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共有20条相似文献，以下是第1-20项搜索用时 187 毫秒

1.	溶胶-凝胶法制备Li-N双掺p型ZnO薄膜的结构、光学和电学性能被引次数：1

	王德义高书霞李刚赵鸣《物理学报》,2010年第59卷第5期
	采用溶胶-凝胶法在n型Si(100)衬底上沉积Li-N双掺杂ZnO薄膜，经X射线衍射和扫描电镜图片分析，所制备薄膜具有多晶纤锌矿结构和高的c轴择优取向.室温下霍尔效应测试结果显示Li-N双掺杂ZnO薄膜具有p型导电特性.在Li掺杂量为15.0at%，Li/N（摩尔比）为1∶1，700℃退火等优化条件下得到的最佳电学性能结果是：电阻率为0.34 Ω·cm，霍尔迁移率为16.43 cm²/V·s，载流子浓度为2.79×10¹⁹ cm^-3
2.	不同Yb掺杂量的Yb:Y₃Al₅O₁₂晶体的光谱分析

	王晓丹赵志伟徐晓东宋平新姜本学徐军邓佩珍《物理学报》,2006年第55卷第8期
	采用提拉法生长了Yb³⁺掺杂量分别为5.4at%, 16.3at%, 27.1at%, 53.6at%和100at%的Yb:Y₃Al₅O₁₂晶体.系统地表征和分析了Yb³⁺掺杂量对晶体吸收光谱和荧光光谱的影响.随着Yb³⁺掺杂量的增加，各峰值吸收系数呈线性增加的趋势.应用Smakula公式计算了各吸收峰对应的振荡强度，并分析了Yb³⁺掺杂量对振荡强度的影
3.	Zn1-xMgxO薄膜p型导电和光学性能被引次数：9

	张霞李效民陈同来于伟东高相东张灿云赵俊亮《发光学报》,2006年第27卷第4期
	采用超声喷雾热分解(U ltrason ic Spray Pyrolysis,USP)方法,以醋酸锌、醋酸镁、醋酸铵、氯化铝的混合水溶液为前驱溶液,在单晶S i(100)衬底上制备了ZnO,Zn0.81Mg0.19O,N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜。以X射线衍射(XRD)、场发射-扫描电镜(FE-SEM)、霍尔效应(Hall-effect)、光致发光(Photolum inescence,PL)谱等手段研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性能、光学性能和带隙变化。电学测试结果表明,未掺杂ZnO及Zn0.81Mg0.19O薄膜为n型导电;而N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜呈p型导电。Zn0.81Mg0.19O和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O(p型)薄膜在维持ZnO纤锌矿结构的前提下,光学带隙随Mg掺杂量增加而增大。初步结果显示,优化工艺参数下通过Mg掺杂制备光学带隙可调的p型Zn0.81Mg0.19O薄膜,对于试制Zn1-xMgxO基同质p-n结、短波长(紫外、深紫外)器件等方面有重要意义。
4.	焙烧温度和掺杂浓度对Ca_1-xSm_xWO₄发光性能的影响

	吴锦绣李梅柳召刚胡艳宏王觅堂《无机化学学报》,2016年第32卷第1期
	采用水热法制备了不同Sm³⁺掺杂量和不同焙烧温度的CaWO₄：Sm³⁺系列荧光粉。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM and EDS)、荧光分光光度计(FL)、傅里叶变换红外光谱仪(FIIR)和HORIBA Fluoromax-4仪等手段对样品的组成、结构、形貌、发光性质和量子效率进行分析和表征。分析结果表明：所得产物都为白钨矿结构。在405 nm近紫外光激发下,产物的发射光谱都有3个主发射峰组成,分别位于566、606和650 nm处,归属于Sm³⁺的⁴G_5/2→⁶H_J/2(J=5,7,9)跃迁。随着Sm³⁺的物质的量分数的增加,样品发光强度先增强后减弱,当Sm³⁺的物质的量分数为1%时发光强度达到最高。对实验数据进行分析确定了钐离子间的能量传递类型为离子交换作用;并计算了能量传递的临界距离为2.46 nm。
5.	衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

