SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

针对4H-SiC射频大功率MESFET，建立了一个解析的陷阱效应模型，该模型采用简化参数描述方法，并结合自热效应分析，从理论上完善了SiC MESFET大信号直流I-V特性的解析模型，且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量. 关键词： 碳化硅 陷阱效应 金属-半导体场效应晶体管 深能级陷阱 界面态     

考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型

根据改进后的三角势阱场近似，并考虑量子化效应，提出了一种基于物理的阈值电压解析模型，给出了MOSFET的阈值电压解析表达式，并与经典理论和数值模拟结果进行了比较. 关键词： 量子效应 阈值电压 反型层 表面势     

改进的部分子演化模型及其对EMC效应和核Drell－Yan过程的解释

用解析方法证明了部分子演化模型可为双重Ｘ重新标度模型提供物理基础，进而利用修正的Ａｌｔｅｒａｌｌｉ－Ｐａｒｉｓｉ方程描述小ｘ区域的核遮蔽和反遮蔽效应，以改进部分子演化模型，使我们不必引入核遮蔽因子便可统一地描述ＥＭＣ效应、核遮蔽和反遮蔽效应．最后，利用改进的部分子演化模型相当好地解释了核Ｄｒｅｌｌ－Ｙａｎ过程的实验数据．     

改进的部分子演化模型及其对EMC效应和核Drell–Yan过程的解释

用解析方法证明了部分子演化模型可为双重X重新标度模型提供物理基础,进而利用修正的Alteralli-Parisi方程描述小x区域的核遮蔽和反遮蔽效应,以改进部分子演化模型,使我们不必引入核遮蔽因子便可统一地描述EMC效应、核遮蔽和反遮蔽效应.最后,利用改进的部分子演化模型相当好地解释了核Drell-Yan过程的实验数据.     

亮-暗非相干耦合光伏孤子对

对开路光伏介质中两束共线传播的互不相干光束的耦合作用进行了研究，发现在光伏效应的作用下，介质中可形成亮-暗非相干耦合空间孤子对，并对这种孤子对的物理特性进行了讨论。     

铁电体的光伏效应

介绍了铁电光伏效应的发展历史和现状,通过与传统半导体p-n结光伏器件比较,旨在阐述铁电光伏器件非比寻常的优点和重要的应用前景.铁电光伏效应分为体光伏效应和反常光伏效应,多种物理机制已被发现,无疑为铁电光伏效应的提高指明了方向.还对钙钛矿氧化物、卤化物和双钙钛矿结构氧化物等铁电体中的光伏效应进行了阐述,讨论了通过引入新的自由度实现多功能性光伏器件的可能性.     

暗光伏孤子的实验研究

在LiNbO3∶Fe晶体中，采用相位掩模对部分空间非相干和相干暗光伏孤子进行了实验研究.实验观察到了部分空间非相干和相干的一维和二维暗光伏孤子，它们的形成来源于光伏效应，是自散焦效应和衍射效应平衡的结果.实验和理论分析表明，暗光伏孤子的形成与光的传输方向，强度梯度与晶体c轴夹角有关；只有在一定的条件下，才能得到稳态的部分空间非相干暗光伏孤子.     

双折射晶体中旋光效应的耦合波理论

与传统的旋光效应理论不同，采用三阶赝张量κ⁽²⁾_jkl描述旋光现象，并将相关的电极化强度作微扰处理，直接从Maxwell方程组出发推导出了双折射晶体中自然旋光效应的耦合波方程组并得到解析解.该解析解包含了已有的旋光效应宏观理论结果，可方便地用于描述任意偏振态的单色光波在任意点群的双折射旋光晶体中沿任意方向的传播行为.最后，以石英晶体为例,通过对出射光波的偏振态分析，研究了波矢失配对旋光效应的影响. 关键词： 耦合波理论 旋光效应 非线性光学     

模糊神经网络系统在微波效应数据处理中的应用

 描述了建立神经网络驱动的模糊系统的基本过程，结合部分微波效应数据建立了一个小型的效应预测评估模型。对应于学习样本，给出了网络输出值与样本输出真实值的比对情况，并对部分非学习样本输出值进行了预测，由对比情况可知，网络系统基本能够再现原始数据的真实面貌，并能对未知事件有一定的预测能力，作为一种效应数据处理方法，模糊神经网络系统具有一定的潜在应用价值。     

