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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 187 毫秒

1.  电共轭流体微型泵的实验研究(英文)  
   王海波  张如照  邹海龙  金俊完《强激光与粒子束》,2015年第2期
   为了解决MEMS技术制备具有超厚、高深宽比电极结构的射流发生器中三角柱电极尖端部分出现的弧形缺陷以及脱模时缝隙电极易脱落等问题,提高射流发生器的制作质量以及电共轭流体微型泵的输出性能。结合理论分析与反复试验提出了一系列改进措施:优化涂胶、热处理、显影等工艺的参数以及缝隙电极的形状,采用新型KMPR光刻胶去除方法等。通过应用上述方法获得的射流发生器中,三角柱电极-缝隙电极对厚度约500μm,深宽比高,三角柱电极尖端结构完整,缝隙电极附着率有很大提高。同时,利用制备的射流发生器,设计、装配了电共轭流体微型泵的样机。    

2.  硅基支撑系统的光刻工艺  
   罗跃川  张继成《强激光与粒子束》,2012年第24卷第11期
   为提高硅基支持系统制备中光刻过程的线宽精度,用正交试验分析了前烘、曝光、显影主要步骤中一些主要参数对制备结果的影响,得到了它们的影响程度的规律以及较优的参数组合.在此基础上设计和训练了合适的前向误差反向传播神经网络,对主要工艺参数进行了进一步的分析、预测和优选,并用实验加以验证.最终得到在胶厚约1.55μm时,前烘温度100℃,时间90 s;曝光时间5 s;显影温度15℃,时间90 s时,光刻后图形的线宽偏差最小,达到了0.3μm以下.    

3.  光学工艺 微细加工技术与设备  
   《中国光学与应用光学文摘》,2005年第6期
   TN305.7 2005064472 超厚SU-8负胶高深宽比结构及工艺研究=Process study of high-aspect-ratio ultrathick SU-8 microstrUCt ure[刊, 中]/张金娅(上海交通大学微纳米科学技术研究院,薄膜 与微细技术教育部重点实验室.上海(200030)),陈迪…∥ 功能材料与器件学报.-2005,11(2).-251-254 采用新型SU-8光刻胶在UV-LIGA技术基础上制备 了各种高深宽比MEMS微结构,研究了热处理和曝光两 个重要因素对高深宽比微结构的影响,解决了微结构的开 裂和倒塌等问题,优化了SU-8胶工艺,获得了最大深宽比 为27:1的微结构。图6表1参7(于晓光)    

4.  图形反转工艺制作OLED器件的阴极分离器  被引次数:1
   王军  杨刚  蒋亚东  于军胜  林慧  成建波《发光学报》,2007年第28卷第2期
   应用AZ5214光刻胶的反转特性,在玻璃基板上制作OLED器件的阴极分离器。指出影响倒梯形形状的主要因素为涂胶厚度、曝光量和反转烘烤。SEM测试表明分离器的断面呈倒梯形,倾角约为45°,胶厚3μm。得到了优化的制备分离器工艺参数:匀胶转速1200r/min,烘烤温度100℃,时间90s,曝光时间0.8s,反转烘温度125℃,时间45s,泛曝光时间5.5s,显影时间40s。    

5.  太赫兹波段金属阵列结构的透射及反射宽谱偏振特性  
   沈云  汪涛  汪云  邓晓华  曹俊诚  谭智勇  邹林儿  代国红《光学学报》,2018年第5期
   基于计算机仿真技术(CST)软件对二维金属光栅阵列在0.1~10THz波段的偏振特性进行了数值分析,利用光刻和金属薄膜工艺在500μm厚的高阻硅衬底上沉积了20nm厚的不同结构周期的金属铜光栅阵列,利用傅里叶变换光谱仪测量了该光栅阵列的透射及反射特性。结果表明:在太赫兹宽谱范围内,该光栅阵列的透射和反射都具有良好的偏振特性,且偏振特性范围可通过调整结构周期进行调节;该研究对太赫兹偏振器的进一步研究及应用提供了参考。    

6.  基于斜光刻技术的SU-8胶三维微阵列结构制备  
   李刚  李大维  赵清华  菅傲群  王开鹰  胡杰  桑胜波  程再军  孙伟《分析化学》,2016年第4期
   利用斜光刻技术替代传统的直光刻技术在相同底面积的基础上增大微阵列比表面积制备了高比表面积三维微阵列结构,.首先,利用MATLAB仿真对微阵列排布方式进行分析,确定最佳单个柱体宽度及阵列间距.实验中,采用两次甩胶法将SU-8光刻胶均匀旋涂在2寸硅基底上,甩胶转速设为1500r/min,旋涂时间设为35 s;分别置于65℃烘台上保持20 min和95℃烘台上保持70 min进行两次前烘处理;随后进行双向斜曝光,微柱宽度为20 μm,阵列间距为30 μm,光刻角度为20°.最后,再通过高低温后烘处理并显影30 min成功制备出了结构稳定的“Ⅹ”型三维微阵列结构.    