	陈新亮薛俊明张德坤孙建任慧志赵颖耿新华《物理学报》,2007年第56卷第3期
	研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响. XRD和SEM的研究结果表明，衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响，明显的形貌转变温度大约发生在175℃，低于175℃，薄膜呈镜面结构，晶粒为球状，高于177℃的较高温度范围，薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织；随着温度增加，薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96 cm²/V·s的高迁移率和3.28×10^-2 Ω·cm的低电阻率，对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极.
6.	ZnMO(M=Cd,Mg)纳米管发光性能的第一性原理研究

	雷哲锋王发展王欣陈霞王博《人工晶体学报》,2012年第41卷第1期
	采用热蒸发法制备得到掺Cd量为3.3at%的ZnO纳米管,室温光致发光谱(PL)显示,由于Cd的掺入,ZnCdO纳米管的紫外近带边发射(UV NBE)从纯ZnO的3.26 eV红移到3.20 eV附近。应用基于密度泛函理论研究锯齿型(9,0)ZnMO(M=Cd,Mg)单壁纳米管的电子结构。分析发现Cd掺杂纳米管与薄膜相似,能隙随掺杂量增加逐渐减小,出现红移;而Mg掺杂纳米管则不同,能带变化没有规律性。
7.	掺杂和取代对红色荧光材料SrAl₁₂O₁₉:Mn⁴⁺发光性能的影响

	辛小东魏恒伟赵文慧刘中仕李文先焦桓荆西平《无机化学学报》,2016年第32卷第7期
	SrAl₁₂O₁₉：Mn⁴⁺是一种用于高显色性白光发光二极管的候选红色荧光材料。本论文研究了Mg²⁺、Zn²⁺和Ge⁴⁺离子的掺杂效应以及Ga³⁺、Ca²⁺和Ba²⁺离子的取代效应对SrAl₁₂O₁₉：Mn⁴⁺荧光材料性能的影响。样品通过高温固相反应制备，焙烧温度在1 250~1 500 ℃之间。利用X射线衍射技术表征了材料的相纯度，用荧光激发光谱和发射光谱表征了材料的荧光性能。研究结果指出，与未进行Mg²⁺或Zn²⁺掺杂的样品相比，Mg²⁺或Zn²⁺离子对Al³⁺格位的掺杂可以使材料的发光强度提高~60%，其原因被认为是掺杂促进了激活剂Mn⁴⁺离子进入晶格，其过程可以表示为：MO+MnO₂⇔；M_Al^''+M_Al^·+3O_O^×（M=Mg，Zn），电子顺磁共振谱支持这一结果。Ge⁴⁺离子的掺杂使材料的发光性能明显下降。Ga³⁺离子可以取代Al³⁺离子形成全范围的固溶体，其中少量Ga³⁺离子的掺杂可以使材料的荧光发射强度提高~13%，而掺杂量进一步提高使材料的荧光性能下降。Ca²⁺和Ba²⁺对Sr²⁺的取代仅形成有限范围的固溶体。Ca²⁺的取代使材料的发光性能提高；而 Ba²⁺的取代使材料的发光强度下降。
8.	橙红色荧光粉Ca_1-x-ySm_xBi_ySiO₃的制备及其发光性能

