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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 234 毫秒

1.  m-BiVO4与t-BiVO4的电子结构和光学性质的第一性原理研究  
   杨云飞  张晋敏  范梦慧  李鑫《原子与分子物理学报》,2018年第35卷第3期
   采用第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法, 计算了单斜m-BiVO4与四方t-BiVO4的电子结构和光学性质. 计算结果表明: m-BiVO4为间接带隙半导体, 禁带宽度为2.171 eV, t-BiVO4为直接带隙半导体, 禁带宽度为2.644 eV; m-BiVO4与t-BiVO4均可吸收紫外光及可见光, m-BiVO4还可以吸收部分红外光.    

2.  Effect of Pressure on Electronic Structures and Optical Properties of Rocksalt InN  
   许明耀  徐明  段满益  胡庆平《化学物理学报》,2010年第23卷第3期
   用基于密度泛函理论的第一性原理结合广义梯度近似研究了高压下盐岩相InN的电子结构和光学性质. 计算得到的晶格常数与实验值非常吻合,并发现Γ和X的带隙随压力增加而增大,而带隙在L点却并不明显. 计算出Γ点的带隙的压力系数是44 meV/GPa. 讨论计算得到的InN的光学性质,结合能带结构和电子态密度.    

3.  不同SnO2晶体结构的力学性能及电子结构  被引次数:1
   杜晔平  陈敬超  冯晶《物理化学学报》,2009年第25卷第2期
   采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法, 用广义梯度近似(GGA)PBE交换相关泛函, 对高压相变产生五种不同SnO2晶体结构的电子结构和力学性质进行了第一性原理计算. 计算结果表明, Pnam型SnO2的形成相对困难, 体模量较大, Pbca和Pnam型SnO2的维氏硬度值相差不明显. 不同晶体结构的带隙存在差异, 导带区域电子分布和弥散程度大于价带区域,局域性差. 五种SnO2晶体结构的价带部分约在-10 - 0 eV和-20 - -15 eV处, 主要贡献来自于O 2p、2s轨道. 光学性质计算表明, Pnam结构对紫外波段光的吸收最明显, 同时给出电子轨道跃迁规律.    

4.  不同SnO2晶体结构的力学性能及电子结构  被引次数:1
   杜晔平  陈敬超  冯晶《物理化学学报》,2009年第25卷第2期
   采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,用广义梯度近似(GGA)PBE交换相关泛函,对高压相变产生五种不同 SnO2晶体结构的电子结构和力学性质进行了第一性原理计算.计算结果表明,Pnam型SnO2的形成相对困难,体模量较大,Pbca和Pnam型SnO2的维氏硬度值相差不明显.不同晶体结构的带隙存在差异,导带区域电子分布和弥散程度大于价带区域,局域性差.五种SnO2晶体结构的价带部分约在-10-0 eV和-20--15 eV处,主要贡献来自于O2p、2s轨道.光学性质计算表明,Pnam结构对紫外波段光的吸收最明显,同时给出电子轨道跃迁规律.    

5.  黑索金电子结构和光学性质的第一性原理研究*  
   程和平  但加坤  黄智蒙  彭辉  陈光华《物理学报》,2013年第16期
   利用基于密度泛函理论的第一性原理方法对黑索金晶体的电子结构和光学性质进行了计算.结果表明:黑索金是能隙值为3.43 eV的绝缘体,价带主要由C, N和O的2s与2p态构成,而导带主要由N-2p和O-2p态构成;静态介电函数ε1(0)=1.38,介电常数的虚部有5个峰值,其中最大峰值在光子能量4.59 eV处,并对造成这些峰值的可能的电子跃迁做了详细分析.利用能带结构和态密度分析了黑索金的光反射系数、吸收系数及能量损失函数等光学性质,发现黑索金是对光吸收、反射及能量损失不敏感的材料.    

