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对不同激发波长下单壁和多壁碳纳米管的激光拉曼光谱进行了比较。发现单壁碳纳米管D峰强度和G峰强度的比值(ID/IG)几乎不随激发光子能量的改变而变化,多壁碳纳米管ID/IG值随着激发光子能量的增加以斜率0 3/eV减小。并对此现象进行了初步的分析。此外,还发现在1064nm激发波长下,单壁和多壁碳纳米管2500-3500cm-1之间拉曼峰的相对强度随着入射激光功率的增加而增加。 相似文献
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本文采用双包层掺镱光纤作为增益介质,用单壁碳纳米管作为饱和吸收体,获得最高输出功率为336 mW的锁模脉冲激光.用飞秒激光诱导水击穿法直接在单模光纤上制备出D形区,通过在D形光纤上滴涂单壁碳纳米管溶液,成功制备出碳纳米管饱和吸收体,并对其饱和吸收特性进行测试,发现其调制深度为27%.利用该饱和吸收体作为锁模器件,制备出具有环形腔结构的锁模光纤激光器.当抽运功率为4W时,获得了脉宽为93.8 fs,中心波长为1083.8 nm,3 dB谱宽为8.6 nm,重复频率为5.59 MHz,平均功率为336 mW的飞秒脉冲激光输出. 相似文献
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利用化学腐蚀法在光纤包层表面成功制备了调制深度为3.9%的单壁碳纳米管饱和吸收体.组建了环形腔结构的全光纤掺铒光纤激光器,以制备的单壁碳纳米管薄膜为锁模元件,利用倏逝场锁模实现了锁模输出.锁模脉冲的中心波长为1556 nm,3 dB光谱带宽为24 nm,脉冲宽度为147 fs,重复频率为150 MHz.在520mW抽运功率下,平均输出功率为21 mW,相应的单脉冲能量为0.14 nJ. 相似文献
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分别以1 083nm和1 550nm波段的窄线宽连续光源为泵浦光和信号光,搭建基于掺MgO周期铌酸锂晶体(MgO∶PPLN)准相位匹配原理的差频非线性效应产生中红外激光实验系统.根据系统温度和信号光波长调谐特性进行实验研究.在泵浦光波长固定条件下改变信号光波长,实现了窄线宽宽调谐中红外连续闲频激光输出,波长覆盖范围为3 547.6~3 629.1nm.当波长为1 082.8nm的泵浦光和波长为1 549.7nm的信号光功率分别放大到2.8 W和3.5 W时,对波长为3 597.0nm的中红外闲频光输出进行长时间功率扫描监测,得到最大功率为3.2mW,功率抖动引起不稳定度小于±1.6%的高稳定的中红外窄线宽激光输出.该研究结果可为设计和研制多波长窄线宽中红外光源提供参考. 相似文献
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研究了掺钛水热法制备多孔硅的Raman光谱和光致发光谱.实验发现,当激光功率较低时,多孔硅的Raman光谱在略低于520cm-1附近表现为一锐的单峰,和晶体硅的Raman光谱类似.随激光功率增大,该单峰向低波数移动,Raman和光致发光峰的强度与激光强度的一次方成正比.当激光功率增大到一定值时,该单峰分裂成两个Raman峰,光致发光谱的强度突然增大,与激光强度之间不再满足一次方的关系,位于低波数一侧的Raman峰随激光功率增大进一步向低波数移动.多孔硅Raman光谱随激光功率的变化是
关键词:
多孔硅
Raman光谱
光致发光 相似文献
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532nm连续激光晶化非晶硅薄膜的原位拉曼光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用磁控溅射制备了非晶硅薄膜,用波长为532 nm的连续激光退火和显微Raman光谱原位测试技术和场发射扫描电子显微镜研究了非晶硅薄膜在不同激光功率密度和不同扫描速度下的晶化状态。结果表明,激光照射时间10 s,激光功率密度大于2.929×105W/cm2时,能实现非晶硅薄膜晶化。在激光功率密度为5.093×105W/cm2,扫描速度为10 mm/s时非晶硅开始向多晶硅转化。在5.093×105W/cm2的功率密度下,以1.0 mm/s的扫描速度退火非晶硅薄膜,得到的晶粒直径为740 nm。 相似文献
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用国产半导体激光二极管(LD)端面泵浦NdYAG晶体, 通过优化激光谐振腔反射膜系,调节1 064 nm谱线的线性损耗以达到与弱谱线946 nm的增益匹配,在室温下实现1 064 nm和946 nm双波长连续运转,并通过I类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4W时和频青色激光最大输出达20 mW,光-光转换效率为1.4%,功率稳定性24 h内优于±3%. 相似文献