	吴锦绣李梅柳召刚胡艳宏王觅堂《无机化学学报》,2013年第29卷第18期
	以Sm³⁺作为激活剂,Bi³⁺作为辅助激活剂,采用水热法合成Ca_1-x-ySm_xBi_ySiO₃前驱体,然后在1 100 ℃焙烧得到系列橙红色荧光粉.用X-射线衍射仪、扫描电镜和荧光分光光度计和傅里叶变换红外光谱等手段对样品的组成、结构和形貌及其发光性质进行分析和表征.分析结果表明：产物都为三斜晶系结构的Ca_1-x-ySm_xBi_ySiO₃和四方结构的方石英SiO₂共熔体.在405 nm近紫外光激发下,产物的发射光谱由3个峰组成,发射峰值位于566、606和650 nm处,分别归属于Sm³⁺的⁴G_5/2→⁶H_J/2(J=5,7,9)跃迁.产物的激发光谱在405 nm有很强的发射带,与近紫外LED芯片匹配.随着Sm³⁺掺量的增加,样品发光强度先增强后减弱,当Sm³⁺的物质的量分数为3%时发光强度达到最大,浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用.当Bi³⁺的物质的量分数在0.3%~1.5%时,对产物Ca_0.97Sm_0.03SiO₃的荧光强度起敏化作用.Sm³⁺和Bi³⁺的最佳物质的量分数分别为3%和0.5%.
9.	氮离子轰击能量对ta-C:N薄膜结构的影响

	韩亮邵鸿翔何亮陈仙赵玉清《物理学报》,2012年第61卷第10期
	利用磁过滤真空阴极电弧技术制备了sp³键含量不小于80%的四面体非晶碳薄膜(ta-C), 然后通过氮离子束改性技术制备了氮掺杂的四面体非晶碳(ta-C:N)薄膜. 利用Raman光谱和X射线光电子能谱对薄膜结构的分析,研究了氮离子轰击能量对ta-C:N薄膜结构的影响. 氮离子对ta-C薄膜的轰击,形成了氮掺杂的ta-C:N薄膜. 氮离子轰击诱导了薄膜中sp³键向sp²键转化, 以及CN键的形成.在ta-C:N薄膜中,氮掺杂的深度和浓度随着氮离子能量的增大而增大. ta-C:N薄膜中sp²键的含量和sp²键团簇的尺寸随着氮离子轰击能量的增大而增加; 在ta-C:N薄膜中, CN键主要由C-N键和C＝N键构成, C-N 键的含量随着氮离子轰击能量的增大而减小,但是C＝N 键含量随着氮离子轰击能量的增大而增大.在ta-C:N薄膜中不含有C≡N键结构.
10.	Ce³⁺掺杂La₂O₃的¹⁷O固体核磁共振研究

	赵理丁维平彭路明《无机化学学报》,2013年第29卷第18期
	本文用水热共沉淀法制备Ce³⁺掺杂La₂O₃的前驱体,随后在H₂/N₂气氛下用高温煅烧法合成了不同Ce³⁺浓度的掺杂La₂O₃。由于Ce³⁺的掺杂,¹⁷O固体核磁共振谱图中在698、650和558处出现了新的共振峰;随着Ce³⁺掺杂浓度的增加,这些峰的强度也随之增强。根据谱峰位置和强度,对谱图进行了归属:698、650处的共振峰应源自与Ce³⁺相连的四配位O(OCeLa₃),558处的信号则来自于与Ce³⁺相连的六配位O(OCeLa₅)。通过¹⁷O固体核磁共振能够直接观测与Ce³⁺直接相连的O显示该方法将可能用于研究稀土掺杂氧化物功能材料。
11.	Ce³⁺掺杂La₂O₃的¹⁷O固体核磁共振研究

	赵理丁维平彭路明《无机化学学报》,2013年第29卷第12期
	本文用水热共沉淀法制备Ce³⁺掺杂La₂O₃的前驱体，随后在H₂/N₂气氛下用高温煅烧法合成了不同Ce³⁺浓度的掺杂La₂O₃。由于Ce³⁺的掺杂，¹⁷O固体核磁共振谱图中在698、650和558处出现了新的共振峰；随着Ce³⁺掺杂浓度的增加，这些峰的强度也随之增强。根据谱峰位置和强度，对谱图进行了归属：698、650处的共振峰应源自与Ce³⁺相连的四配位O(OCeLa₃)，558处的信号则来自于与Ce³⁺相连的六配位O(OCeLa₅)。通过¹⁷O固体核磁共振能够直接观测与Ce³⁺直接相连的O显示该方法将可能用于研究稀土掺杂氧化物功能材料。
12.	CaWO₄:xEu³⁺,ySm³⁺,zLi⁺红色荧光粉的制备及光学性能