介质中的核子-孩子碰撞截面及其对原子核反应总截面的影响

给出了一个在较大能量范围内描述介质中核子－核子碰撞截面的计算公式，并结合微观修正的Ｇｌａｕｂｅｒ模型，研究了介质效应对原子核反应总截面的影响。     

光伏型碲镉汞红外探测单元响应特性分析

对激光辐照PV型的Hg1-xCdxTe单元探测器的响应特性进行了研究,建立了材料内部光生电动势变化的数学分析模型。计算了不同光源辐照3类组分不同的Hg1-xCdxTe探测单元的输出特性,并对温度波动影响进行了分析。结果表明:在光敏面积恒定时,x值越大探测器的完全饱和电压越大,即探测器的响应度Hg0.627Cd0.373TeHg0.698Cd0.302TeHg0.819Cd0.181Te;x值越小,探测器受温度波动的影响越小。     

光伏型碲镉汞探测器在波段内连续激光辐照下的两种不同过饱和现象的产生机理

利用连续波段内激光对两批光伏型碲镉汞探测器进行了激光辐照实验, 发现了两种不同的过饱和现象. 实验表明, 光伏型碲镉汞探测器在强光辐照下都会出现开路电压随光强增强而减小的过饱和现象, 明晰了PV型探测器在强光辐照下的一般规律性现象和由探测器个体差异导致的特殊现象. 从等效电路模型出发, 剖析了两种过饱和现象的发生条件, 建立了数值计算的理论模型, 对两种过饱和现象进行了数值模拟, 计算结果与实验结果符合得较好. 研究表明, 光伏型碲镉汞探测器在波段内强光辐照下引起的过饱和现象有两种产生机理, 一种是热效应引起的暗电流增大机理; 另一种是探测器材料中缺陷引起的漏电流增大机理. 关键词： 波段内连续激光 光伏型碲镉汞探测器 过饱和现象     

基于杂质光伏效应的镍掺杂对砷化镓太阳电池性能的影响

利用杂质光伏效应能够使太阳电池充分利用那些能量小于禁带宽度的太阳光子,从而提高电池的转换效率.为了更好地利用杂质光伏效应提高砷化镓太阳电池的转换效率,本文利用数值方法研究在砷化镓太阳电池中掺入镍杂质以形成杂质光伏太阳电池,分析掺镍对电池的短路电流密度、开路电压以及转换效率的影响;同时,探讨电池的陷光结构对杂质光伏太阳电池器件性能的影响.结果表明:利用杂质光伏效应掺入镍杂质能够增加子带光子的吸收,使得电池转换效率提高3.32%;转换效率的提高在于杂质光伏效应使电池的红外光谱响应得到扩展;另外,拥有良好的陷光结构是取得好的杂质光伏效应的关键.由此得出:在砷化镓太阳电池中掺镍形成杂质光伏太阳电池是一种能够提高砷化镓太阳电池转换效率的新方法.     

LiNbO3晶体中光伏亮孤子实验研究

从理论上分析了具有不同Glass常数的背景光在晶体折射率空间分布相对变化中的作用，得到了折射率改变为负的晶体中形成亮、暗光伏孤子的条件. 以此为基础，用532nm的e光作信号光、488nm的o光作背景光并不断变化背景光和信号光的功率，首次在实验上观察到了LiNbO₃∶Fe晶体中亮光伏孤子的形成. 关键词： 亮光伏孤子 自散焦 自聚焦 光生伏打效应     

Study of photovoltaic effect photovoltaic HgCdTe detector irradiated by spectral unrelated laser

A spectral unrelated laser was induced on the short wave and medium wave photovoltaic HgCdTe infrared detectors respectively, under various power density, the detectors had a serious of output. The results show that the two detectors all had response of spectral unrelated laser, but the response was in the opposite direction. Through the analysis of experimental phenomena, it is found that carrier concentration of detectors before laser irradiation is the reason why the response of detectors was in the opposite direction. It showed valuable clue for future research on photovoltaic HgCdTe irradiated by spectral unrelated laser.     

