非晶Ni_(88)P_(12)合金薄膜的表面形貌特征与晶化行为的研究

采用化学镀的方法在３６３Ｋ和ｐ型Ｓｉ（１００）衬底上制得非晶Ｎｉ８８Ｐ１２合金薄膜．利用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱、扫描隧道显微镜和原子力显微镜对非晶合金薄膜及其经处理后形成的氧化态、还原态和晶态的结构、组分和表面的形貌特征作了研究，并对它的晶化行为作了初步探讨．结果表明，非晶合金薄膜是由纳米级微粒聚集成微米级颗粒组成；在低于晶化温度条件下经氧化和还原处理后的薄膜表面晶化；在晶化过程中，合金薄膜的非晶纳米微粒转变为微晶后长大成晶粒，其表面结构光滑平坦，几何边界清晰     

磁性钴纳米晶的二维自组装

在两种表面活性剂存在下，采用高温醇还原，合成出单分散、平均颗粒尺寸为14±19nm，直径标准偏差小(～18%)的磁性金属Co纳米晶.利用x射线衍射、紫外吸收光谱、x射线光电子能谱及透射电子显微镜对其结构和表面价态进行了分析.并将磁性金属Co纳米晶自组织形成有序的二维(2D)六方紧密堆积结构. 关键词： Co纳米晶 单分散 自组装     

非晶Ni88P12合金薄膜的表面形貌特征与晶化行为的研究

采用化学镀的方法在363K和p型Si（100）衬底上制得非晶Ni₈₈P₁₂合金薄膜．利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描隧道显微镜和原子力显微镜对非晶合金薄膜及其经处理后形成的氧化态、还原态和晶态的结构、组分和表面的形貌特征作了研究，并对它的晶化行为作了初步探讨．结果表明，非晶合金薄膜是由纳米级微粒聚集成微米级颗粒组成；在低于晶化温度条件下经氧化和还原处理后的薄膜表面晶化；在晶化过程中，合金薄膜的非晶纳米微粒转变为微晶后长大成晶粒，其表面结构光滑平坦，几何边界 关键词：     

基于机械-化学的方法在硅表面制造功能化结构

"利用机械与化学结合的方法在芳烃重氮盐溶液中用金刚石刀具切削硅片,使得芳香烃分子和硅之间以共价键连接,实现了对硅片的"成形并功能化"的一步完成．研究了在大气环境如何利用金刚石刀具在硅表面加工出表面质量较好的微结构,为下一步在溶液中"成形并功能化"硅提供好的基底．在溶液中对硅表面进行可控自组装实验,初步研究了切削速度和组装时间对切削处生成自组装膜质量的影响,总结出较适合膜生长的参数．用X射线光电子能谱对自组装膜进行了检测,用扫描电子显微镜和原子力显微镜对自组装膜的表面形貌进行了表征,并用原子力显微镜对自     

硒杂环化合物(4,5-苯并苤硒脑)在金表面上的自组装

为了寻求新的自组装单分子膜体系 ,构建新的功能膜 ,研究了具备平面型的大环共轭硒杂环化合物——— 4,5 苯并苤硒脑 (苯并 [c]硒二唑 ,简称苤硒脑 )在金表面的自组装单分子膜 .通过X射线光电子能谱 (XPS)和电化学手段对其进行表征 .XPS研究结果表明 ,自组装形成单分子膜后 ,苤硒脑分子中Se3d结合能从 5 7.4eV下降到 5 7.1eV ;表明硒杂环化合物是通过金硒键固定在金表面上的 ;电化学循环伏安法实验表明 ,金电极表面上自组装该有机硒后 ,Fe(CN) 63 -/ 4 -的氧化还原峰几乎完全消失 ;以四硼酸钠为底液 ,测得该化合物自组装在金表面上时 ,其还原电位在 - 0 .6 6V ,与在溶液中用裸金电极测得的还原峰电位基本一致 .     