	王林香《无机化学学报》,2017年第33卷第10期
	采用微波固相法制备了CaWO₄：xEu³⁺，ySm³⁺，zLi⁺红色荧光粉。测量样品的XRD图、激发谱、发射谱及发光衰减曲线，研究并分析了Eu³⁺、Sm³⁺、Li⁺的掺杂浓度，对样品微结构、光致发光特性、能量传递及能级寿命的影响。结果表明，Eu³⁺、Sm³⁺、Li⁺掺杂并未引起合成粉体改变晶相，仍为CaWO₄单一四方晶系结构。Eu³⁺、Sm³⁺共掺样品中，Sm³⁺掺杂为3%时，Sm³⁺对Eu³⁺的能量传递最有效。Li⁺掺杂起到了助熔剂和敏化剂的作用，使样品发光更强。在394 nm激发下，与CaWO₄：3% Eu³⁺样品比较，3% Eu³⁺、3% Sm³⁺共掺CaWO₄及3% Eu³⁺、3% Sm³⁺、1% Li⁺共掺CaWO₄样品的发光分别增强2倍及2.4倍。同一激发波长下，单掺Eu³⁺样品寿命最短，Sm³⁺、Eu³⁺共掺样品随Sm³⁺浓度增加，寿命先减小后增加，且掺杂了Li⁺的样品比不掺Li⁺的样品⁵D₀能级寿命有所增加。
13.	Nd³⁺掺杂的氧化镧钇透明激光陶瓷的光谱性能研究

	丁君杨秋红唐在峰徐军苏良碧《物理学报》,2006年第55卷第12期
	采用传统无压烧结工艺制备了Nd³⁺掺杂的Y_2-2xLa_2xO₃(x=0.08)透明陶瓷并对其光谱性能进行了研究. 结果表明：Nd³⁺:Y_1.84La_0.16O₃透明陶瓷在780—850 nm的波长范围内有较宽的吸收带. 当Nd³⁺掺杂量为1.5at%时，在820 nm和激光二极管抽运的808 nm处的吸收截面分别为σ_abs(820 nm)=1.81×10^-20 cm²，σ_abs(808 nm)=1.54×10^-20 cm². 最强的发射峰位于1078 nm处，并具有荧光寿命长、发射带宽宽、量子效率高等特点. 加入La₂O₃后，基质的光谱品质参数X_Nd由1.6减小到0.46，因此和⁴F_3/2—⁴I_11/2跃迁相对应的荧光分支比β_J,11/2增大为56.82%. Nd³⁺:Y_1.84La_0.16O₃透明陶瓷的这些性质有利于高效率的激光输出和超短锁模激光脉冲的实现.
14.	Ag改性纳米ZnO薄膜及光催化活性

	韩婧施利毅成荣明陈奕卫董鹏飞邵启伟《无机化学学报》,2008年第24卷第6期
	采用溶胶-凝胶法和光还原沉积贵金属法结合制备出Ag改性的纳米ZnO薄膜。利用FESEM、XPS、ESR、UV-Vis分析了纳米Ag-ZnO薄膜的表面形貌、表面组成和光谱特征。FESEM分析表明银在纳米ZnO薄膜表面形成原子簇而没有形成均匀覆盖层。XPS分析表明负载在纳米ZnO薄膜表面的银以Ag⁰形式存在；相对于纳米ZnO薄膜，纳米Ag-ZnO薄膜中晶格氧的含量有所下降，而表面羟基氧和吸附氧的含量显著增加。纳米Ag-ZnO薄膜的ESR峰强比纳米ZnO薄膜大，表明纳米Ag-ZnO薄膜中束缚单电子的氧空位的浓度高于纳米ZnO薄膜。UV-Vis分析纳米Ag-ZnO薄膜的紫外可见吸收光谱可能是纳米银粒子与纳米ZnO薄膜共同作用的结果。以甲基橙为模拟污染物，考察了纳米Ag-ZnO薄膜的光催化活性以及银沉积量对催化剂活性的影响。光催化降解结果表明，银的沉积量为0.018 2 mg·cm^-2的纳米Ag-ZnO薄膜的光催化活性最高，在紫外光照射3 h后甲基橙降解率约为78%，而纳米ZnO薄膜约为62%。
15.	金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究

