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相似文献
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1.
含负折射率材料的异质结构光子晶体的光学传输特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用传输矩阵法研究了正负折射率材料构成的异质结构光子晶体的光学传输特性。结果表明:当入射波正入射时,在这种异质结构光子晶体内出现了光子带隙,并且带隙内出现了3个极窄的透射峰,这是正负交替光子晶体和常规材料构成的同周期一维异质结构光子晶体所不具有的新颖物理特性。计算了这种异质结构光子晶体的透射谱。发现:这3个透射峰不敏感于入射角的变化,而在带隙两侧的透射峰则会随着入射角增大统一向带隙靠近;能带敏感于晶格厚度和周期数的变化。  相似文献   

2.
复介电常量双缺陷层的镜像对称光子晶体特性   总被引:8,自引:8,他引:0  
利用传输矩阵法研究了两个复介电常量缺陷层镜像对称一维光子晶体的带隙结构和光传输特性。重点讨论了缺陷层的复介电常量的虚部为负值且光学厚度为λ0/4的情形时对传输特性的影响。研究发现:当在光子晶体的两端加入具有负虚部的复介电常量缺陷层后,多处出现了较强的透射峰增益。随着缺陷层复介电常量的虚部与实部比值的增加,各处透射峰增益变化规律不同。但中心波长处的缺陷膜的位置和高度不变。这为光子晶体同时实现多通道超窄带滤波器和不同放大倍数的光放大微器件的设计提供了理论基础。而在光子晶体的两端加入具有正虚部的复介电常量缺陷层后,各透射峰都出现了吸收现象,且随着其正虚部值I的增加,吸收越明显,这给光子晶体实现放大功能提供了理论指导。  相似文献   

3.
蒙成举  苏安 《光谱实验室》2012,29(4):2438-2442
利用传输矩阵法理论,研究含吸收材料对称结构一维三元光子晶体的光传输特性。结果表明:当各层介质无吸收时,在较宽的禁带范围内出现一条透射率为100%的透射峰;当介质的折射率为带有正虚部的复数,即介质存在吸收时,禁带中的透射峰出现明显的透射衰减,且随着复折射率虚实比β的增大透射率出现单调衰减规律;当单个介质存在吸收时,随着各介质折射率虚实比的增大,透射率的衰减速度存在各异,其中以C介质的折射率虚实比βc对透射峰透射率的影响较大,其次为B,A的影响相对较小;当所有介质同时存在吸收时,透射衰减最为明显。这些特性为光学衰减器的设计提供理论指导意义。  相似文献   

4.
使用第一性原理密度泛函理论(DFT)框架下的广义梯度近似(GGA+U)方法计算单轴应变对纤锌矿结构GaN的键长、差分电荷密度、电子结构以及光学性质的影响.结果表明:带隙随应变的增加而减小,压应变在(-1%~-3%)范围内变化时带隙变化不明显,压应变超过3%时带隙随应变的增大显著减小.光学性质研究表明,应变对介电函数虚部峰的位置和大小都产生影响,静态介电常数随应变的增大而增大;应变使GaN的吸收系数减小.  相似文献   

5.
对称双缺陷光子晶体的可调谐滤波特性分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
陈卫东  董昕宇  陈颖  朱奇光  王宁 《物理学报》2014,63(15):154207-154207
基于光子晶体的光子局域特性,并利用光子晶体的介观压光效应,提出了一种新型的双通道可调滤波器结构.采用传输矩阵法对该滤波器的光学传输特性进行了理论推导,建立了透射谱与光子晶体结构参数的关系,讨论了介观压光效应对双缺陷光子晶体透射谱的影响,并对所设计的光子晶体结构进行了数值模拟.结果表明:随着入射角度的增大,缺陷峰发生蓝移.随着各介质层折射率或几何厚度的增加,缺陷峰发生红移.当光子晶体发生轴向拉伸应变时,缺陷峰的位置向长波长移动,但缺陷峰的峰值大体不变,从而验证了此滤波器的可调节性.该光子晶体滤波器结构紧凑,可调谐性好,为光子晶体激光器及传感器的设计提供了一定的理论参考.  相似文献   

6.
《光学技术》2013,(5):472-476
用传输矩阵法研究了在不同入射角时对称缺陷复合光子晶体[D(AB)mD]2结构s偏振和p偏振的光传输特性。计算结果表明:对称缺陷复合光子晶体[D(AB)mD]2结构中的禁带出现两个完全共振透射峰。随着入射角的增大,s光和p光的带隙中心和透射峰都向高频方向移动,s光的带宽增大,p光的带宽减小,但带隙中心始终相同。通过微小地改变入射角可改变透射峰的频率和偏振态。此结果为该结构实现双通道方位开关和偏振器提供了理论依据,也为拓宽该结构带隙和得到所需要的偏振光提供了理论基础。  相似文献   