7.  大面积金纳米线光栅的制备  被引次数:1
   李响  庞兆广  张新平《光子学报》,2014年第40卷第12期
   利用激光干涉光刻和金纳米颗粒胶体溶液制备了宽度在100 nm以下且总面积达到平方厘米量级的金纳米线光栅结构.制备过程中,首先在表面镀有厚度约为200 nm的铟锡氧化物薄膜的面积为1 cm×1 cm的玻璃基片表面旋涂光刻胶,然后利用紫外激光干涉光刻制备光刻胶纳米光栅结构.有效控制干涉光刻过程中的曝光量、显影时间,获得小占空比的光刻胶光栅.再以光刻胶纳米光栅作为模板,旋涂金纳米颗粒胶体溶液.充分利用金纳米颗粒胶体溶液在光刻胶表面浸润性差的特点,限制旋涂后留存在光刻胶光栅槽中金纳米颗粒的数量,从而达到限制金纳米线宽度的目的.最后在250℃将样品进行退火处理5 min.获得了周期为400 nm且占空比小于1:4的金纳米线光栅结构,其有效面积为1 cm2.以波导共振模式与粒子等离子共振模式间耦合作用为特征的光谱学响应特性验证了波导耦合金属光子晶体的成功制备,为小传感体积新型生物传感器的开发提供了性能良好的金属光子晶体芯片.    

8.  全息光栅制作中光栅掩模形状随曝光量及干涉场条纹对比度的变化规律  
   韩建  巴音贺希格  李文昊  孔鹏《光学学报》,2012年第32卷第3期
   为了在光栅制作中对光栅掩模占宽比及槽深加以控制,结合光刻胶在显影过程中的非线性特性,建立了光栅掩模槽形演化的数学模型,由此分析和模拟曝光量、条纹对比度对光栅槽形的影响。结果表明:在显影条件确定时,光栅掩模占宽比随光刻胶曝光量的增大而减小,条纹对比度减小,则不仅使光栅占宽比减小,同时也是使光栅槽深减小的主要原因,这样做的前提是预先通过实验和计算确定出一个曝光量上限Ec。该方法能够反映光栅掩模形状的演化规律,为全息光栅参数预测和工艺控制提供依据。    

9.  一种新型紫外正型光刻胶成膜树脂的制备及光刻性能研究  被引次数:1
   谢文  刘建国  李平《影像科学与光化学》,2010年第28卷第1期
   本文合成了N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺单体,并将其与N-苯基马来酰亚胺共聚得到共聚物聚N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺(poly(NCMA-co-NPMI)).将此共聚物作为成膜树脂,与感光剂、溶剂等复配得到一种新型耐高温紫外正型光刻胶.本文探讨了该光刻胶的最佳配方组成和最佳光刻工艺.最佳配方组成为:15%—20%成膜树脂,4.5%—6%感光剂和70%—80%溶剂;最佳光刻工艺为:匀胶30 s(4000 rpm),前烘4 min(90℃),感度为30—35mJ/cm~2,在0.2%TMAH溶液显影10 s和后烘2 min(90℃).    

10.  一种控制矩形光刻胶光栅槽深和占宽比的方法  被引次数:3
   赵劲松  李立峰  吴振华《光学学报》,2004年第24卷第9期
   利用光刻胶的非线性效应可以制作出了矩形的全息光栅。制作矩形光栅时,对槽形的控制被简化为对槽深和占宽比这两个参量的控制。首先借助实时潜像监测技术获得最佳曝光量,然后根据显影监测曲线的特征找出光栅槽底的残胶厚度为零的显影时刻,就能得到槽底干净的矩形光栅,同时保证槽深近似等于光刻胶的初始厚度;如果此后继续显影,就能适度减小占宽比。实验结果和理论分析都证实了这种控制方法的可靠性。对1200lp/mm的光栅,目前工艺能精确调控的最大槽深为1μm,占宽比在0.2~0.6范围内。实验还揭示,为了提高对光栅槽形的调控能力,必须首先提高干涉条纹的稳定性。    