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以Y/Ni为催化剂制备的单壁碳纳米管的拉曼光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电弧放电法以Y/Ni为催化制备了单壁碳纳米管(SWNTs),对样品进行了扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱的研究。所制备的样品中单壁碳纳米管的含量较高。对单壁碳纳米管的共振拉曼散射增强效应进行了观察,随激光波长的不同,单壁碳纳米管的拉曼光谱也随之变化,尤其是低频区径向呼吸模的变化比较明显。利用布里渊区折叠法计算了单壁碳纳米管的电子态密度曲线,根据SWNTs电子态密度尖峰之间的能量差、管子的直径和呼吸模频率建立了一个图表,并对SWNTs的呼吸模进行了归属。分析结果表明:样品中单壁碳纳米管的直径分布在0.79-1.76nm范围,金属管和半导体管均存在,并且直径在1.45nm附近的碳管居多。 相似文献
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We study the discrete Painlevé equations associated to the affine Weyl group which can be obtained by the implementation of a special limits of -associated equations. This study is motivated by the existence of two -associated discrete both having a double ternary dependence in their coefficients and which have not been related before. We show here that two equations correspond to two different limits of a -associated discrete Painlevé equation. Applying the same limiting procedures to other -associated equations we obtained several -related equations most of which have not been previously derived. 相似文献
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研究了反向衬底偏压VB下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生(GMG)电流IGMG特性, 发现IGMG曲线的上升沿与下降沿随着|VB|的增大向右漂移. 基于实验和理论模型分析, 得出了VB与这种漂移之间的物理作用机制, 漂移现象的产生归因于衬底偏压VB 调节了表面电势φs在栅电压VG 中的占有比重: |VB|增大时相同VG下φs会变小, φs 的变化继而引发上升沿产生率因子gr减小以及下降沿产生率因子gf增大. 进一步发现IGMG 上升沿与下降沿的最大跨导GMR, GMF 在对数坐标系下与VB成线性关系, 并且随着|VB|增加而增大. 由于漏电压VD在IGMG 上升沿与下降沿中的作用不同, 三种VD下GMR-VB曲线重合而GMF-VB曲线则产生差异. 增大VD 会增强gf 随VG的变化, 因此使得给定VB 下的GMF变大. 同时这却导致了更大VD下GMF-VB 曲线变化的趋势减缓, 随着VD从0.2 V变为0.6 V, 曲线的斜率s从0.09减小到0.03.
关键词:
产生电流
表面势
衬底偏压
N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 相似文献
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研究了Er1.0P5O14铒非晶玻璃的红外量子剪裁现象. 从吸收谱和激发光谱的计算比较中肯定了Er1.0P5O14非晶 玻璃的1537.0 nm红外荧光为多光子量子剪裁荧光. 从Er1.0P5O14非晶玻璃的可见和红外荧光发射光谱中发现激发2H11/2, 4G11/2和4G9/2能级所导致的4I13/2→4I15/2量子剪裁红外荧光很强;基于自发辐射速率、无辐射弛豫速率和能量传递速率等参数的计算,对其量子剪裁机理进行了分析.发现起源于基态的强下转换能量传递{2H11/2→4I9/2,4I15/2→4I13/2},{4G11/2→4I13/2, 4I15/2→2H11/2},{4G9/2→4F7/2,4I15/2→4I13/2}和{4G9/2→4I13/2, 4I15/2→2H11/2}是导致Er1.0P5O14非晶玻璃具有强的三光子和四光子量子剪裁红外荧光的原因.研究结果对改善太阳能电池效率有一定意义. 相似文献