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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 187 毫秒

1.  溶胶-凝胶法制备Li-N双掺p型ZnO薄膜的结构、光学和电学性能  被引次数:1
   王德义  高书霞  李刚  赵鸣《物理学报》,2010年第59卷第5期
   采用溶胶-凝胶法在n型Si(100)衬底上沉积Li-N双掺杂ZnO薄膜,经X射线衍射和扫描电镜图片分析,所制备薄膜具有多晶纤锌矿结构和高的c轴择优取向.室温下霍尔效应测试结果显示Li-N双掺杂ZnO薄膜具有p型导电特性.在Li掺杂量为15.0at%,Li/N(摩尔比)为1∶1,700℃退火等优化条件下得到的最佳电学性能结果是:电阻率为0.34 Ω·cm,霍尔迁移率为16.43 cm2/V·s,载流子浓度为2.79×1019 cm-3    

2.  不同Yb掺杂量的Yb:Y3Al5O12晶体的光谱分析  
   王晓丹  赵志伟  徐晓东  宋平新  姜本学  徐 军  邓佩珍《物理学报》,2006年第55卷第8期
   采用提拉法生长了Yb3+掺杂量分别为5.4at%, 16.3at%, 27.1at%, 53.6at%和100at%的Yb:Y3Al5O12晶体.系统地表征和分析了Yb3+掺杂量对晶体吸收光谱和荧光光谱的影响.随着Yb3+掺杂量的增加,各峰值吸收系数呈线性增加的趋势.应用Smakula公式计算了各吸收峰对应的振荡强度,并分析了Yb3+掺杂量对振荡强度的影    

3.  Zn1-xMgxO薄膜p型导电和光学性能  被引次数:9
   张霞  李效民  陈同来  于伟东  高相东  张灿云  赵俊亮《发光学报》,2006年第27卷第4期
   采用超声喷雾热分解(U ltrason ic Spray Pyrolysis,USP)方法,以醋酸锌、醋酸镁、醋酸铵、氯化铝的混合水溶液为前驱溶液,在单晶S i(100)衬底上制备了ZnO,Zn0.81Mg0.19O,N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜。以X射线衍射(XRD)、场发射-扫描电镜(FE-SEM)、霍尔效应(Hall-effect)、光致发光(Photolum inescence,PL)谱等手段研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性能、光学性能和带隙变化。电学测试结果表明,未掺杂ZnO及Zn0.81Mg0.19O薄膜为n型导电;而N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜呈p型导电。Zn0.81Mg0.19O和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O(p型)薄膜在维持ZnO纤锌矿结构的前提下,光学带隙随Mg掺杂量增加而增大。初步结果显示,优化工艺参数下通过Mg掺杂制备光学带隙可调的p型Zn0.81Mg0.19O薄膜,对于试制Zn1-xMgxO基同质p-n结、短波长(紫外、深紫外)器件等方面有重要意义。    

4.  焙烧温度和掺杂浓度对Ca1-xSmxWO4发光性能的影响  
   吴锦绣  李梅  柳召刚  胡艳宏  王觅堂《无机化学学报》,2016年第32卷第1期
   采用水热法制备了不同Sm3+掺杂量和不同焙烧温度的CaWO4:Sm3+系列荧光粉。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM and EDS)、荧光分光光度计(FL)、傅里叶变换红外光谱仪(FIIR)和HORIBA Fluoromax-4仪等手段对样品的组成、结构、形貌、发光性质和量子效率进行分析和表征。分析结果表明:所得产物都为白钨矿结构。在405 nm近紫外光激发下,产物的发射光谱都有3个主发射峰组成,分别位于566、606和650 nm处,归属于Sm3+4G5/26HJ/2(J=5,7,9)跃迁。随着Sm3+的物质的量分数的增加,样品发光强度先增强后减弱,当Sm3+的物质的量分数为1%时发光强度达到最高。对实验数据进行分析确定了钐离子间的能量传递类型为离子交换作用;并计算了能量传递的临界距离为2.46 nm。    

5.  衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响  
   陈新亮  薛俊明  张德坤  孙建  任慧志  赵颖  耿新华《物理学报》,2007年第56卷第3期
   研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响. XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175℃,低于175℃,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围,薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织;随着温度增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96 cm2/V·s的高迁移率和3.28×10-2 Ω·cm的低电阻率,对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极.    

