共查询到19条相似文献,搜索用时 187 毫秒
1.
利用熔融快淬结合放电等离子烧结(SPS), 制备了CuxAg1-xSbTe2(x= 0---0.3)样品. 粉末X射线衍射(XRD)分析结果显示, SPS处理以前, 含Cu样品形成NaCl型结构的固溶体, 而未加入Cu的样品析出Ag2Te第二相. 根据热分析和XRD测量结果, Cu的加入能够有效抑制Ag2Te的析出, 但同时会在快淬样品中产生少量非晶相. 在温度升高到540 K左右时, 非晶相发生晶化, 形成Sb7Te亚稳相, 并最终转变成Sb2Te3稳定相. 对快淬样品进行低温SPS快速处理后, x =0.1样品为面心立方结构的单相化合物, 但是x =0.2, 0.3的样品分别析出第二相Sb7Te和Sb2Te3. 由于析出第二相, x=0.2, 0.3样品的电导率增大, Seebeck系数减小, 热导率相应升高, 综合热电性能降低. x=0.1单相样品的功率因子与文献报道的AgSbTe2化合物相当. 元素替代的合金化效应 增强了Cu0.1Ag0.9SbTe2化合物的声子散射, 有效降低了样品的热导率. 因此, 单相样品Cu0.1Ag0.9SbTe2表现出较佳的热电性能, 在620 K时热电优值达到1. 相似文献
2.
3.
本文以流变相反应法原位合成了聚对苯撑/LiNi0.5Fe2O4纳米复合热电材料,并对其热电性能进行表征,研究了放电等离子烧结时保温时间对其热电性能的影响.结果发现,复合材料铁氧体颗粒粒径为100---300nm,其外部被一层聚对苯撑膜包覆.电子在Fe2+和Fe3+之间的跳跃机理在铁氧体电导中占主导作用,因此聚对苯撑/LiNi0.5Fe2O4复合材料具有n型导电特性.随着保温时间增加,复合材料电导率基本不变,但热导率逐渐增大且Seebeck系数逐渐减小,导致热电优值系数降低.由于结合了有机物高电导率和低热导率以及无机材料高赛贝克系数的优点,所制备的复合材料热电性能较单一材料有较大提高. 相似文献
4.
5.
用脉冲激光沉积(PLD)的方法在硅单晶基片上制备了Ti90Cr10和Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜,用XRD研究了Ti90Cr10薄膜的晶体结构与制备温度的关系,结果表明随着温度升高,薄膜从非晶态逐步向晶态转化,并且计算了Ti90Cr10薄膜的晶粒大小以及晶格常数. 利用透射电镜对Ti90Cr10薄膜进行了表面和截面形貌的表征. 采用纳米压痕仪对Ti90Cr10薄膜的硬度和膜基界面结合力进行了分析,表明薄膜的硬度和膜基结合力随制备条件改变有所变化,制备温度增加,薄膜的硬度和膜基结合力随之增加. 利用Ti90Cr10薄膜作为中间层,用PLD制备了Co80Cr20磁性层,获得了很好的垂直磁化性质,膜厚减小,矫顽力和矩形比有所增加,600℃真空条件下制备的Co80Cr20(8 nm)/Ti90Cr10(14 nm)薄膜的矫顽力为65.25 kA/m,矩形比为0.86,并且讨论了Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜的磁化性质. 相似文献
6.
7.
用同时硒硫化共溅射Cu-In预制层的方法制备了CuIn(S,Se)2薄膜.为了了解热处理对CuIn(S,Se)2薄膜断面成分均匀性的影响,对经"一段式"热处理(500 ℃)和"二段式"热处理(250 ℃保温然后500 ℃)的样品进行了研究.XRD测试结果表明,经过"一段式"热处理后的样品XRD(112)峰出现劈裂现象,而经过"二段式"热处理的样品XRD(112)峰比较匀称.GIXRD和EDS测试证明样品经过"二段式"热处理后断面成分均匀性较好.通过XRD 和Raman测试对两种热处理下的反应机理进行了研究,阐述了两种热处理对CuIn(S,Se)2薄膜断面成分均匀性的影响的内在原因. 相似文献
8.
9.
利用脉冲激光沉积技术在c-Al2O3单晶基片上制备了Bi2Sr2Co2Oy热电薄膜并研究了沉积温度和氧压对薄膜晶体结构及电输运性能的影响.在最佳沉积条件下制备的单相、c轴取向的Bi2Sr2Co2Oy薄膜的室温电阻率ρ和塞贝克系数S分别为2.9mΩ/cm和110μupV/K,其功率因子S2/ρ好于在单晶样品上得到的值.此外,该薄膜在低温下表现出较强的负磁阻效应,在2K,9T时达到了40%. 相似文献
10.