6.  Co-Cr共掺杂金红石型TiO_2电子结构和光学性质的第一性原理研究  被引次数:1
   杨志怀  张云鹏  康翠萍  张蓉  张美光《光子学报》,2014年第43卷第8期
   基于密度泛函理论,采用第一性原理赝势平面波方法计算了Co、Cr单掺杂以及Co-Cr共掺杂金红石型TiO2的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明:纯金红石的禁带宽度为3.0eV,Co掺杂金红石型TiO2的带隙为1.21eV,导带顶和价带底都位于G点处,仍为直接带隙,在价带与导带之间出现了由Co 3d和Ti 3d轨道杂化形成的杂质能级;Cr掺杂金红石型TiO2的直接带隙为0.85eV,在价带与导带之间的杂质能级由Cr 3d和Ti 3d轨道杂化轨道构成,导带和价带都向低能级方向移动;Co-Cr共掺杂,由于电子的强烈杂化,使O-2p态和Ti-3d态向Co-3d和Cr-3d态移动,使价带顶能级向高能级移动而导带底能级向低能方向移动,极大地减小了禁带的宽度,也是共掺杂改性的离子选择依据.掺杂金红石型TiO2的介电峰、折射率和吸收系数峰都向低能方向移动;在E2.029eV的范围内,纯金红石的ε2、k和吸收系数为零,掺杂后的跃迁强度都大于未掺杂时的跃迁强度,Co-Cr共掺杂的跃迁强度大于Co掺杂及Cr掺杂,说明Co、Cr共掺杂更能增强电子在低能端的光学跃迁,具有更佳的可见光催化性能.    

7.  Ta2O5电子结构和光学性质的第一性原理计算  
   包秀丽《原子与分子物理学报》,2012年第29卷第1期
   采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势方法,计算了Ta2O5的电子结构、态密度和和光学性质。能带结构计算表明,Ta2O5为间接带隙半导体,禁带宽度为2.51eV;价带主要由O 2s和Ta 5d,以及Ta 5d,6s电子态构成,导带主要由Ta 5d和O 2p构成;静态介电常数ε1(0)=3.96;折射率n=2.0。并利用计算的能带结构和态密度分析了Ta2O5的介电常数、吸收系数、折射率、反射率、光电导率和能量损失函数的计算结果,为Ta2O5的设计和应用提供了理论依据。    

8.  锰掺杂二硅化铬电子结构和光学性质的第一性原理计算  
   周士芸  谢泉  闫万珺  陈茜《光学学报》,2009年第29卷第10期
   采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了锰掺杂二硅化铬(CrSi2)体系的能带结构、态密度和光学性件质.计算结果表明末掺杂CrSi2属于间接带隙半导体间接带隙宽度△ER=0.35 eV;Mn掺杂后费米能级进入导带,带隙变窄,且间接带隙宽度△Eg=0.24 eV,CrSi2转变为n型半导体.光学参数发生改变,静态介电常数由掺杂前的ε1(O)=32变为掺杂后的ε1(O)=58;进一步分析了掺杂对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质的影响,为CrSi2材料掺杂改件的研究提供r理论依据.    

9.  第一性原理研究BiNbO4晶体的电子结构和光学性质  
   周朝彪  冉扬强  吴刚  付文羽  郑兴荣《原子与分子物理学报》,2015年第32卷第6期
   此文用密度泛函理论的平面波赝势方法研究BiNbO4的电子结构和光学性质.获得了BiNbO4是一种禁带宽度为2.74 eV的直接带隙半导体, 价带顶主要是由O-2p态与Bi-6s态杂化而成,而导带底主要是由Nb-4d态构成等有益结果; 还分析得出介电函数、复折射率、能量损失等光学性质与电子态密度、能带结构存在内在的联系.    

10.  OsSi2电子结构和光学性质的研究  被引次数:1
   李旭珍  谢泉  陈茜  赵凤娟  崔冬萌《物理学报》,2010年第59卷第3期
   采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对正交相OsSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明它是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0813 eV;其价带主要由Os的5d和Si的3p态电子构成;导带主要由Si的3s,3p以及Os的5d态电子构成;静态介电常数ε1(0)=1543; 折射率n=393并利用计算的能带结构和态密度分析了OsSi2的介电函数、吸收系数、折射率、反射率、    

11.  Fe,Ni掺杂CdS的电子结构和光学性质  
   包秀丽  李春霞《原子与分子物理学报》,2012年第29卷第2期
   基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理研究了Fe,Ni单掺杂和(Fe,Ni)共掺杂CdS的能带结构、电子态密度分布、介电常数和光学吸收系数,分析了掺杂后电子结构和光学性质的变化.计算结果表明:掺杂体系的CdS晶格常量均减少,能带宽度减小,介电函数虚部ε2(ω)都在0.53 eV左右出现了一个新峰,吸收光谱发生明显的红移,它们均在1.35 eV处出现较强吸收峰.    

