一种计算氩等离子物态方程的简单模型

将Thomas-Feimi统计模型电离势的数值结果进行函数逼近，给出一个便于近似数值求解的解析表达式和计算电离度的近似计算方法，计算了Ar元素LTE情况下的电离度和物态方程，结果与Saha模型的计算结果和实验结果符合较好.所提出的简单模型也适用于计算混合物物态方程，可以在电磁发射技术领域中的强电离等离子体中有广阔的应用前景. 关键词： 等离子体 物态方程 电离势 电离度     

钇小团簇的结构和电离势的计算

采用密度泛函DFT中的B3LYP方法，选择LANL2DZ双ζ基组，优化并得到了Y_n=(n=2—8)小团簇的基态平衡结构，同时计算出其电离势.结果表明，钇原子之间形成团簇最稳定的结构是倾向于平均配位数最大，其电离势没有“奇-偶”振荡或“幻数”效应，表明Y_n团簇光致电离开始主要发生在Y原子局域化的4d轨道上的电子而不是在5s上.对Tomasz提出的钇团簇电离势的解析式进行合理地修正，修正后电离势解析式的计算值与实验值更接近. 关键词： Y团簇 密度泛函 平衡几何结构 电离势     

正电子冲击下氦电离三重微分截面的理论计算

我们发展了一种正电子碰撞原子电离的畸变波Born近似方法， 在这个方法中，正负电子偶素通道通过一个ab initio的光学势附加到入射粒子和靶的相互作用势上，且通道对电离作用被第一次被考虑在正电子碰撞原子电离的过程中. 应用这个方法计算了在50 eV入射能量范围氦的电离的三重微分截面，计算结果和实验数据很好的符合.     

离子极化势对钙原子共面对称(e,2e)反应影响的数值研究

本文使用扭曲波波恩近似方法(DWBA)研究了共面对称条件下钙原子的电子碰撞电离反应( (e,2e)反应 )，在DWBA理论的基础上，考虑了原子极化势和离子极化势对三重微分散射截面的影响。采用发展的DWBA方法，我们研究了出射电子能量从6.75eV到29.25eV范围内电子与钙原子的碰撞电离过程，计算了电离三重微分截面。通过与已有理论和实验数据进行比较发现，离子极化势对钙原子的共面对称(e,2e)反应散射微分截面有较大的影响，很好的描述了碰撞电离微分截面的结构效应，特别是在散射角度较小时(≦60o)，本文计算结果与实验测量非常一致。     

类铜铅离子自电离速率与双电子俘获强度的扭曲波计算

 采用相对论扭曲波近似方法对高离化态类铜铅离子的自电离速率系数与双电子俘获强度进行了计算。计算结果表明:旁观电子的变化使自电离速率系数呈现出规律性变化。同时用该方计算了Ta元素类铜离子、Au元素类镍离子的自电离速率系数，将结果同相关文献的相对论多参数势方法、准相对论性Hartree-Fock-Relativistic方法以及自旋-轨道劈裂跃迁组模型方法所得结果进行了比较，符合得很好。     

惰性物质等离子体物态方程研究

对高温高压下惰性等离子体的电离度和物态方程，给出了一种基于Thomas-Feimi(TF)统计模型的简化计算新方法，即首先对TF模型电离势的数值结果进行函数逼近，得出近似计算电离势的简单解析函数；在局部热动平衡情况下，假定离子数密度n(Z^*)为Z^*的连续函数，再由Debye-Hückel修正的 Saha 方程，得出了一个便于数值求解的电离度的近似计算公式，从而建立了一种惰性等离子体物态方程的简化模型，并对氦、氖、氩三种惰性物质等离子体进行了计算.计算结果与其他文献计算结果和实验值均符合很好.所提出的简单模型也适用于计算混合物物态方程，在高温高密度强电离等离子体领域将有更为广阔的应用前景.     

类锂离子内壳激发1s2s2 2S态的电离势和Auger跃迁率

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法,并考虑相对论修正、质量极化效应,计算了类锂等电子系列(Z=10～20) 1s2s2 2S态的电离势、Auger跃迁率和辐射跃迁率.同时还计算了QED效应和高阶相对论修正对电离势的贡献.     