以机械合金化法(MA)结合放电等离子烧结技术(SPS)制备了Bi2S3多晶块体热电材料. 研究了MA过程中干磨转速、湿磨时间和湿磨介质对Bi2S3多晶热电材料电传输性能的影响. 分析了样品的物相, 观察了显微组织, 测试了电传输性能和热传输性能. 研究表明, 以无水乙醇为湿磨介质时, 随着湿磨时间的延长, 出现了微量Bi2O3第二相, 样品的晶粒尺寸减小, 电阻率大幅增加, 功率因子下降. 以丙酮为湿磨介质时, 虽然不存在微氧化反应, 但是由于样品中存在大量孔洞, 导致功率因子降低. 425 r/min 干磨15 h后未湿磨的样品在573 K取得最大的ZT值0.25, 是目前文献报道的最高值. 相似文献
11.
利用传统固相反应方法, 分别在1440℃, 1460℃, 1480℃和1500℃烧结条件下, 制备了钙钛矿结构的La0.1Sr0.9TiO3陶瓷样品. 样品的粉末X射线衍射结果显示, 不同烧结温度的La0.1Sr0.9TiO3 陶瓷样品均为单相的正交结构. 从样品的扫描电子显微照片来看, 随着烧结温度的增加, 平均晶粒尺寸逐渐增大. 在室温至800℃的测试温区, 测试了样品的电阻率和Seebeck系数, 系统地研究了不同烧结温度对样品热电性能的影响. 结果表明, 样品的电阻率在测试温区内随着测试温度的升高先略微降低, 然后逐渐升高;总体来看, 样品的电阻率随烧结温度的升高先增大后降低. 在测试温区内, Seebeck系数均为负值, 表明样品的载流子为电子; 随着测试温度的升高, Seebeck系数绝对值均有所增大;随烧结温度升高, Seebeck系数绝对值逐渐增大后显著降低. 1480℃制备的样品因其相对较低的电阻率和相对较高的Seebeck系数绝对值, 在165℃时得到最大的功率因子21 μW·K-2·cm-1. 相似文献
12.
采用区熔法结合放电等离子体快速烧结(SPS)技术制备了n型Bi2Te3基热电材料.在300—500K的温度范围内测量了各热电性能参数,包括电导率(σ)、塞贝克系数(α)和热导率(κ),研究了掺杂剂TeI4的含量(质量百分比分别为0,0.05,0.08,0.10,0.13和0.15wt%)对热电性能的影响.结果表明:试样的载流子浓度(n)随TeI4含量增加而增大,使电导率增大、塞贝克系数的绝对值先增大而后减小,从而导致品质因子(α2σ)呈先增加后降低的变化趋势;同时,由于异质离子(I-)以及载流子对声子的散射作用增强,可显著降低其晶格热导率.烧结材料的性能优值(ZT=α2σT/κ)对应于TeI4含量为0.08wt%有其最大值,约为0.92.此外,烧结材料的抗弯强度增加至80MPa左右,从而可以显著改善材料的可加工性以及元器件的使用可靠性.
关键词:
2Te3')" href="#">Bi2Te3
放电等离子体快速烧结
热电性能 相似文献
13.
采用等离子增强化学气相沉积法, 以氨气和硅烷为反应气体, p型单晶硅为衬底, 低温下(200 ℃)制备了非化学计量比氮化硅(SiNx)薄膜. 在N2氛围中, 于500–1100 ℃范围内对薄膜进行热退火处理. 室温下分别使用Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱技术和X射线光电子能谱(XPS)技术测量未退火以及退火处理后SiNx薄膜的Si–N, Si–H, N–H键键合结构和Si 2p, N 1s电子结合能以及薄膜内N和Si原子含量比值R的变化. 详细讨论了不同温度退火处理下SiNx薄膜的FTIR和XPS光谱演化同薄膜内Si, N, H原子间键合方式变化之间的关系. 通过分析FTIR和XPS光谱发现退火温度低于800 ℃时, SiNx薄膜内Si–H和N–H键断裂后主要形成Si–N键; 当退火温度高于800 ℃时薄膜内Si–H和N–H键断裂利于N元素逸出和Si纳米粒子的形成; 当退火温度达到1100 ℃时N2与SiNx薄膜产生化学反应导致薄膜内N和Si原子含量比值R增加. 这些结果有助于控制高温下SiNx薄膜可能产生的化学反应和优化SiNx薄膜内的Si纳米粒子制备参数.
关键词:
x薄膜')" href="#">SiNx薄膜
Fourier变换红外吸收光谱
X射线光电子能谱
键合结构 相似文献
14.
15.