12.  Sc掺杂正交相Ca2Si电子结构及光学性质的第一性原理  
   冉耀宗  高冉  黄浦  谢泉  陈茜  丰云《光谱实验室》,2012年第29卷第6期
   采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对块体及掺Sc的正交相Ca2Si的电子结构和光学性质进行了系统计算.计算结果表明,掺Sc后的Ca2Si能带向低能端偏移,形成n型半导体,正交相结构能隙变为0.6084eV,相比块体Ca2Si带隙加宽了一倍,但仍为直接带隙半导体.Ca2Si掺杂Sc后,正交相导带主要是Ca的4s、3d态和Sc的3d、3p态电子构成,静态介电常数变大,折射率也变大,吸收系数相比块体在低能段基本无变化,在高能段虽吸收系数减小,但仍保持105数量级且大于β-FeSi2的吸收系数,说明Ca2Si在太阳能电池上具有较好的应用前景.通过掺杂有效调制了Ca2Si的电子结构和光学性质,计算结果为Ca2Si光电材料的设计与应用提供了理论依据.    

13.  Sc掺杂Ca3Si4的电子结构和光学性质  
   高冉  谢泉《光谱实验室》,2013年第30卷第1期
   利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对Sc掺Ca3Si4的电子结构和光学性质进行了系统的计算和分析比较.研究结果为块体Ca3Si4是间接带隙半导体,带隙为0.372eV,价带主要是由Si的3s和3p及Ca的3d态电子构成,导带主要是由Ca的3d态电子构成,静态介电常数ε1(0)=19,折射率n0=4.35;吸收系数在能量3.024eV处达到最大峰值1.56×105cm-1.而掺杂Sc变为n型半导体;费米能级附近的导带主要则由Ca的3d态电子和Sc的3d态电子构成,静态介电常数变为ε1(0)=54.58,折射率n0=7.416;吸收系数在能量5.253eV处达到最大峰值1.614×105cm-1.通过掺杂有效调制了Ca3Si4的电子结构和光学性质,计算结果为Ca3Si4光电材料的设计与应用提供了理论依据.    

14.  金红石型TiO2点缺陷性质的第一性原理研究  被引次数:7
   冯庆  王新强  刘高斌《原子与分子物理学报》,2008年第25卷第5期
   本文运用基于局域密度泛函和赝势的第一性原理方法研究了金红石相TiO2点缺陷的电子性质,结果表明氧空位缺陷使晶体的费米能量升高,在能隙中没有产生杂质能级.钛空位缺陷使晶体的费米能量降低,并在价带顶部产生了一个杂质能级,与价带顶能量相差约0.4 eV.本文还计算了金红石相TiO2在具有氧空位和钛空位点缺陷情况下的键长变化、态密度和电荷布居状况.    

15.  钛铁矿型六方相ZnTiO3的电子结构和光学性质  被引次数:1
   张小超  樊彩梅  梁镇海  韩培德《物理化学学报》,2011年第27卷第1期
   分别采用基于密度泛函理论(DFT)的局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)方法对钛铁矿型六方相ZnTiO3的电子结构进行了第一性原理计算, 并在局域密度近似下计算了六方相ZnTiO3的光学性质, 并将计算结果与实验数据进行了对比. 结果表明, 在局域密度近似下计算得到的结构参数更接近实验数据. 理论预测六方相ZnTiO3属于直接带隙半导体材料, 其禁带宽度(布里渊区Z 点)为3.11 eV. 电子态密度和Mulliken 电荷布居分析表明Zn―O键是典型的离子键而Ti―O键是类似于钙钛矿型ATiO3 (A=Sr, Pb, Ba)的Ti―O共价键. 在50 eV的能量范围内研究了ZnTiO3的介电函数、吸收光谱和折射率等光学性质, 并基于电子能带结构和态密度对光学性质进行了解释.    