非相干耦合屏蔽光伏孤子对

预言了在有外加电场的光伏光折变晶体中存在着稳态非相干耦合的屏蔽光伏空间孤子对.这种孤子对是由偏振态和波长都相同的两束互不相干光耦合而成的.它可被看成是非相干屏蔽孤子对和非相干光伏孤子对的统一形式,当外加电场很强可忽略光伏效应时,它类似于已报 道的屏蔽孤子对,而当外加电场为零时,它相当于闭路条件下的光伏孤子对. 关键词： 光折变效应 空间光孤子 光伏效应     

短脉冲光在光伏光折变晶体中写入和擦除光折变光栅理论研究

利用GC Valley的准连续光(Quasi-cw)近似模型,研究了短脉冲激光(纳秒ns量级)在光伏光折变材料LiNbO3晶体中写入和擦除光折变光栅的过程,给出了空间电荷场随时间变化的表达式.理论研究表明,空间电荷场的形成和擦除与两个时间参量有关,在考虑或者不考虑光生伏打效应两种情况下,这两个参量随擦除光强的变化有基本相同的变化规律,光栅的写入和擦除有相同的结果.同样,擦除一个光栅所需的光能量在两种情况下也有相同的结果.因此,在短脉冲光入射光折变晶体材料情况下,考虑光生伏打效应与不考虑光伏效应,对短脉冲光在光折变LiNbO3晶体中写入和擦除光栅基本没有影响.     

LaAlO_3/SrTiO_3界面增强光伏效应

探索LaAlO_3/SrTiO_3(LAO/STO)界面产生的新奇物理特性对理解关联电子系统中多自由度耦合和设计功能材料器件具有重要的价值.本文通过脉冲激光沉积方法在SrTiO_3基底上制备了LAO/STO薄膜,研究了正面照射LAO/STO膜面和侧面照射LAO/STO界面时的光伏效应,探讨了LAO/STO界面对光伏效应的影响.研究结果表明,在同样光照能量下侧面照射LAO/STO界面产生的光电压远高于正面照射LAO/STO膜面产生的光电压,说明LAO/STO界面对光伏效应有明显的增强作用.通过偏压调控可以进一步增强照射LAO/STO界面产生的光电压,当偏压为60 V时, LAO/STO样品的位置探测灵敏度达到了36.8 mV/mm.这些研究结果为设计场调控位置敏感探测器等新型光电子器件提供了新的思路.     

Uncooled infrared photodetectors in Poland

The history and present status of the middle and long wavelength Hg_1-xCd_xTe infrared detectors in Poland are reviewed. Research and development efforts in Poland were concentrated mostly on uncooled market niche. Technology of the infrared photodetectors has been developed by several research groups. The devices are based on mercury-based variable band gap semiconductor alloys. Modified isothermal vapour phase epitaxy (ISOVPE) has been used for many years for research and commercial fabrication of photoconductive, photoelectromagnetic and other devices. Bulk growth and liquid phase epitaxy was also used. At present, the fabrication of IR devices relies on low temperature epitaxial technique, namely metalorganic vapour phase deposition (MOCVD), frequently in combination with the ISOVPE. Photoconductive and photoelectromagnetic detectors are still in production. The devices are gradually replaced with photovoltaic devices which offer inherent advantages of no electric or magnetic bias, no heat load and no flicker noise. Potentially, the PV devices could offer high performance and very fast response. At present, the uncooled long wavelength devices of conventional design suffer from two issues; namely low quantum efficiency and very low junction resistance. It makes them useless for practical applications. The problems have been solved with advanced 3D band gap engineered architecture, multiple cell heterojunction devices connected in series, monolithic integration of the detectors with microoptics and other improvements. Present fabrication program includes devices which are optimized for operation at any wavelength within a wide spectral range 1–15 μm and 200–300 K temperature range. Special solutions have been applied to improve speed of response. Some devices show picoseconds range response time. The devices have found numerous civilian and military applications. The paper presented there appears in Infrared Photoelectronics, edited by Antoni Rogalski, Eustace L. Dereniak, Fiodor F. Sizov, Proc. SPIE Vol. 5957, 59570K (2005).