6.  ZnMO(M=Cd,Mg)纳米管发光性能的第一性原理研究  
   雷哲锋  王发展  王欣  陈霞  王博《人工晶体学报》,2012年第41卷第1期
   采用热蒸发法制备得到掺Cd量为3.3at%的ZnO纳米管,室温光致发光谱(PL)显示,由于Cd的掺入,ZnCdO纳米管的紫外近带边发射(UV NBE)从纯ZnO的3.26 eV红移到3.20 eV附近。应用基于密度泛函理论研究锯齿型(9,0)ZnMO(M=Cd,Mg)单壁纳米管的电子结构。分析发现Cd掺杂纳米管与薄膜相似,能隙随掺杂量增加逐渐减小,出现红移;而Mg掺杂纳米管则不同,能带变化没有规律性。    

7.  掺杂和取代对红色荧光材料SrAl12O19:Mn4+发光性能的影响  
   辛小东  魏恒伟  赵文慧  刘中仕  李文先  焦桓  荆西平《无机化学学报》,2016年第32卷第7期
   SrAl12O19:Mn4+是一种用于高显色性白光发光二极管的候选红色荧光材料。本论文研究了Mg2+、Zn2+和Ge4+离子的掺杂效应以及Ga3+、Ca2+和Ba2+离子的取代效应对SrAl12O19:Mn4+荧光材料性能的影响。样品通过高温固相反应制备,焙烧温度在1 250~1 500 ℃之间。利用X射线衍射技术表征了材料的相纯度,用荧光激发光谱和发射光谱表征了材料的荧光性能。研究结果指出,与未进行Mg2+或Zn2+掺杂的样品相比,Mg2+或Zn2+离子对Al3+格位的掺杂可以使材料的发光强度提高~60%,其原因被认为是掺杂促进了激活剂Mn4+离子进入晶格,其过程可以表示为:MO+MnO2⇔;MAl''+MAl·+3OO×(M=Mg,Zn),电子顺磁共振谱支持这一结果。Ge4+离子的掺杂使材料的发光性能明显下降。Ga3+离子可以取代Al3+离子形成全范围的固溶体,其中少量Ga3+离子的掺杂可以使材料的荧光发射强度提高~13%,而掺杂量进一步提高使材料的荧光性能下降。Ca2+和Ba2+对Sr2+的取代仅形成有限范围的固溶体。Ca2+的取代使材料的发光性能提高;而 Ba2+的取代使材料的发光强度下降。    

8.  橙红色荧光粉Ca1-x-ySmxBiySiO3的制备及其发光性能  
   吴锦绣  李梅  柳召刚  胡艳宏  王觅堂《无机化学学报》,2013年第29卷第18期
   以Sm3+作为激活剂,Bi3+作为辅助激活剂,采用水热法合成Ca1-x-ySmxBiySiO3前驱体,然后在1 100 ℃焙烧得到系列橙红色荧光粉.用X-射线衍射仪、扫描电镜和荧光分光光度计和傅里叶变换红外光谱等手段对样品的组成、结构和形貌及其发光性质进行分析和表征.分析结果表明:产物都为三斜晶系结构的Ca1-x-ySmxBiySiO3和四方结构的方石英SiO2共熔体.在405 nm近紫外光激发下,产物的发射光谱由3个峰组成,发射峰值位于566、606和650 nm处,分别归属于Sm3+4G5/26HJ/2(J=5,7,9)跃迁.产物的激发光谱在405 nm有很强的发射带,与近紫外LED芯片匹配.随着Sm3+掺量的增加,样品发光强度先增强后减弱,当Sm3+的物质的量分数为3%时发光强度达到最大,浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用.当Bi3+的物质的量分数在0.3%~1.5%时,对产物Ca0.97Sm0.03SiO3的荧光强度起敏化作用.Sm3+和Bi3+的最佳物质的量分数分别为3%和0.5%.    

9.  氮离子轰击能量对ta-C:N薄膜结构的影响  
   韩亮  邵鸿翔  何亮  陈仙  赵玉清《物理学报》,2012年第61卷第10期
   利用磁过滤真空阴极电弧技术制备了sp3键含量不小于80%的四面体非晶碳薄膜(ta-C), 然后通过氮离子束改性技术制备了氮掺杂的四面体非晶碳(ta-C:N)薄膜. 利用Raman光谱和X射线光电子能谱对薄膜结构的分析,研究了氮离子轰击能量对ta-C:N薄膜结构的影响. 氮离子对ta-C薄膜的轰击,形成了氮掺杂的ta-C:N薄膜. 氮离子轰击诱导了薄膜中sp3键向sp2键转化, 以及CN键的形成.在ta-C:N薄膜中,氮掺杂的深度和浓度随着氮离子能量的增大而增大. ta-C:N薄膜中sp2键的含量和sp2键团簇的尺寸随着氮离子轰击能量的增大而增加; 在ta-C:N薄膜中, CN键主要由C-N键和C=N键构成, C-N 键的含量随着氮离子轰击能量的增大而减小,但是C=N 键含量随着氮离子轰击能量的增大而增大.在ta-C:N薄膜中不含有C≡N键结构.    