类锂离子内壳激发1s22s22S态的电离势和Auger跃迁率

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法,并考虑相对论修正、质量极化效应,计算了类锂等电子系列(Z=10～20) 1s2s2 2S态的电离势、Auger跃迁率和辐射跃迁率． 同时还计算了QED效应和高阶相对论修正对电离势的贡献．     

低和中等电离度离子的电子碰撞电离截面的扭曲波计算

利用扭曲波Born交换近似方法计算了Ne⁺，…，Ne⁶⁺的电子碰撞电离截面，计算结果同实验和其他理论结果相一致.为满足实际应用需要，给出了高精度的拟合公式.还讨论了扭曲波Born交换近似方法对低电离度离子的适用性以及交换势的引进对计算结果的影响. 关键词：     

离子极化势对钙原子共面对称(e,2e)反应影响的数值研究

本文使用扭曲波波恩近似方法(DWBA)研究了共面对称条件下钙原子的电子碰撞电离反应((e,2e)反应),在DWBA理论的基础上,考虑了原子极化势和离子极化势对三重微分散射截面的影响.采用发展的DWBA方法,我们研究了出射电子能量从6.75 e V到29.25 e V范围内电子与钙原子的碰撞电离过程,计算了电离三重微分截面.通过与已有理论和实验数据进行比较发现,离子极化势对钙原子的共面对称(e,2e)反应散射微分截面有较大的影响,很好的描述了碰撞电离微分截面的结构效应,特别是在散射角度较小时(≦60o),本文计算结果与实验测量非常一致.     

原子镁的电子碰撞电离

使用Ｒ－矩阵方法，在扭曲库仑－玻恩非交换近似下（ＤＣＢＮＸ）采用二态密耦图象，计算了原子镁从电离阈值附近到１００ｅＶ范围的电子碰撞电离截面。从能量微分截面可看到明显的Ｒｙｄｂｅｒｇ系列共振。     

HG-AFS法测定甲鱼肉中硒

采用湿法消解原子荧光光度法对甲鱼肉中硒元素含量进行了分析测定。该方法加标回收率为96．2％～103．0％,相对标准偏差（RSD）为3．69％,猪肉国家标准物质（GBW08552）的测定值与标准值相吻合。结果表明：甲鱼肉中硒元素的含量非常丰富,硒含量是普通动物鲜肉中的1．2～9．4倍;是新鲜瓜果蔬菜的几十至几百倍。本测定结果可为研制开发富硒甲鱼保健食品提供有价值的和可靠的科学依据。     

单缝石英管原子捕集原子吸收光谱法测定净水剂中铅

本文研究了单缝石英管贫焰捕集 脉冲富焰释放原子捕集原子吸收光谱法测定净水剂中的铅 ,对测定条件和干扰元素进行了探讨 ,拟定了简便、快速测定净水剂中铅的新方法。本法线性范围为 0～ 10 0 μg·L-1,回收率为 97%～ 10 3% ,相对标准偏差为 2 6 %～ 2 8% ,用于实际样品中铅的测定 ,结果满意     

光谱法分析研究新疆瓜果微量元素含量

利用原子吸收法和原子发射法对新疆十一类瓜果八种微量元素进行检测,并与中国生物标准进行比较分析。结果发现,新疆和田地区苹果含锌66.75mg.kg-1、含钾819.2mg.kg-1、含锰4.657mg.kg-1,大枣含锶8.62mg.kg-1;新疆库尔勒地区石榴含钾687mg.kg-1;新疆哈密地区大枣锰、锌、锶、钙、铁、镍和钾七种微量元素含量均高出各相应的中国生物标准;在十一类瓜果中铜元素含量均低于中国生物标准;八种微量元素含量平均值在新疆库尔勒石榴、新疆和田苹果、新疆哈密大枣中表现很高(分别为91.82,121.5,275.3mg.kg-1);在新疆五家渠种植的西瓜中八种微量元素表现出果皮中平均含量(54.19mg.kg-1)是瓤中平均含量(48.69mg.kg-1)的1.11倍。其研究结果对新疆瓜果营养成分研究提供科学的基础数据。     

