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1.
纯硅由于原材料来源广、熔点高,是潜在的太阳能热发电用热电材料.它的热电绩效因子ZT很小,室温只有0.01.本研究小组通过掺杂和结构纳米化制备了Si100P25(GaP)1.5,获得813℃时的ZT为0.47.本文在此基础上,通过引入一种新的机制——随机孔洞——来进一步提高纯硅基材料Si100P2.5(GaP)1.5的ZT.结果表明:由于孔洞增加了对低能载流子的过滤,Seebeck系数得到了提高;又由于孔洞对主要携带热量的声子的散射,晶格热导率大大降低,结果Si100P2.5(GaPh5的ZT提高了32%.研究结果表明引入随机孔洞是增加纯硅基体系ZT的有效途径. 相似文献
2.
采用脉冲激光沉积(PLD)镀膜技术在倾斜10°的LaAlO3(100)单晶衬底上制备了(SrTiO3)n/(SrTi0.8Nb0.2O3)m系列超晶格.在超晶格薄膜的XRD图谱中清楚地观察到周期调制的卫星峰结构.从卫星峰的分布计算了超周期,进而得到了在生长SrTiO3和SrTi0.8Nb0.2<
关键词:
3)n/(SrTi0.8Nb0.2O3)m]20/LAO(100)超晶格')" href="#">[(SrTiO3)n/(SrTi0.8Nb0.2O3)m]20/LAO(100)超晶格
激光感生热电电压
各项异性Seebeck系数
原子层热电堆 相似文献
3.
采用机械合金化制备了n型(Bi1-xAgx)2(Te1-ySey)3合金粉体,对其进行XRD分析表明Bi,Te,Ag,Se单质粉末,经2h球磨后实现了合金化;SEM分析表明随着机械合金化时间延长粉体颗粒变得均匀、细小,颗粒尺寸在微米至亚微米数量级.采用放电等离子烧结制备了块体样品,研究了合金成分和球磨时间对热电性能的影响.结果表明材料的热电性能与掺杂元素有密切关系,Ag有利于提高功率因子和降低晶格热导率,球磨10h的(Bi0.99Ag0.01)2(Te0.96Se0.04)3合金粉末的烧结块体具有最大的功率因子和最低的晶格热导率,并在323K取得最高ZT值0.52.
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1-xAgx)2(Te1-ySey)3合金')" href="#">(Bi1-xAgx)2(Te1-ySey)3合金
机械合金化
放电等离子烧结
热电性能 相似文献
4.
采用高温固相法合成了荧光体Ba10(PO4)4(SiO4)2:Ce3+和Ba10(PO4)4(SiO4)2:Eu2+,研究了两种荧光体的光谱特性。结果表明,两者都呈现较强的宽带激发特征。根据同种基质中Eu2+和Ce3+两种离子光谱特征的相关性,通过测得的Ba10(PO4)2(SiO4)2基质中Ce3+的光谱数据估算了Ba10(PO4)2(SiO4)2:Eu2+中Eu2+的斯托克斯位移(ΔS)和激发能量,估算结果与Ba10(PO4)2(SiO4)2:Eu2+样品的光谱分析结果十分吻合。Ba10(PO4)2(SiO4)2:Eu2+可以同时被紫光和蓝光激发,发出偏白的绿光,可用作白光LED的荧光粉。 相似文献
5.
在较宽的温度(4.2-80K)和磁场(0-8T)范围内测量了YBa2Cu3O7-δ和Y0.9Eu0.1Ba2·Cu3O7-δ样品的磁滞回线和磁弛豫,研究了其M(t),Jc(T)和Ueff(J)关系,并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明:(1)与YBa2Cu3O7-δ相比,Y0.9Eu0.1·Ba2Cu3O7-δ样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高,表明Eu的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心;(2)与其它模型相比,集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述,因而本文为这一理论提供了新的实验证据。
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6.
考虑到应力对超薄层(GaP)1/(InP)1(111)结构中Ga-P和In-P键长的作用为均匀分布的情况,本文提出在紧束缚近似下,将应力的影响直接反映到Harrison的交迭积分项中,并利用Recursion方法全面计算了由Keating模型确定的稳定(GaP)1/(InP)1(111)超晶格体内和表面的电子结构,结果表明,这种材料的带隙为1.88eV,它比体材料GaP(2.91eV)和InP(1.48eV)的平均值小
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7.
