一种新的C_(60)二维畴拓扑结构

利用低温扫描隧道显微镜对吸附在硫醇膜表面的二维C6 0 岛进行研究 ,首次观察到化学键分辨的C6 0 分子结构 ,并发现一种新型的C6 0 二维取向畴界 .这种畴界仅仅由于两边C6 0 分子的取向不同而存在 ,附近没有结构缺陷 ,畴界附近C6 0 阵列的位置平移序和键取向序都得到了保持 .     

K3C60取向相变的同步辐射光电子谱研究

在190K,220K和300K3个不同温度下测量了K3C60单晶薄膜沿[111]方向发射的同步辐射角分辨光电子谱。样品温度为190K时,能够观察到导带有规律的色散,并且带结构与已报道的温度为150K时的结果基本一样。而在220K附近,导带的许多子峰消失,色散不再存在。这两个温度的实验结果与K3C60在200K存在取向相变相符合,并且可在反铁磁Ising模型基础上得到理解。这种模型的定量分析结果还首次对K3C60在200K的相变机理作出了解释,即相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子（约占40%）的混合。室温光电子谱与低温下的结果显著不同,对应于C60分子取向在室温附近的动态无序。     

K_3C_(60)在200K附近的取向相变机理

研究了K3C6 0 单晶薄膜在 2 0 0K附近的导带结构 .样品温度为 190K时 ,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散 .而在 2 2 0K附近色散不存在 .这一实验结果与K3C6 0 在 2 0 0K存在取向相变相符合 .用反铁磁Ising模型对实验结果进行了分析 .结果表明 ,K3C6 0 在 2 0 0K的相变是由低温下的一维无序取向结构转变为2 0 0K以上的双取向结构畴与无序分子 (约占 40 % )的混合     

K3C60在200K附近的取向相变机理

研究了K₃C₆₀单晶薄膜在200K附近的导带结构.样品温度为190K时,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散.而在220K附近色散不存在.这一实验结果与K₃C₆₀在200K存在取向相变相符合.用反铁磁Ising模型对实验结果进行了分析.结果表明,K₃C₆₀在200K的相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40 关键词： 3C₆₀')" href="#">K₃C₆₀ 取向相变机理     

二维R-C60聚合物的核磁共振波谱研究

合成了二维rhombohedral(2D-R)相C60聚合物,对其固体核磁共振(NMR)波谱进行了详细的讨论。 13C固体核磁共振魔角谱(13C MAS NMR )上δ145附近的sp2杂化峰出现展宽并伴有边带,并且在δ73附近出现了一个相对较弱的新的峰。这表明通过[2+2]加环反应在邻近C60分子之间形成了sp3杂化共价键,使得C60分子球笼上出现了五个位置不等价的sp2杂化碳原子,导致位于145ppm附近的sp2杂化峰展宽。我们利用拟合分峰的方法得出了这五个不等价的碳原子的峰的位置,分别位于δ134.6、δ139.6、δ145.1、δ147.9 以及δ149.1,这五个不等价的碳原子数目上的比例关系和核磁共振曲线的积分面积吻合。     

R相C60聚合物的磁性研究

在高温高压条件下利用高压合成装置合成了二维R相C60聚合物,并利用X射线衍射(XRD)和超量子干涉(SQUID)对合成的样品进行了研究.X射线衍射(XRD)数据表明,在6 Gpa压力和7000C-7250C的温度条件下合成的聚合物为纯度较高的二维R相C60聚合物,当温度升高至8000C时,富勒烯的笼状结构塌陷,样品全部变为无定形碳结构.超量子干涉(SQUID))数据表明,在富勒烯笼状结构出现破缺或共价键结构出现断裂的边界条件下制备的二维R相C60聚合物具有铁磁性,样品的磁性来源于破缺的C60分子笼和断裂的共价键.     

R相C_(60)聚合物的磁性研究

在高温高压条件下利用高压合成装置合成了二维R相C60聚合物,并利用X射线衍射(XRD)和超量子干涉(SQUID)对合成的样品进行了研究.X射线衍射(XRD)数据表明,在6 Gpa压力和700℃-725℃的温度条件下合成的聚合物为纯度较高的二维R相C60聚合物,当温度升高至800℃时,富勒烯的笼状结构塌陷,样品全部变为无定形碳结构.超量子干涉(SQUID))数据表明,在富勒烯笼状结构出现破缺或共价键结构出现断裂的边界条件下制备的二维R相C60聚合物具有铁磁性,样品的磁性来源于破缺的C60分子笼和断裂的共价键.     

W(110)面二维氧化的低能电子显微镜研究

应用低能电子显微术对W（110）面二维氧化结构进行了初步研究．随着氧暴露量的增加，低能电子衍射图样由清洁表面（1×1）结构转变成p（2×1），再变为带有复杂衍射卫星点的p（2×2）结构．利用低能电子显微术的暗场像模式，对（00）束附近的分数衍射斑点进行了放大成像，发现表面由两种对比度相差很大的区域组成，它们就是具有不同方位取向的氧超结构畴区．两种畴区的分布与衬底表面缺陷特别是表面台阶有一定的关系，而且温度对这种钨表面的二维氧化起着重要作用 关键词：     

C60分子在有序-无序和玻璃态相变间的取向概率与弛豫行为

用极限动力学模型研究了C60分子在有序-无序相变和玻璃态相变温度区间取向角为98°和38°的取向概率与温度的关系.计算结果在玻璃态相变点附近的85!K,90!K和有序-无序相变点的260!K分别与实验值相吻合,取向概率对实验值更精确的拟合及其对温度的二阶导数预言玻璃态相变点在84!K.导出了弛豫规律,其结果表明:双能级的C60分子从非平衡态到平衡态的弛豫行为与非指数因子β有关,其总的弛豫时间决定于其中一个较短的弛豫时间,展宽指数形式保持不变.讨论了KWW方程的非指数因子β与分子间协同作用的关系,发现与双取向态间的能级差有关,计算值与实验结果相同.     

K3C60取向相变的同步辐射光电子谱研究

在190K,220K和300K3个不同温度下测量了K₃C₆₀单晶薄膜沿[111]方向发射的同步辐射角分辨光电子谱.样品温度为190K时,能够观察到导带有规律的角散,并且带结构与已报道的温度为150K时的结果基本一样.而在220K附近,导带的许多子峰消失,色散不再存在.这两个温度的实验结果与K₃C₆₀在200K存在取向相变相符合,并且可在反铁磁Ising模型基础上得到理解.这种模型的定量分析结果还首次对K₃C₆₀在200K的相变机理作出了解释,即相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40%)的混合.室温光电子谱与低温下的结果显著不同,对应于C₆₀分子取向在室温附近的动态无序.