11.  新型玻璃刻蚀用光刻胶的研制  
   巫文强  柯旭  黄晔  王跃川《应用化学》,2007年第24卷第2期
   采用环氧树脂改性超支化聚酯制备了玻璃刻蚀用的光刻胶掩膜,研究了该感光树脂的感光活性、耐刻蚀性,以及加入HCI、HNO_3后刻蚀对玻璃刻蚀的影响。结果表明,所得感光树脂对玻璃有较好的附着力,厚度为40~50μm的胶膜在ω(HF)为40%的溶液中抗浮胶时间超过6 min,光刻胶初始曝光时间T_0为2.7 s,反差值γ_(gel)为2.8;混合刻蚀剂对载玻片玻璃的刻蚀速度≥35μm/min;以该光刻胶为单层掩膜,可得到线宽50μm的清晰刻蚀图样,玻璃的刻蚀深度超过38μm。    

12.  基于表面等离子激元的双金属光栅结构提高LED光提取效率的研究  被引次数:1
   王志斌  张骞  张健  刘丽君《发光学报》,2013年第34卷第12期
   为了提高GaN基LED的光提取效率,构建了一种在金属银膜上下表面分别刻蚀光栅结构的双光栅LED模型。利用时域有限差分法(FDTD)进行数值模拟,比较了无银膜、无光栅、单光栅、双光栅模型下LED的光提取效率。结果表明:在光栅周期为300 nm,占空比为0.23,银膜厚度为30 nm,光源深度为150 nm时,光提取效率较单光栅结构提高了6倍,较无光栅结构提高了16倍。    

13.  基于高温超导单晶材料的大尺寸约瑟夫森本征结制备工艺研究  
   张秋奕  姜振国  陈健  康琳  许伟伟  吴培亨《低温物理学报》,2012年第5期
   基于高温超导单晶材料Bi2Sr2CaCu2O8+x(BSCCO)的约瑟夫森(Josephson)本征结器件制备工艺,成功制备出形貌整齐、特性良好、一致性高的大尺寸太赫兹辐射源本征结器件.从工艺的各个步骤出发,总结了要点,并对原有工艺做出改进.通过扫描电子显微镜观察刻蚀形貌,总结了光刻最佳后烘温度条件,提出了一套重复性好、成功率高的工艺方法.    

14.  凹球面涂布光刻胶均匀性研究  被引次数:1
   赵晶丽  王惠卿  冯晓国  梁凤超《应用光学》,2009年第30卷第1期
   通过对离心法在凹球面上涂布光刻胶过程进行分析,阐明了离心状态下光刻胶在凹球面基底上的流动机理,结合试验提出影响凹球面涂布光刻胶膜厚均匀性的主要因素有胶液粘度、旋涂速度、旋涂时间,列举了以上因素引起的各种现象,并进行了理论分析。引用凹球面旋涂光刻胶的膜厚公式,建立了膜厚与速度关系数学模型;利用流体力学原理解释了有限圆形空间中流体速度对膜层均匀性的影响,从而解决了大曲率凹球面上制备微细图形结构的关键工艺问题,对非球面上制备微细图形具有借鉴作用。    

15.  TE0导模干涉刻写周期可调亚波长光栅理论研究  
   王茹  王向贤  杨华  叶松《物理学报》,2016年第65卷第9期
   通过棱镜耦合激发非对称金属包覆介质波导结构中的TE0导波模式, 利用两束TE0模的干涉从理论上实现了周期可调的亚波长光栅刻写. 分析了TE0模式的色散关系, 刻写亚波长光栅的周期与激发光源、棱镜折射率、光刻胶薄膜厚度及折射率之间的关系. 用有限元方法数值模拟了金属薄膜、光刻胶薄膜和空气多层结构中TE0导模的干涉场分布. 研究发现, 激发光源波长越短, TE0 模干涉刻写的亚波长光栅周期越小; 光刻胶越厚, 刻写的亚波长光栅周期越小; 高折射率光刻胶有利于更小周期亚波长光栅的刻写. 相较于表面等离子体干涉光刻, 基于TE0 模的干涉可在厚光刻胶条件下通过改变激发光源、棱镜折射率、光刻胶材料折射率、特别是光刻胶薄膜的厚度等多种方式实现对亚波长光栅周期的有效调控.    

16.  HfO2顶层多层介质膜脉宽压缩光栅的离子束刻蚀  
   徐向东  刘颖  邱克强  刘正坤  洪义麟  付绍军《物理学报》,2013年第62卷第23期
   多层介质膜光栅是高功率激光系统的关键光学元件. 为了满足国内强激光系统的迫切需求,首先利用考夫曼型离子束刻蚀机开展了HfO2顶层多层介质膜脉宽压缩光栅的离子束刻蚀实验研究. 采用纯Ar及Ar和CHF3混合气体作为工作气体进行离子束刻蚀实验,获得了优化的离子源工作参数. 结果表明,与纯Ar离子束刻蚀相比,Ar和CHF3混合气体离子束刻蚀时的HfO2/光刻胶的选择比大. HfO2的离子束刻蚀过程中再沉积效应明显,导致刻蚀光栅占宽比变大. 根据刻蚀速率分布制作的掩模遮挡板可以提高刻蚀速率均匀性,及时清洗离子源和更换灯丝,可保证刻蚀工艺的重复性. 利用上述技术已成功研制出多块最大尺寸为80 mm×150 mm、线密度1480线/mm、平均衍射效率大于95%的HfO2顶层多层介质膜脉宽压缩光栅. 实验结果与理论设计一致,为大口径多层介质膜脉宽压缩光栅的离子束刻蚀提供了有益参考. 关键词: 光栅 多层介质膜 离子束刻蚀    