硫醇自组装分子膜末端基团对其电荷输运特性的影响

在金(111)表面组装了具有不同末端基团的硫醇单层分子膜，并利用导电原子力显微镜研究了分子膜的电输运性质，发现不同末端基团的分子自组装膜的导电能力有明显差别.结合X射线光电子能谱，研究了末端基团中碳原子的结合能与相应硫醇分子电导的关系.结果表明不同末端基团分子膜导电能力的差别可归结为末端基团碳原子电子结合能的差异.结合能越高，末端基团电子的局域化程度越强，导致电子有效注入分子主链的势垒越高，从而减弱了分子膜对电子的输运能力.此外，实验还发现不同末端基团的硫醇单层分子膜有不同的表面电势，导致分子膜电流电压特性曲线的零点产生偏离. 关键词： 分子自组装膜 输运特性 末端基团 导电原子力显微镜     

对羟基苯甲酸丁酯在蓖麻油-水界面上自组装及其重构动力学研究

以循环伏安法研究了对羟基苯甲酸丁酯在蓖麻油-水界面上自组装膜生长动力学,在自组装初期苯环以卧式定向按指数生长规律形成Langmuir自组装膜,成膜速率常数为0.0216min-1,单分子扩散系数为1.14×10-6cm2/s.自组装后期,苯环的卧式定向转化为立式定向,遵从S形玻兹曼函数,转化速率常数为k=0.0143min-1.自组装膜在支持电解质中以指数函数形式进一步重构成为完整、稳定的有序膜,重构速率常数为k=0.0319(士0.0011)min-1.自组装膜修饰电极在较高扫速下符合理想电容器模型,而在较低扫速下受离子扩散影响.自组装膜修饰较大程度地提高了电极的双电层电容.     

Lu2Si2O7∶Ce纳米晶的溶胶-凝胶法合成和闪烁性能

采用溶胶-凝胶法制备了Lu2Si2O7∶Ce纳米晶,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪、X射线激发发射谱仪对制备的Lu2Si2O7∶Ce纳米晶的晶相结构、微观形貌和光学性能进行了表征。结果表明,溶胶-凝胶法制备的Lu2Si2O7∶Ce前驱体在煅烧温度为1000℃时开始晶化,晶粒尺寸随着煅烧温度的升高而变大,1200℃煅烧2 h后的晶体颗粒均匀,分散性最优,平均晶粒尺寸约为28.9 nm,呈近球形;Lu2Si2O7∶Ce纳米晶的紫外吸收谱存在峰位分别为304 nm和350 nm两个吸收峰,源自于Ce^3+离子的4f→5d跃迁;光致发射谱和X射线激发发射谱都表现为典型的非对称双峰结构,归属于Ce^3+离子的5d^1→2F5/2和5d^1→2F7/2跃迁,Ce^3+离子的最佳掺杂浓度约为1%;荧光衰减时间约为37.2 ns,可满足高时间分辨X射线探测需要。     

二氧化钛纳米微晶的制备及性质的研究

用无水四氯化铁和异丙醇为原料，用溶胶－凝胶法制备二氧化钛纳米微晶，用一系列手段研究了它的结构，结果表明，所得纳米微晶为椭球状，粒径分布范围窄，６００℃焙烧１小时所得微晶为锐矿相和金红石相两种结构共存，其Ｘ射线光电子能谱及红外光谱的特性直接受该微结构的影响。     

桑色素修饰金纳米粒子自组装膜的制备及其性能研究

采用水相硅烷化方法,将γ-氨基丙基三乙氧基硅烷[H₂N(CH₂)₃Si(OC₂H₅)₃](APES)组装在石英表面,在基底表面修饰上氨基为末端的单层膜,并进一步在这种功能化的单层膜基底上组装金纳米粒子得到金纳米粒子/APES/石英的纳米复合结构。以制备的金纳米粒子自组装膜修饰石英为基底及DL-半胱胺酸为中介,利用桑色素(Morin)和DL-半胱胺酸的化学吸附作用,将桑色素间接组装在金纳米粒子自组装膜修饰石英基底表面,所构建的桑色素修饰金纳米粒子自组装膜对三苯基锡有灵敏的荧光识别作用。文章着重研究了桑色素修饰金纳米粒子自组装膜的制备以及组装条件对其荧光行为的影响,探讨了膜的响应特性及响应机理。