10.  Ce3+掺杂La2O317O固体核磁共振研究  
   赵理  丁维平  彭路明《无机化学学报》,2013年第29卷第18期
   本文用水热共沉淀法制备Ce3+掺杂La2O3的前驱体,随后在H2/N2气氛下用高温煅烧法合成了不同Ce3+浓度的掺杂La2O3。由于Ce3+的掺杂,17O固体核磁共振谱图中在698、650和558处出现了新的共振峰;随着Ce3+掺杂浓度的增加,这些峰的强度也随之增强。根据谱峰位置和强度,对谱图进行了归属:698、650处的共振峰应源自与Ce3+相连的四配位O(OCeLa3),558处的信号则来自于与Ce3+相连的六配位O(OCeLa5)。通过17O固体核磁共振能够直接观测与Ce3+直接相连的O显示该方法将可能用于研究稀土掺杂氧化物功能材料。    

11.  Ce3+掺杂La2O317O固体核磁共振研究  
   赵理  丁维平  彭路明《无机化学学报》,2013年第29卷第12期
   本文用水热共沉淀法制备Ce3+掺杂La2O3的前驱体,随后在H2/N2气氛下用高温煅烧法合成了不同Ce3+浓度的掺杂La2O3。由于Ce3+的掺杂,17O固体核磁共振谱图中在698、650和558处出现了新的共振峰;随着Ce3+掺杂浓度的增加,这些峰的强度也随之增强。根据谱峰位置和强度,对谱图进行了归属:698、650处的共振峰应源自与Ce3+相连的四配位O(OCeLa3),558处的信号则来自于与Ce3+相连的六配位O(OCeLa5)。通过17O固体核磁共振能够直接观测与Ce3+直接相连的O显示该方法将可能用于研究稀土掺杂氧化物功能材料。    

12.  CaWO4:xEu3+,ySm3+,zLi+红色荧光粉的制备及光学性能  
   王林香《无机化学学报》,2017年第33卷第10期
   采用微波固相法制备了CaWO4xEu3+ySm3+zLi+红色荧光粉。测量样品的XRD图、激发谱、发射谱及发光衰减曲线,研究并分析了Eu3+、Sm3+、Li+的掺杂浓度,对样品微结构、光致发光特性、能量传递及能级寿命的影响。结果表明,Eu3+、Sm3+、Li+掺杂并未引起合成粉体改变晶相,仍为CaWO4单一四方晶系结构。Eu3+、Sm3+共掺样品中,Sm3+掺杂为3%时,Sm3+对Eu3+的能量传递最有效。Li+掺杂起到了助熔剂和敏化剂的作用,使样品发光更强。在394 nm激发下,与CaWO4:3% Eu3+样品比较,3% Eu3+、3% Sm3+共掺CaWO4及3% Eu3+、3% Sm3+、1% Li+共掺CaWO4样品的发光分别增强2倍及2.4倍。同一激发波长下,单掺Eu3+样品寿命最短,Sm3+、Eu3+共掺样品随Sm3+浓度增加,寿命先减小后增加,且掺杂了Li+的样品比不掺Li+的样品5D0能级寿命有所增加。    

13.  Nd3+掺杂的氧化镧钇透明激光陶瓷的光谱性能研究  
   丁 君  杨秋红  唐在峰  徐 军  苏良碧《物理学报》,2006年第55卷第12期
   采用传统无压烧结工艺制备了Nd3+掺杂的Y2-2xLa2xO3(x=0.08)透明陶瓷并对其光谱性能进行了研究. 结果表明:Nd3+:Y1.84La0.16O3透明陶瓷在780—850 nm的波长范围内有较宽的吸收带. 当Nd3+掺杂量为1.5at%时,在820 nm和激光二极管抽运的808 nm处的吸收截面分别为σabs(820 nm)=1.81×10-20 cm2σabs(808 nm)=1.54×10-20 cm2. 最强的发射峰位于1078 nm处,并具有荧光寿命长、发射带宽宽、量子效率高等特点. 加入La2O3后,基质的光谱品质参数XNd由1.6减小到0.46,因此和4F3/24I11/2跃迁相对应的荧光分支比βJ,11/2增大为56.82%. Nd3+:Y1.84La0.16O3透明陶瓷的这些性质有利于高效率的激光输出和超短锁模激光脉冲的实现.    

