相变温度TM和居里温度T_C.发现随着Ni成分的增加,前者的马氏体相变温度T_m增加,而居里温度T_C降低,后者的马氏体相变温度T_m和居里温度T_C均是先增大后减小.报道了T_m在室温附近的单晶样品Ni₅₂Mn₂₄Ga₂₄的磁场增强双向形状记忆效应.发现伴随着马氏体相变,样品在[001]方向可产生1.2%的收缩.如果在该方向施加1.2T的偏磁场可以使该应变值增大到4.0%.而垂直于[001]方向施加1.2T的偏磁场时,在[001]方向产生1.6%的膨胀.阐明了产生大应变的原因并非相界移动,而是单晶的杂散内应力小和外加磁场通过孪晶界移动使马氏体变体重组的共同结果. 关键词： 形状记忆效应 马氏体相变 2MnGa')" href="#">Ni₂MnGa     

郝斯勒合金Ni-Mn-Ga中间马氏体相变研究

在马氏体相变温度(M_s)接近室温的Ni₅₂Mn₂₄Ga₂₄单晶中观察到了单纯由温度诱发的完整的热弹性中间马氏体相变.发现由于机械研磨过程中引入的内应力所导致的晶格畸变可以抑制中间马氏体相变.另外,通过对同样组分的退火和未退火的多晶样品的研究,发现中间马氏体相变与晶体的内部应力密切相关 关键词： 中间马氏体相变 2MnGa')" href="#">Ni₂MnGa     

掺Mn对NiFeGa磁性形状记忆材料单晶特性的影响

在单晶Ni₅₄Fe₁₉Ga₂₇中掺入少量Mn，对增强磁交换相互作用，提高居里温度和稳定了B2相并增强晶格的刚度，起到了非常明显的作用.Mn的存在使样品中取向内应力得以保持，提高了变体择优取向的水平，大大提高了单晶的相变应变和磁场增强作用.发现内应力对超弹性性质的影响也很明显. 关键词： 磁性形状记忆合金 NiFeGa 单晶 超弹性     

热磁预处理对Ni-Mn-Ga单晶磁学和力学性能的影响

研究了预先热磁处理对Ni_503Mn_287Ga₂₁单晶的磁学和力学性能的影响.首先将样品加热到居里温度之上让其冷却，冷却方式分为两种：一种是施加一定大小的磁场从高于居里温度冷却至室温，另一种是在样品经历顺磁-铁磁相变后但还未发生奥氏体-马氏体相变前施加相同大小和方向的磁场并冷却至室温.室温时的拉伸-压缩实验结果表明单晶样品在经历前一种处理后，其可逆应变、磁化强度的变化 （ΔM）比后一种处理的相应值要小很多.在后一种热磁处理的样品中，顺磁-铁磁相变发生后形成了自发磁畴，但这种磁畴不具有择优取向.在顺磁-铁磁相变结束后施加磁场，容易导致择优的马氏体准单畴出现，从而表现出大的可逆应变和ΔM.但对于前者，我们认为样品从居里温度降到室温过程中，其中的磁畴在相同的磁场作用下获得择优生长，形成大磁畴，导致磁诱导的强各向异性.这种择优取向的大磁畴在随后马氏体相变期间影响着马氏体的自发排列方式，不利于马氏体准单畴的出现，结果导致较小的可逆应变和ΔM. 关键词： 磁和力学锻炼 Ni-Mn-Ga单晶 铁磁和马氏体相变     

Statistical analysis of24Mg+24Mg elastic and inelastic scattering

The data on the excitation functions of²⁴Mg+²⁴Mg elastic and inelastic (²⁴Mg +²⁴Mg^*(2⁺),²⁴Mg^*(2⁺)+²⁴Mg^*(2⁺),²⁴Mg+²⁴Mg^*(4⁺),²⁴Mg^*(4⁺)+²⁴Mg^*(2⁺),²⁴Mg+²⁴Mg^*(6⁺)) scattering fromE _c.m=42 to 56 MeV have been subjected to a statistical analysis consisting of calculations of deviation function, cross-correlation function, cross-channel correlation coefficients, coherence widths, and the distribution of cross sections. On the basis of the analysis resonant structures atE _c.m=45.70, 46.65, 47.35 and 47.75 MeV have been confirmed. Two new resonant structures atE _c.m=44.55 and 50.50 MeV have been identified.     

Polarisations-Korrelations-Messungen am Na24

An arrangement for the measurement of angular correlations betweenβ-particles and circular polarizedγ-radiation is described and a result on Na²⁴ is given. A correlation coefficientA=(+ 0,12± 0,03) was obtained, which indicates a ratio of Gamow-Teller to Fermi matrix elementM _G /M _F > 10.     

单晶Ni52Mn24Ga24中马氏体变体择优取向的物理表征

关键词：     

N24B24分子结的电子传输

利用GW近似和非平衡格林函数结合的方法 研究了耦合到两个金属触点的N₂₄B₂₄分子的电子传输性. 计算结果表明,在单个和多个原子触点的态密度曲线上分别出现四个和三个谐振隧峰. 在I-V特性曲线上出现断路状态和微分负阻效应. 对于一、四、六、八原子的触点在电压分别在 ∓4.5、∓4、∓4.6、∓4.3 V表现出微分负阻效应行为. I-V特性在以低电压断开状态,呈独立的触点类型. I-V曲线取决于触点类型,并且表明N₂₄B₂₄分子呈现半导体的特性.     

New region of deformation in the neutron-rich 60 24Cr36 and 62 24Cr38

The neutron-rich nuclei ₂₃ ^60-63V have been produced at GANIL via interactions of a 61.8A·MeV ⁷⁶Ge beam with a ⁵⁸Ni target. Beta-decay to ₂₄ ^60-63Cr has been investigated using combined β- and γ-ray spectroscopy. Half-lives of the ^60-63V nuclei have been determined, and the existence of a beta-decay isomer in the ⁶⁰V nucleus is strongly supported. The observation of low-energy 2⁺ states in ⁶⁰Cr (646keV) and ⁶²Cr (446keV) suggests that these isotopes are strongly deformed with β₂ ∼ 0.3. This is confirmed by shell model calculations which show the dominant influence of the intruder g and d orbitals to obtain low 2⁺ energies in the neutron-rich Cr isotopes. Received: 13 June 2002 / Accepted: 27 August 2002 / Published online: 17 January 2003 RID="a" ID="a"e-mail: sorlin@ipno.in2p3.fr Communicated by D. Guerreau