7.
利用光学传输矩阵方法,模拟计算了由铁磁材料组成的一维光子晶体的光学传输特性.研究了能带结构随介质层厚度h(O ≤h≤0.5λ0 λ0=1.2×10-6m)变化的规律,并与相同周期结构的普通光子晶体的传输特性进行了比较.结果表明,当O.15λ0<h<0.165λ0时,铁磁光子晶体的带隙宽度略小于普通光子晶体的带隙宽度;在h取其他值时铁磁光子晶体的带隙宽度远远大于普通光子晶体的带隙宽度,并且在h=0.25λ0时存在最大值.这种结构的光子晶体通过掺杂有望在多通窄带滤波技术中得到广泛的应用.  相似文献   

8.
利用传输矩阵法理论,研究了激活杂质材料对镜像对称结构一维光子晶体(ABCB)m(BCBA)m的透射谱的影响。结果表明:当介质无掺入激活杂质,即介质的介电常量为一实数时,禁带中心出现一条透射率为100%的透射峰;当在镜像对称结构的任一介质中掺入激活杂质,即介质的介电常数为一带有负虚部的复数时,透射峰的透射率均出现增益现象,且随着各介质复介电虚部大小的增大,透射增益出现一极大值后又减小;各介质复介电虚部大小的变化对光子晶体透射谱的影响存在各异,其中介质A掺入激活杂质时增益幅度最大,其次为C,B相对较小,但透射率的增益对B介质的复介电虚部响应最为灵敏,其次为C,A相对较为迟钝。这些特性对新型光学器件的设计具有指导意义。  相似文献   

9.
一维缺陷光子晶体温度的测量   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用Si和SiO2两种介质材料构造一维缺陷光子晶体,缺陷层介质为Si,利用传输矩阵法对带有缺陷的一维光子晶体的传光特性进行了理论分析,并得到其带隙特性.由于缺陷的存在,使得光子晶体的透射谱中产生缺陷峰.当被测温度变化时,根据两种介质的热光效应和热膨胀效应,光子晶体介质和缺陷层的光学厚度和折射率发生变化,透射谱缺陷峰产生漂移,由缺陷峰的中心波长漂移量得到被测温度的大小.构建了一维缺陷光子晶体测量温度的实验系统,实验结果表明缺陷峰中心波长与光子晶体所受的温度呈线性关系,测量灵敏度为0—2 关键词: 温度测量 一维光子晶体 传输矩阵法 缺陷峰  相似文献   

10.
一维缺陷光子晶体温度的测量   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用Si和SiO2两种介质材料构造一维缺陷光子晶体,缺陷层介质为Si,利用传输矩阵法对带有缺陷的一维光子晶体的传光特性进行了理论分析,并得到其带隙特性.由于缺陷的存在,使得光子晶体的透射谱中产生缺陷峰.当被测温度变化时,根据两种介质的热光效应和热膨胀效应,光子晶体介质和缺陷层的光学厚度和折射率发生变化,透射谱缺陷峰产生漂移,由缺陷峰的中心波长漂移量得到被测温度的大小.构建了一维缺陷光子晶体测量温度的实验系统,实验结果表明缺陷峰中心波长与光子晶体所受的温度呈线性关系,测量灵敏度为0—2  相似文献   

11.
研究了二维光子晶体量子阱的光谱特性,该量子阱结构由二维正方晶格圆柱晶胞光子晶体通过移去中间位置的介质圆柱层形成。由于光子晶体中的光子禁带充当了光子运动的势垒,类似于半导体量子阱中电子的行为,在光子晶体量子阱结构中会出现量子化的光子能态。文章利用平面波展开法计算了所用光子晶体的能带结构,利用传输矩阵方法计算了量子阱结构的透射光谱。计算结果表明,在光子禁带中出现了离散的透射峰,透射峰的强度随着势垒宽度的增加而减弱,个数随着势阱宽度的增加而增加,通过计算得到了其定量关系,并且讨论了透射峰频率与势阱宽度的关系。  相似文献   

12.
陈磊  温廷敦  许丽萍  王志斌 《发光学报》2013,34(12):1672-1676
运用传输矩阵法研究了在一维光子晶体中插入缺陷层的透光特性。在无缺陷层的一维光子晶体中能产生467~510 nm、1 279~1 715 nm两处明显的光子带隙。重点研究了插入缺陷层后,在1 279~1 715 nm的光子带隙中缺陷层厚度和入射角度大小分别与透射光谱变化的关系。研究发现:缺陷模的位置对入射角变化很敏感;出现缺陷模的数量和插入缺陷层的数量相同;一维光子晶体厚度的增大不会改变缺陷模的数量和位置,只改变透射峰的宽度和透射率。  相似文献   