原子层沉积制备氧化锌纳米薄膜的光学性质研究

采用原子层沉积技术(ALD),以二乙基锌和水为前驱体,在衬底温度分别为110和190℃的条件下制备了致密的氧化锌纳米薄膜。采用X射线光电子能谱,荧光光谱和椭偏仪等表征手段对薄膜的成分和光学性质进行了研究。结果表明,随着沉积温度的增加,氧化锌薄膜内—OH含量降低,说明氧化锌薄膜生长过程中的化学反应更加完全;另外,沉积温度增加后,薄膜在365nm处的激子发射峰出现了明显的增强,同时可见光区的荧光发射峰消失,表明薄膜内的缺陷态减少。随着成膜质量的提高,氧化锌薄膜的电子迁移率从25提高至32cm~2·(V·S)~(-1)。椭偏测量的拟合结果表明,在375~800nm的波长范围内,氧化锌薄膜的折射率逐渐从2.33降至1.9,呈现出明显的色散现象;另外,不同温度下制备的氧化锌薄膜光学带隙均为3.27eV左右,这说明沉积温度对薄膜的带隙没有明显影响。     

原子捕集-火焰原子吸收光谱法测定中草药中痕量镉

考察了火焰条件、捕集管与燃烧器和光束的距离、冷却水流量、捕集时间等实验条件对原子捕集 火焰原子吸收光谱法测定镉的灵敏度的影响 ,实验优选出的最佳实验条件为 :乙炔流量 90L·h- 1 ,捕集管距离燃烧器缝口 5mm ,捕集管距离光束 2mm ,冷却水流量 1 5L·min- 1 ;采用 5 0ng·mL- 1 的镉标准溶液对吸光度与捕集时间的关系进行了考察 ,结果发现 ,在 0～ 6min的捕集时间内二者呈良好的线性关系。在最佳实验条件下 ,捕集时间为 2min时 ,镉的特征浓度为 1 8ng·mL- 1 ,检出限为 0 4 2ng·mL- 1 ,分别较常规火焰原子吸收光谱法的特征浓度和检出限改善了 16倍和 5倍 ,方法的精密度 (RSD)为 1 8%。利用所建立的原子捕集 火焰原子吸收光谱法 ,在最佳实验条件下 ,对人参、丹参、苦参和党参及其水煎液中的痕量镉进行了测定 ,样品的测定回收率在 89 5 %～ 10 4 %之间 ,结果令人满意。     

氦原子及类氦离子基态能量的经验公式

通过对氦原子和类氦离子电离能数据的分析 ,找到了一个能够快速计算类氦体系基态能量的经验公式 ,验算了一些类氦离子 (Z=2— 1 5 )的基态能量 ,与实验测量值符合得很好。除了 Li 和 Be 的基态能量的相对偏差为 0 .4 46 %外 ,其他的都低于 0 .4 %。     

Modelling the diffraction of laser-cooled atoms from magnetic gratings

The diffraction of laser-cooled atoms from a spatially-periodic potential is modelled using rigorous coupled-wave analysis. This numerical technique, normally applied to light-diffraction, is adapted for use with atomic de Broglie waves incident on a reflecting diffraction grating. The technique approximates the potential by a large number of constant layers and successively solves the complex eigenvalue problem in each layer, propagating the solution up to the surface of the grating. The method enables the diffraction efficiencies to be calculated for any periodic potential. The results from the numerical model are compared with the thin phase-grating approximation formulae for evanescent light-wave diffraction gratings and idealised magnetic diffraction gratings. The model is applied to the problem of diffracting Rb atoms from a grating made from an array of permanent magnets. Received 13 June 2000 and Received in final form 15 December 2000     

Two-particle density matrix calculation for atom by modified perturbation theory

The two-particle density matrix of hydrogen atoms moving in a solid film is calculated. The probability of surviving a bound state between electron and proton in the course of the atomic motion in the film is discussed. The surviving fraction of the initial beam possesses the increased energy of the Coulomb attraction and lowered energy losses. This fraction can be responsible for the observed number of Rydberg states in the exit beam.     

Energetics of dopant atoms in subsurface positions of diamond semiconductor

We present a set of ab initio energetics for a substitutional boron (B) impurity atom in subsurface positions, from the topmost to the fifth atomic layer, of both C(001)-2×1:H and C(111)-1×1:H. We compare the calculated surface-B binding energies with those obtained for P [T. Miyazaki, H. Kato, H. Okushi, S. Yamasaki, e-J. Surf. Sci. Nanotech. 4 (2006) 124]. The surface-P binding energies become larger as the position of P is closer to the two surfaces. They are up to 4 eV for C(001)-2×1:H and 2.6 eV for C(111)-1×1:H, respectively. For B, in contrast, the binding energies are within 0.5 eV for both surfaces. An implication of our finding in the context of a mechanism for P and B doping in diamond is discussed.