通过化学氧化合成的方法将纳米In_2O_3复合到聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)中得到In_2O_3/PEDOT复合材料.利用X射线衍射、红外光谱、电子显微镜及正电子湮没等方法对复合材料的微观结构进行了系统研究,同时对材料的热学和电学性能进行了表征.结果表明,当In_2O_3的含量在22 wt%以下时,In_2O_3能很好地分散到PEDOT基体中.热电性能测试则显示In_2O_3/PEDOT复合材料的导电率随In_2O_3含量增加明显增大.纯PEDOT的电导率仅为7.5 S/m,而含12.3 wt%In_2O_3的复合材料的电导率达到25.75 S/m.该复合材料相应的功率因子(68.8×10~(-4)μW/m·K~2)相对于纯的PEDOT(14.5×10~(-4)μW/m·K~2)提高了近4倍.另外,复合材料的热导率相对于纯PEDOT也有所降低.最终复合材料的热电优值由0.015×10~(-4)提高到了0.073×10~(-4).结果表明,In_2O_3/PEDOT复合材料的热电性能相对于纯PEDOT的热电性能得到了比较明显的提高. 相似文献
16.
在分子束外延(MBE)设备中,利用直接沉积C原子的方法在覆盖有SiO2的Si衬底(SiO2/Si)上生长石墨烯,并通过Raman光谱和近边X射线吸收精细结构谱等实验技术对不同衬底温度(500℃,600℃,700℃,900℃,1100℃,1200℃)生长的薄膜进行结构表征.实验结果表明,在衬底温度较低时生长的薄膜是无定形碳,在衬底温度高于700℃时薄膜具有石墨烯的特征,而且石墨烯的结晶质量随着衬底温度的升高而改善,但过高的衬底温度会使石墨烯质量降低.衬底温度为1100℃时结晶质量最好.衬底温度较低时C原子活性较低,难以形成有序的C-sp2六方环.而衬底温度过高时(1200℃),衬底表面部分SiO2分解,C原子与表面的Si原子或者O原子结合而阻止石墨烯的形成,并产生表面缺陷导致石墨烯结晶变差. 相似文献
17.
采用高温固相法在1300℃的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料 Sr2SnO4:Sb3+. 结果表明: 208 nm (Sb3+ 的1S0→1P1)和265 nm (1S0→3P1)的紫外光是Sr2SnO4:Sb3+ 的最有效信息写入光源; 其发射是覆盖400---700 nm的宽带(3P0,1→XXS0), 肉眼可看到淡黄色白光, 色坐标为(0.341, 0.395). 热释光谱研究结果表明: Sr2SnO4:Sb3+ 有分别位于39℃, 124℃, 193℃和310℃的四个热释峰. 其中, 39~℃的热释峰强度很低, 因而Sr2SnO4:Sb3+ 只具有不到140 s的微弱余辉. 而310℃的高温热释峰在空置1天后, 仍能保持约45.6%的初始强度, 并对980 nm的红外光有很好的红外上转换光激励响应. 因此, Sr2SnO4:Sb3+ 是一种具有一定的信息存储应用潜力的新型光存储发光材料. 相似文献
18.
采用机械合金化制备了n型(Bi1-xAgx)2(Te1-ySey)3合金粉体,对其进行XRD分析表明Bi,Te,Ag,Se单质粉末,经2h球磨后实现了合金化;SEM分析表明随着机械合金化时间延长粉体颗粒变得均匀、细小,颗粒尺寸在微米至亚微米数量级.采用放电等离子烧结制备了块体样品,研究了合金成分和球磨时间对热电性能的影响.结果表明材料的热电性能与掺杂元素有密切关系,Ag有利于提高功率因子和降低晶格热导率,球磨10h的(Bi0.99Ag0.01)2(Te0.96Se0.04)3合金粉末的烧结块体具有最大的功率因子和最低的晶格热导率,并在323K取得最高ZT值0.52.
关键词:
1-xAgx)2(Te1-ySey)3合金')" href="#">(Bi1-xAgx)2(Te1-ySey)3合金
机械合金化
放电等离子烧结
热电性能 相似文献
19.
为研究钆锆烧绿石固化Pu(Ⅳ)的相变化情况及化学稳定性, 以Gd2O3, ZrO2为原料, Ce(Ⅳ)作为Pu(Ⅳ)的模拟替代物质, 采用冷压热烧结的方法制备出Gd2Zr2-xCexO7(0≤ x≤ 2.0)系列样品. 分别在40 °C和70 °C的合成海水中, 对固化体的长期浸出性能进行研究. 借助粉末X射线衍射仪对所制备样品的物相信息进行收集, 利用等离子体质谱仪对固化体的浸出浓度数据进行分析. 研究结果表明: 当x ≤0.08时, 固化体保持为烧绿石相; 当x>0.08时, 固化体转变为具有缺陷的萤石型结构相. 固化体中Gd3+, Zr4+和Ce4+在合成海水中, 随着浸泡时间的延长浸出浓度逐渐上升, 70 °C下的浸出浓度高于40 °C下的浸出浓度. 在42 d时, 固化体中Gd3+的最大浸出浓度在0.032 μg·ml-1以下, Zr4+的最大浸出浓度在0.003 μg·ml-1以下; Ce4+的最大浸出浓度在0.032 μg·ml-1以下. 相似文献