霍尔线位移传感器静态特性的研究

在不同环境温度下,互换霍尔位移传感器的输入/输出端,对其静态特性进行实验测试。结果表明：在霍尔元件顺、反接及不同的环境温度下,其静态特性差异明显,从理论上对实验现象进行了分析。     

霍尔元件的动态特性曲线的测量及研究

以实验手段研究了霍尔元件在交变电流及交变磁场下的动态特性.实验以霍尔效应实验为基础,改变其中某一自变量,通以交变信号并保持其他条件不变,观察实验现象,得出霍尔电压的幅频特性以及相频特性.从实验结果可以看出霍尔元件的动态特性与静态特性有很大的不同.     

霍尔式传感器的不等位电势补偿探讨

不等位电势是霍尔式传感器产生零位误差的主要因素.在霍尔式传感器的直流激励特性实验中霍尔元件处于梯度磁场中,但是磁场强度未知,因此无法确定磁场强度为零的位置.当采用交流激励时,通过调节霍尔元件在磁场中的位置,使输出的最小电势便是不等位电势,此时便可通过补偿桥路进行补偿.     

集成霍尔传感器特性测量与应用实验的改进

对大学物理实验中集成霍尔传感器特性测量与应用实验的进行了改进.提出了用专门的螺线管测量灵敏度,使用2片正交放置的霍尔片测量待测通电螺线管中磁场磁感应强度,并给出了具体的测量步骤和电路设计以及测量结果.     

演示小位移传感器的装置制作

本文介绍了半导体材料的霍尔效应及磁阻效应,讨论了霍尔磁阻元件的特性,提出位移传感器的工作原理、结构设计,并详细说明安装和调试过程.演示装置结构简单、物理概念清晰、易于操作.它将磁场的变化无接触转化为材料的电阻变化,从而把与磁场变化相联的位移形式转化为电信号输出,形成位移传感器.由实验数据和图示曲线表明:测量桥路输出电压随磁钢和霍尔片之间的距离变化而变化;另外,测量桥路的测量灵敏度随工作电流IC增加而提高.通过本装置可以对霍尔磁阻效应、一种小位移测量传感器原理和方法进行演示和探究.在课堂教学、课程设计等场合,直观显示霍尔元件的各种效应和技术应用,有着良好的教学效果.     

用集成开关型霍尔传感器测定弹簧的劲度系数

介绍集成开关型霍尔传感器的优点和特性,并将其用于弹簧振子周期的测定.     

利用霍尔元件测永磁材料的静态特征

利用霍尔元件测永磁材料的静态特征石环英，石琳（长沙铁道学院４１００７５）（湖南大学）在大学物理实验中有一利用霍尔效应测永磁材料磁场的实验，测量Ｃ型电磁铁空隙中的磁感应强度．本人以此实验为基础，设计了一种利用霍尔元件测永磁材料静态磁特性的设备．一、实验...     

基于宽禁带GaN基异质结结构的垂直型高温霍尔传感器

目前市场主流的窄禁带材料霍尔磁场传感器主要工作在室温或低温环境,而新型的宽禁带GaN材料霍尔传感器虽然适用于高温,但器件结构主要是水平型,受制于异质结界面过高的纵向电场约束,能探测平行器件表面磁场的垂直型结构至今未见报道,因此技术上无法实现单一芯片三维磁场探测.针对该难题,本文提出基于宽禁带AlGaN/GaN异质结材料,采用选区浅刻蚀二维电子气沟道势垒层形成局部凹槽结构的方案,从而实现垂直型结构霍尔传感器,并且可有效地提高磁场探测灵敏度.首先对照真实器件测试数据对所提器件材料参数和物理模型进行校准,然后利用计算机辅助设计技术(TCAD)对器件电极间距比值、台面宽度、感测电极长度等核心结构参数进行优化,同时对器件特性进行深入分析讨论.仿真结果表明所设计的霍尔传感器具有高的磁场探测敏感度(器件宽度为2μm时为113.7 V/(A·T))和低的温度漂移系数(约600 ppm/K),器件能稳定工作在大于500 K的高温环境.本文工作针对宽禁带材料垂直型霍尔传感器进行设计研究,为下一步实现在单一芯片同时制造垂直型和水平型器件,从而最终获得更高集成度和探测敏感度、能高温应用的三维磁场探测技术奠定了理论基础.     

位移传感器演示装置的制作

通过自制的位移传感器演示装置可以对霍尔磁阻效应、 一种小位移测量传感器原理和方法进行演示和 探究. 在课堂教学、 课程设计等场合,直观显示霍尔元件的各种效应和技术应用, 有着良好的教学效果     

伺服动力装置用霍尔型转速传感器的研制

为精确测量伺服动力装置变量柱塞泵的转速,为其设计了一种小型化、高灵敏、抗干扰、高可靠、宽温域的霍尔型转速传感器。针对电感式转速传感器对较低转速测量不灵敏、易受磁场干扰等缺点,提出了一种霍尔型转速传感器的设计方法：利用霍尔电路对磁场信号反应灵敏的特性,另外在转速变换电路中配合以较高的阈值电压,使其具有灵敏度高和抗干扰能力强的特点;并结合整体任务要求,对其进行了小型化设计、宽温域材料选用及元器件的降额设计等措施。经试验验证,霍尔型转速传感器可以精确测量电机全量程（从低到高）的转速,灵敏度不随转速的变化而变化,且不受外界磁场的干扰,参数性能满足整体要求,具有广泛的应用前景。     

Stability of families of probability distributions under reduction of the number of degrees of freedom

We consider two classes of probability distributions for configurations of the ideal gas. They depend only on kinetic energy and they remain of the same form when degrees of freedom are integrated out. The relation with equilibrium distributions of Tsallis’ thermostatistics is discussed.