14.  Ag改性纳米ZnO薄膜及光催化活性  
   韩 婧  施利毅  成荣明  陈奕卫  董鹏飞  邵启伟《无机化学学报》,2008年第24卷第6期
   采用溶胶-凝胶法和光还原沉积贵金属法结合制备出Ag改性的纳米ZnO薄膜。利用FESEM、XPS、ESR、UV-Vis分析了纳米Ag-ZnO薄膜的表面形貌、表面组成和光谱特征。FESEM分析表明银在纳米ZnO薄膜表面形成原子簇而没有形成均匀覆盖层。XPS分析表明负载在纳米ZnO薄膜表面的银以Ag0形式存在; 相对于纳米ZnO薄膜, 纳米Ag-ZnO薄膜中晶格氧的含量有所下降,而表面羟基氧和吸附氧的含量显著增加。纳米Ag-ZnO薄膜的ESR峰强比纳米ZnO薄膜大,表明纳米Ag-ZnO薄膜中束缚单电子的氧空位的浓度高于纳米ZnO薄膜。UV-Vis分析纳米Ag-ZnO薄膜的紫外可见吸收光谱可能是纳米银粒子与纳米ZnO薄膜共同作用的结果。以甲基橙为模拟污染物,考察了纳米Ag-ZnO薄膜的光催化活性以及银沉积量对催化剂活性的影响。光催化降解结果表明,银的沉积量为0.018 2 mg·cm-2的纳米Ag-ZnO薄膜的光催化活性最高,在紫外光照射3 h后甲基橙降解率约为78%,而纳米ZnO薄膜约为62%。    

15.  金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究  
   邢海英  范广涵  杨学林  张国义《物理学报》,2010年第59卷第1期
   研究由MOCVD 技术制备的 GaMnN 外延薄膜光吸收谱.实验发现Mn掺杂后较未掺杂GaN吸收系数在近紫外区增加,在吸收谱低能区144 eV附近观察到吸收峰,吸收系数随Mn浓度的增加而增大.实验结果与基于密度泛函理论的第一性原理计算结果一致,结合理论计算分析认为144 eV附近的吸收峰源于Mn3+离子e态与t2态间的带内跃迁5T25E.    

16.  Sb,Bi,Zr,Si元素微量掺杂对荧光粉YAG∶Ce发光性能的影响  
   孙夏微  谭劲  李聪明  雷婷  孟小康  鄢维  张玮  冯珊《无机化学学报》,2013年第29卷第18期
   采用高温固相法分别合成了Sb3+,Bi3+,Zr4+,Si4+共掺杂的YAG:Ce黄色荧光粉。研究了YAG:Ce黄色荧光粉的发光强度随元素种类以及微量掺杂浓度的变化情况及相关机理。结果显示,随着元素Sb3+,Bi3+,Zr4+,Si4+掺杂浓度的增加,发射峰强度均表现出先增大后减小的趋势。Sb3+,Bi3+与Ce3+之间存在多极子相互作用的共振传递及晶格修复作用,当Sb3+,Bi3+掺杂浓度分别为0.5和0.1 mmol时发射峰强度达到最大值,分别提高了35.5%和44.8%。在YAG:Ce中由于Zr4+,Si4+的电荷补偿作用,促进Ce4+→Ce3+的转化,从而提高了YAG:Ce的发光强度。Zr4+,Si4+掺杂浓度分别在0.3和7 mmol时达到最大值,分别提高了27.4%和31.2%。由荧光粉颗粒形貌可知,Sb3+,Bi3+,Zr4+,Si4+元素的微量掺杂能促使晶粒长大,并且近似球型,导致发光强度有明显的提高。    