	邢海英范广涵杨学林张国义《物理学报》,2010年第59卷第1期
	研究由MOCVD 技术制备的 GaMnN 外延薄膜光吸收谱.实验发现Mn掺杂后较未掺杂GaN吸收系数在近紫外区增加，在吸收谱低能区144 eV附近观察到吸收峰，吸收系数随Mn浓度的增加而增大.实验结果与基于密度泛函理论的第一性原理计算结果一致，结合理论计算分析认为144 eV附近的吸收峰源于Mn³⁺离子e态与t₂态间的带内跃迁⁵T₂→⁵E.
16.	Sb,Bi,Zr,Si元素微量掺杂对荧光粉YAG∶Ce发光性能的影响

	孙夏微谭劲李聪明雷婷孟小康鄢维张玮冯珊《无机化学学报》,2013年第29卷第18期
	采用高温固相法分别合成了Sb³⁺,Bi³⁺,Zr⁴⁺,Si⁴⁺共掺杂的YAG:Ce黄色荧光粉。研究了YAG:Ce黄色荧光粉的发光强度随元素种类以及微量掺杂浓度的变化情况及相关机理。结果显示,随着元素Sb³⁺,Bi³⁺,Zr⁴⁺,Si⁴⁺掺杂浓度的增加,发射峰强度均表现出先增大后减小的趋势。Sb³⁺,Bi³⁺与Ce³⁺之间存在多极子相互作用的共振传递及晶格修复作用,当Sb³⁺,Bi³⁺掺杂浓度分别为0.5和0.1 mmol时发射峰强度达到最大值,分别提高了35.5%和44.8%。在YAG:Ce中由于Zr⁴⁺,Si⁴⁺的电荷补偿作用,促进Ce⁴⁺→Ce³⁺的转化,从而提高了YAG:Ce的发光强度。Zr⁴⁺,Si⁴⁺掺杂浓度分别在0.3和7 mmol时达到最大值,分别提高了27.4%和31.2%。由荧光粉颗粒形貌可知,Sb³⁺,Bi³⁺,Zr⁴⁺,Si⁴⁺元素的微量掺杂能促使晶粒长大,并且近似球型,导致发光强度有明显的提高。
17.	白光LED用Sr_0.955Al₂Si_2-xTi_xO₈：Eu²⁺荧光粉的晶体结构和光谱特性

	王飞田一光张乔《无机化学学报》,2013年第29卷第18期
	由高温固相反应制得Sr_0.955Al₂Si_2-xTi_xO₈：Eu²⁺（x=0~1.0）系列试样，研究了Ti⁴⁺置换Si⁴⁺对其晶体结构和光谱特性的影响。Ti⁴⁺以类质同相替代Si⁴⁺进入晶体晶格中，形成了连续固溶体，其晶胞参数a，b，c，β和晶胞体积V随Ti⁴⁺置换量呈线性递增。Ti⁴⁺置换Si⁴⁺对晶胞参数c的影响显著，b其次，a最小。荧光激发谱为宽带，位于230~400nm，由267nm、305nm、350nm和375nm 4个峰拟合成，表观峰值位于351nm；随着Ti⁴⁺置换量的增加，半高宽（FWHM）从105nm减小到93nm。发射光谱位于380~600nm，表观峰值位于407nm，可由406nm和441nm两峰拟合而成并且随Ti⁴⁺置换量增加线性红移，Ti⁴⁺进入晶格对长波长发射中心影响较少；Ti⁴⁺置换量为1.0时，表观发射峰位从407nm红移至417nm；利用试样荧光光谱和VanUitert经验公式，得出SrAl₂Si₂O₈：Eu²⁺中Sr²⁺的配位数为9。随着Ti⁴⁺置换量Si⁴⁺进入基质晶格，造成Eu-O距离变小，使得Eu²⁺所处的晶体场强度增强，发光中心Eu²⁺的5d能级分裂增大，造成Eu²⁺最低发射能级重心下移，两拟合谱峰峰位均呈线性红移。
18.	试验优化设计Er³⁺-Yb³⁺共掺杂Gd₂Ti₂O₇上转换发光特性