对于RGB有机电致发光器件(OLEDs),蓝光非常重要.在现有各种蓝光材料中,聚芴(PFO)非常稳定且荧光量子效率可达80%,但它有一个非常大的缺点:电致发光会产生异常绿光带.这严重影响了PFO相关器件的饱和色纯度.本文使用分子基磁性材料Fe(NH2trz)3·(BF4)2掺杂PFO方法,解决了这一难题.以ITO为衬底,制作了结构为ITO/PEDOT:PSS/PFO:Fe(NH2trz)3·(BF4)2/CsCl/Al的器件.报道了利用Fe(NH2trz)3·(BF4)2特殊的电子自旋态调制PFO的光电特性,实现了PFO的强烈纯正蓝光发射.详细研究了Fe(NH2trz)3·(BF4)2对PFO光电特性的影响.在4 V至9 V电压的偏置下,没有Fe(NH2trz)3·(BF4)2的器件,发出特别异常的绿光.然而,与此形成明显对照的是:Fe(NH2trz)3·(BF4)2掺杂的器件发出强烈的本征蓝光;PFO绿色发光带被成功压制;随着电压的变化,器件光谱的蓝光部分在整个EL谱所占比例没有改变.运用光电磁一体化测量技术,进一步研究了PFO掺杂Fe(NH2trz)3·(BF4)2器件的磁发光(MEL)和磁电导(MC)效应.发现PFO:Fe(NH2trz)3·(BF4)2和纯PFO薄膜内都没有激基缔合物产生.运用发光动力学理论,分析了Fe(NH2trz)3·(BF4)2阻断PFO异常绿光发射的机理. 相似文献
8.
磁熵变(△SM)与磁场(μ0H)的相关性已在很多二级相变材料中被研究并报道,但一级相变材料的磁热效应与磁场相关性还少有报道.本文在具有一级磁结构相变的Mn0.6Fe0.4NiSi0.5Ge0.5材料中研究发现△SM与μ0H存在线性相关性,并通过麦克斯韦关系式的数值分析详细讨论了这一线性相关性的来源.同时,进一步发现在低磁场时,△SM近似正比于μ0H的平方.该线性相关性同样在一级磁结构相变Ni50Mn34Co2Sn14材料中得到了印证.但由于一级磁弹相变LaFe11.7Si1.3材料相变温度具有更强的磁场依赖性,不具有△SM的线性相关性,因此,本研究表明,当磁结构相变材料的相变温度具有弱磁场依赖性时,△SM与μ0H具有线性相关性.进而,在磁场未达到相变饱和磁场以下,利用△SM与μ0H的线性相关性可以有效推测更高磁场下的△SM. 相似文献
9.
Mg3(Sb,Bi)2基热电材料由于其优异的热电性能和较低的成本近来受到广泛的关注.本研究通过将纳米SiO2复合进成分为Mg3.275Mn0.025Sb1.49Bi0.5Te0.01的基体相中,考察其热电输运性能的变化及机制.结果表明,当SiO2复合进Mg3Sb2基材料中时,由于引进大量的微小晶界,能有效地散射声子,促使晶格热导率降低,优化热输运性能,如SiO2体积含量为0.54%时,室温时热导率由复合前的1.24 W/(m·K)降至1.04 W/(m·K),降幅达到15%;同时其对电子也产生强烈的散射作用,导致迁移率和电导率大幅下滑,结果表现为近室温区功率因子剧烈衰减,恶化了电输运性能.电性能相对于热性能较大降低幅度使得材料在整个测试温区的热电优值没有得到改善.纳米SiO2作为Mg3Sb2 相似文献
10.
采用基于柠檬酸体系的溶胶-凝胶法制备了Pr0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3系列的多晶块材, 同时还用脉冲激光沉积技术(PLD)在SrTiO3(100)衬底上外延生长了同一系列的薄膜, 系统研究了它们的晶格结构和电输运行为. 多晶和薄膜样品都具有正交晶格结构, 电输运行为在居里温度TC以上的高温顺磁相都很好
关键词:
0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3')" href="#">Pr0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3
绝热小极化子模型
双交换作用
Jahn-Teller晶格畸变 相似文献