17.  白光LED用Sr0.955Al2Si2-xTixO8:Eu2+荧光粉的晶体结构和光谱特性  
   王飞  田一光  张乔《无机化学学报》,2013年第29卷第18期
   由高温固相反应制得Sr0.955Al2Si2-xTixO8:Eu2+x=0~1.0)系列试样,研究了Ti4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ti4+以类质同相替代Si4+进入晶体晶格中,形成了连续固溶体,其晶胞参数a,b,c,β和晶胞体积V随Ti4+置换量呈线性递增。Ti4+置换Si4+对晶胞参数c的影响显著,b其次,a最小。荧光激发谱为宽带,位于230~400nm,由267nm、305nm、350nm和375nm 4个峰拟合成,表观峰值位于351nm;随着Ti4+置换量的增加,半高宽(FWHM)从105nm减小到93nm。发射光谱位于380~600nm,表观峰值位于407nm,可由406nm和441nm两峰拟合而成并且随Ti4+置换量增加线性红移,Ti4+进入晶格对长波长发射中心影响较少;Ti4+置换量为1.0时,表观发射峰位从407nm红移至417nm;利用试样荧光光谱和VanUitert经验公式,得出SrAl2Si2O8:Eu2+中Sr2+的配位数为9。随着Ti4+置换量Si4+进入基质晶格,造成Eu-O距离变小,使得Eu2+所处的晶体场强度增强,发光中心Eu2+的5d能级分裂增大,造成Eu2+最低发射能级重心下移,两拟合谱峰峰位均呈线性红移。    

18.  试验优化设计Er3+-Yb3+共掺杂Gd2Ti2O7上转换发光特性  
   吴金磊  孙佳石  曹保胜  李树伟  李香萍  张金苏  程丽红  陈宝玖《无机化学学报》,2016年第32卷第9期
   采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备了Er3+-Yb3+共掺杂Gd2Ti2O7纳米晶粉末,通过试验优化设计的理论建立了Er3+-Yb3+掺杂浓度与发光强度的回归方程,利用遗传算法优化计算出方程的最优解Er3+、Yb3+掺杂浓度分别为5.60%(物质的量分数)和13.43%。Er3+-Yb3+共掺杂Gd2Ti2O7纳米晶粉末为单一面心立方Gd2Ti2O7相结构,随Yb3+共掺杂浓度增加,X射线衍射峰逐渐向高角偏移。在976 nm激光激发下,Er3+-Yb3+共掺杂Gd2Ti2O7获得了分别对应于Er3+2H11/2/4S3/24I15/24F9/24I15/2跃迁的绿色和红色上转换发光,且绿色和红色发光均为双光子吸收过程。研究了最优样品上转换发光与温度之间的关系,发现绿色上转换发光具有优良的温度传感特性,对红色上转换发光的温度猝灭进行了解释。    

19.  α-C∶H膜化学结构对光学性能的影响  
   刘兴华  吴卫东  何智兵  张宝玲  王红斌  蔡从中《强激光与粒子束》,2009年第21卷第3期
    选用体积分数为99.999 9%的H2及反式-2-丁烯(T2B)为工作气体,利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了α-C∶H薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线光电子能谱对薄膜化学键和电子结构进行分析,并结合高斯分峰拟合分析了薄膜中sp3/sp2杂化键比值和sp3C杂化键分数。结果表明:薄膜中氢含量较高,主要以sp3C—H形式存在;工作气压越高,制备的薄膜中C=C键含量越少,薄膜中sp3/sp2杂化键比值和sp3C杂化键分数增加,薄膜稳定性提高。应用UV-VIS光谱仪,获得了波长在400~1 000 nm范围内薄膜的光吸收特性,结果显示: α-C∶H薄膜透过率可达98%。光学常数公式计算得到工作压强为4~14 Pa时光学带隙在2.66~2.76之间,并均随着工作气压的升高而增大。结果表明,随工作气压的升高,薄膜内sp3键减小,从而促使透过率、光学带隙增大。    

20.  α-C∶H膜化学结构对光学性能的影响  
   刘兴华  吴卫东  何智兵  张宝玲  王红斌  蔡从中《强激光与粒子束》,2009年第21卷第3期
    选用体积分数为99.999 9%的H2及反式-2-丁烯(T2B)为工作气体,利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了α-C∶H薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线光电子能谱对薄膜化学键和电子结构进行分析,并结合高斯分峰拟合分析了薄膜中sp3/sp2杂化键比值和sp3C杂化键分数。结果表明:薄膜中氢含量较高,主要以sp3C—H形式存在;工作气压越高,制备的薄膜中C=C键含量越少,薄膜中sp3/sp2杂化键比值和sp3C杂化键分数增加,薄膜稳定性提高。应用UV-VIS光谱仪,获得了波长在400~1 000 nm范围内薄膜的光吸收特性,结果显示: α-C∶H薄膜透过率可达98%。光学常数公式计算得到工作压强为4~14 Pa时光学带隙在2.66~2.76之间,并均随着工作气压的升高而增大。结果表明,随工作气压的升高,薄膜内sp3键减小,从而促使透过率、光学带隙增大。    

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