	吴金磊孙佳石曹保胜李树伟李香萍张金苏程丽红陈宝玖《无机化学学报》,2016年第32卷第9期
	采用溶胶-凝胶（Sol-gel）法制备了Er³⁺-Yb³⁺共掺杂Gd₂Ti₂O₇纳米晶粉末，通过试验优化设计的理论建立了Er³⁺-Yb³⁺掺杂浓度与发光强度的回归方程，利用遗传算法优化计算出方程的最优解Er³⁺、Yb³⁺掺杂浓度分别为5.60%（物质的量分数）和13.43%。Er³⁺-Yb³⁺共掺杂Gd₂Ti₂O₇纳米晶粉末为单一面心立方Gd₂Ti₂O₇相结构，随Yb³⁺共掺杂浓度增加，X射线衍射峰逐渐向高角偏移。在976 nm激光激发下，Er³⁺-Yb³⁺共掺杂Gd₂Ti₂O₇获得了分别对应于Er³⁺的²H_11/2/⁴S_3/2→⁴I_15/2和⁴F_9/2→⁴I_15/2跃迁的绿色和红色上转换发光，且绿色和红色发光均为双光子吸收过程。研究了最优样品上转换发光与温度之间的关系，发现绿色上转换发光具有优良的温度传感特性，对红色上转换发光的温度猝灭进行了解释。
19.	α-C∶H膜化学结构对光学性能的影响

	刘兴华吴卫东何智兵张宝玲王红斌蔡从中《强激光与粒子束》,2009年第21卷第3期
	选用体积分数为99.999 9%的H₂及反式-2-丁烯（T2B）为工作气体，利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了α-C∶H薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线光电子能谱对薄膜化学键和电子结构进行分析，并结合高斯分峰拟合分析了薄膜中sp³/sp²杂化键比值和sp³C杂化键分数。结果表明：薄膜中氢含量较高,主要以sp³C—H形式存在;工作气压越高,制备的薄膜中C=C键含量越少，薄膜中sp³/sp²杂化键比值和sp³C杂化键分数增加，薄膜稳定性提高。应用UV-VIS光谱仪，获得了波长在400~1 000 nm范围内薄膜的光吸收特性，结果显示: α-C∶H薄膜透过率可达98%。光学常数公式计算得到工作压强为4~14 Pa时光学带隙在2.66~2.76之间，并均随着工作气压的升高而增大。结果表明，随工作气压的升高，薄膜内sp³键减小，从而促使透过率、光学带隙增大。
20.	α-C∶H膜化学结构对光学性能的影响

	刘兴华吴卫东何智兵张宝玲王红斌蔡从中《强激光与粒子束》,2009年第21卷第3期
	选用体积分数为99.999 9%的H₂及反式-2-丁烯（T2B）为工作气体，利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了α-C∶H薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线光电子能谱对薄膜化学键和电子结构进行分析，并结合高斯分峰拟合分析了薄膜中sp³/sp²杂化键比值和sp³C杂化键分数。结果表明：薄膜中氢含量较高,主要以sp³C—H形式存在;工作气压越高,制备的薄膜中C=C键含量越少，薄膜中sp³/sp²杂化键比值和sp³C杂化键分数增加，薄膜稳定性提高。应用UV-VIS光谱仪，获得了波长在400~1 000 nm范围内薄膜的光吸收特性，结果显示: α-C∶H薄膜透过率可达98%。光学常数公式计算得到工作压强为4~14 Pa时光学带隙在2.66~2.76之间，并均随着工作气压的升高而增大。结果表明，随工作气压的升高，薄膜内sp³键减小，从而促使透过率、光学带隙增大。

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