13.
Monodispersed silica microspheres of 270 nm are synthesized by a colloidal solution method. Larger scale perfect three-dimensional photonic crystals (PCs) are rapidly prepared using the evaporation of acetone to self-assemble the microspheres on quartz substrates by vertical deposition methods. We find that the pseudo-photonic band gap (PBG) of the PC structure changes with increasing annealing temperature; it drastically shifts from 450 nm for as-grown crystals to 409 nm for annealing at 800 °C. CdS photonic crystals are formed by infiltrating CdS nanocrystals of 6 nm into the SiO2 PC structure. The transmission and spontaneous emission characteristics of CdS PCs have been investigated. The clear dip in the spontaneous emission spectrum relates to the photonic band gap of CdS PCs, indicating that the spontaneous emission is inhibited in the region of the PBG. The emission band of CdS PCs becomes narrower and sharper than that of CdS nanocrystals; this demonstrates that the emission band and intensity of the luminescent devices will be tuned by controlling the position of the PBG. PACS 42.70.Qs; 42.25.Bs; 78.20.-e; 78.55.Et  相似文献   

14.
Based on the transfer matrix method (TMM), the interaction of electromagnetic waves with one-dimensional (1D) defective photonic crystal in ultraviolet (UV) frequency region had been studied. With the calculated transmittance characteristics in the wavelength domain, it can be found that the defect mode can be generated within the photonic band gap (PBG) at the central wavelength. Also the effects of many parameters such as the angle of incidence, the state of polarization and the defect layer thickness have been taken in account. A significant effect in generating multiple defect peaks within the PBG has been illustrated.  相似文献   

15.
苗信建  黄伟其  黄忠梅  周年杰  尹君 《物理学报》2014,63(3):30203-030203
用平面波展开法对硅背景下的通信波段不同晶格类型和气孔形状光子晶体的能带结构进行数值计算与分析,提出了相应的物理模型.结果表明:利用光子受限效应和晶格对称性效应可以有效地调控光子带隙.随光子晶体填充率的增加,其约束光子的能力增强,光子带隙在一定范围内展宽且其中心频率蓝移;带隙随晶格对称性增加而变宽.对基元形状和旋转角度的研究发现,光子带隙随基元旋转角度变化具有周期性和对称性,表现出各向异性,由此优化出对应的不同晶格的最佳谐振腔型结构.  相似文献   

16.
李乾利  温廷敦  许丽萍 《发光学报》2012,33(12):1347-1350
利用传输矩阵法研究了由TiO2和SiO2两种材料构成的异质三周期一维光子晶体的传光特性,发现该结构能在波长为200~ 2 000 nm的范围内形成7处比较明显的光子带隙,并且波长越大,带隙的宽度越大。重点研究了这种结构的光子晶体的透射谱线与入射角度、介质层数及介质层厚度的关系,发现该结构形成的光子带隙的大小和位置对介质层的循环周期数不敏感,但对入射角度和介质层的厚度很敏感。  相似文献   

17.
In this communication dispersion relation, reflection and transmission coefficient for quasiperiodic optical multilayers arranged according to the three-component Fibonacci rule is derived using transfer matrix method. In this work Fibonacci multilayers using three different photonic band gap (PBG) materials is designed and its photonic band gap structure is presented. Also, a detailed calculation for allowed and forbidden frequency bands for s-polarized radiation of light incident on these structures at various angles is presented. It is demonstrated that in case of s-polarized mode of radiation, widening in the band gap and frequency shifts occur as one moves towards the higher frequency region, which shows that such a multilayer can be used as an efficient polarizer. The effect of an imaginary value for the propagation vector Q on the existence of forbidden photonic bands in these lattices is also studied.  相似文献   

18.
We have investigated the switching mechanism due to the spontaneous emission cancellation in a photonic band gap (PBG) material doped with an ensemble of four-level nano-particles. The effect of the dipole–dipole interaction has also been studied. The linear susceptibility has been calculated in the mean field theory. Numerical simulations for the imaginary susceptibility are performed for a PBG material which is made from periodic dielectric spheres. It is predicted that the system can be switched between the absorbing state and the non-absorbing state by changing the resonance energy within the energy bands of the photonic band gap material.  相似文献   

19.
We present a design for a photonic crystal (PC) all-optical micro-chip based on a three-dimensional (3D) inverse opal heterostructure intercalated with a two-dimensional (2D) triangular lattice photonic crystal slab. Within the 2D micro-chip layer, we demonstrate single-mode (diffractionless) waveguiding of light in air, throughout a bandwidth of more than 70 nm near 1.55 μm. This suggests that inverse opal photonic band gap (PBG) materials can facilitate on-chip optical networking functions over the telecommunication frequency band used in current-day optical fibers.  相似文献   

20.
Ag-SiO2多层薄膜对光子带隙的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
宋志棠  陈苏  汪扬  封松林 《光子学报》2005,34(11):1736-1739
采用超高真空电子束蒸发制备了一维紫外、可见光波段光子晶体.研究了在石英衬底上不同周期Ag/SiO2体系对光子带隙的影响.带隙位置与理论计算结果符合.发现二氧化硅层的厚度对带隙位置和银层的透过率有较大影响,厚度的增加降低了反射率,从而使光子带隙更加明显,当厚度达到12层时观察到清晰的光子带隙.  相似文献   

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