17.  超宽谱透射式的太赫兹波正交偏振转换器  
   李恒一  张权  赵伟  郑虹  朱玲《物理实验》,2018年第8期
   利用CST电磁场仿真软件模拟设计了基于开口谐振环-介质-光栅3层结构的超宽谱透射式的太赫兹波正交偏振转换器件,研究了各层透射系数谱以及结构参量对偏振转换的影响,通过计算结构电场和电流分布分析了器件的工作原理.模拟结果表明:设计的器件实现在0.5~2.7THz频谱内,将入射的y偏振太赫兹光转换成x偏振光,转换效率高达99%.由结构电场分布以及表面电流分布推出,入射的y偏振太赫兹光耦合到开口环上,形成振荡的电偶极子,并辐射出太赫兹波x偏振分量.底部光栅层的作用是透过x偏振分量,并将剩余的y偏振光反射回开口环层,并在开口环层和光栅层间形成法布里-珀罗反射进一步提高偏振转换效率.可通过优化介质层厚度、光栅宽度和阵列周期关键参量来优化器件的转换性能.    

18.  准LIGA工艺的关键技术  
   陈光焱《工程物理研究院科技年报》,2004年第1期
   准LIGA(Lithography,Electroforming,Molding)技术采用便宜的紫外光作光源,可加工出较高精度的微结构产品,且加工温度较低,使得它在微传感器、微执行器等微结构产品加工中显示出突出的优点。利用现有实验条件在所内首次开展准LIGA技术的研究,主要研究厚胶光刻和微电铸技术。基本流程为:在导电的基片上经涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜等工艺过程得到胶模,再利用该胶模进行微电铸,即金属沉积,沉积过程中需要控制好温度、pH值、电流密度等参数,最后将金属结构和光刻胶进行分离,得到三维立体金属结构,如图1所示。    

19.  220GHz折叠波导UV-LIGA微加工工艺(英文)  
   马天军  孙建海  郝保良  李飞  伊福廷  刘濮鲲《强激光与粒子束》,2015年第2期
   真空电子器件的频率正向太赫兹频段发展,折叠波导慢波结构是行波管的核心部件,由于真空器件的尺寸与波长具有共渡性,频率越高,互作用结构的尺度越小,加工误差的要求越严格。传统的加工方法很难实现如此微小尺寸的结构,UVLIGA技术对于制造这种微型结构是一种很有前途的方法。用UV-LIGA方法制备真空器件的慢波结构,涉及到两个主要的问题:一是SU8厚胶匀胶过程中如何确保其厚度及其一致性;二是横向贯穿折叠波导中心的电子注通道如何成型。以220GHz折叠波导为研究对象,针对上述两个问题开展了相关的工艺试验,使用特制的PDMS模具,采用重力匀胶法,实现了大厚度SU8胶匀胶,表面平整,高度一致。在SU8光刻胶中通过专用夹具,嵌入透明有机丝,形成细长电子注通道。而后,采用脉冲电铸电源,在硫酸铜电铸液中电铸,获得了表面平整的无氧铜微结构。    

20.  聚合物阵列波导光栅的制作技术  被引次数:2
   张国伟  鄂书林  邓文渊  许英朝  唐晓辉  张大明《发光学报》,2006年第27卷第3期
   研究了聚合物阵列波导光栅AWG制作的几个关键技术。首先,为了克服反应离子刻蚀过程中单独使用光刻胶作掩膜而导致的光波导形状和尺寸偏离设计的缺点,采用了光刻胶与金属掩膜相结合的双掩膜技术进行器件制作。详细介绍了双掩膜技术制备聚合物AWG的过程,并得出铝膜作为掩膜的最佳厚度为100nm左右。测试给出了使用和没有使用双掩膜的对比结果,该结果表明使用双掩膜技术制作的波导质量明显好于单独使用光刻胶作掩膜制作的结果。其次,采用蒸气回溶技术来减小反应离子刻蚀产生的波导表面和侧壁的起伏,从而降低了波导的散射损耗。结果表明,蒸气回溶技术使所制作的波导表面的均方根粗糙度从41.307 nm降低到24.564 nm。    

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