16.  FeS2能隙的外压微扰调制  
   肖奇  邱冠周  胡岳华  王淀佐《高压物理学报》,2002年第16卷第3期
    采用基于密度泛函理论的自洽赝势方法,计算了FeS2在外压调制下的电子结构性质。计算结果表明:随着压缩度的增加,外压调制下的Fe—S键长缩短,FeS2小的能隙变宽,Fe的d电子与S的p电子杂化增强,原子间相互作用增大。这一能隙随压力增大而增大的结果,与非导体在高压下金属化的特征相反。    

17.  α-BeH2电子结构与光学性质的第一性原理研究  
   彭敏  韦建军  张季  刘丽《原子与分子物理学报》,2016年第33卷第6期
   基于密度泛函理论,采用赝势平面波方法研究了α-BeH2的结构、电子和光学性质。基态下,α-BeH2的晶格常数a和体积弹性模量B0计算值与实验值及其它理论值一致。根据能带理论研究了α-BeH2基态下的能带结构、总态密度(DOS)和分波态密度(PDOS)。经过分析发现α-BeH2为直接能隙半导体材料,能隙为5.44eV,与文献相比,本文计算的结果偏低,这主要是利用第一性原理中的局域密度近似(LAD)或广义梯度近似(GGA)交换关联能函数计算材料的带隙宽度或者磁耦合的理论结果均会偏低。通过对基态α-BeH2的Mulliken电荷分布和集居数的分析发现:α-BeH2属于离子键和共价键所形成的混合键化合物;α-BeH2的电荷总数分别来源于各自的H 1s轨道,Be 2s和2p轨道。同时本文还分析研究了α-BeH2的光学介电函数、吸收系数、复折射率、反射系数和能量损失等光学性质。    

18.  α-BeH2电子结构与光学性质的第一性原理研究  
   彭敏  韦建军  张季  刘丽《原子与分子物理学报》,2015年第32卷第4期
   基于密度泛函理论,采用赝势平面波方法研究了α-BeH2的结构、电子和光学性质。基态下,α-BeH2的晶格常数a和体积弹性模量B0计算值与实验值及其它理论值一致。根据能带理论研究了α-BeH2基态下的能带结构、总态密度(DOS)和分波态密度(PDOS)。经过分析发现α-BeH2为直接能隙半导体材料,能隙为5.44eV,与文献相比,本文计算的结果偏低,这主要是利用第一性原理中的局域密度近似(LAD)或广义梯度近似(GGA)交换关联能函数计算材料的带隙宽度或者磁耦合的理论结果均会偏低。通过对基态α-BeH2的Mulliken电荷分布和集居数的分析发现:α-BeH2属于离子键和共价键所形成的混合键化合物;α-BeH2的电荷总数分别来源于各自的H 1s轨道,Be 2s和2p轨道。同时本文还分析研究了α-BeH2的光学介电函数、吸收系数、复折射率、反射系数和能量损失等光学性质。    

19.  BaZrO3和CaZrO3能带和光学性质的第一性原理研究  被引次数:1
   王英龙  吴转花  褚立志《原子与分子物理学报》,2009年第26卷第1期
   采用基于密度泛函理论基础上的CASTEP软件包,计算了BaZrO3和CaZrO3的能带以及光学性质.计算得到BaZrO3直接带隙和间接带隙分别为3.49 eV和3.23eV,CaZrO3直接带隙和间接带隙分别为3.73 eV和3.38 eV.对这两种材料的介电函数、吸收系数、反射系数、折射系数、湮灭系数和能量损失系数等光学系数进行了计算,并基于电子能带对光学性质进行了解释.得出,光学特性的异同是由于其内部微观结构上的异同所引起的.    

20.  用第一性原理研究K空位对KDP晶体激光损伤的影响  被引次数:1
   王坤鹏  张建秀  房昌水  于文涛  王圣来  顾庆天  孙洵《强激光与粒子束》,2006年第18卷第4期
    用基于密度泛函理论及超软赝势的第一性原理研究了KH­­­2PO4(KDP)晶体中K空位的电子结构、形成能及驰豫构型。讨论了K空位形成后电荷密度的重新分布、相应的电子态密度和能带结构等性质。计算得到中性K空位的形成能为6.5 eV, 远小于间隙K原子点缺陷形成能13.07 eV。K空位的存在使晶胞体积增大, 分别沿结晶学轴a方向增大近0.8%, b方向增大近0.87%, c方向增大近1.2%,同时使与之配位的8个氧原子发生较大位移,使这8个氧形成的空腔体积增大近3.2%。空腔体积的增大不仅促进了各种点缺陷的扩散迁移,而且有利于其它杂质原子的填隙。K原子迁移率的增大会引起离子电导率的增大,因而会降低KDP的激光损伤阈值,因此从这个方面讲,K空位的存在是不利的。但是如果能从实验上(如热退火)利用K空位所造成的扩散通道排出或改善缺陷结构,则可提高KDP晶体的光学质量。    

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