Ho2(Co,Si)17化合物的结构与磁晶各向异性

用三弧Czochralski法和真空电弧熔炼法制备了Ho2Co17-xSix化合物.通过X射线衍射和磁性测量手段研究了化合物的结构与内禀磁性.重点讨论了磁晶各向异性和自旋重取向转变.实验结果表明,Ho2Co17为Th2Ni17型六角结构,在0.5≤x≤3的化合物均为Th2Zn17型菱方结构,能够获得单相2:17型化合物的最大Si含量是x=3.在x≤2的浓度范围,化合物的易磁化方向垂直于c轴.随Si含量增加,化合物的居里温度和Co原子平均磁矩单调减少.根据Ho2Co17-xSix化合物的居里温度和自旋重取向温度,获得了磁相图.根据热磁曲线,确定了温度补偿点.在Ho2Co17化合物中观察到了在1005 K发生自旋重取向转变.     

金属间化合物Ho2Co17-xSix的结构和磁性研究

研究了非磁性原子Si替代Co对Ho2Co17金属间化合物结构和磁性的影响。X射线衍射结果表明,所有Ho2Co17-xSix（x=0.5,1.0,1.5,2.0,2.5,3.0）化合物都为Th2Ni17型六角结构;化合物的晶格常数和单胞体积都随Si含量的增加而呈线性下降。磁性测量结果表明,Ho2Co17-xSix化合物的饱和磁化强度随Si含量的增加而呈线性下降。从热磁曲线测量观察到,Ho2Co17-xSix化合物在x=0.5时可能呈面各向异性,当0.5≤x≤3.0时出现由易面到易轴的自旋重取向,自旋重取向温度Tsr随Si原子含量的增加先下降,而后双上升,在x=2.5处出现最低点。     

(Nd1－xErx)3Fe25Cr4.0(0≤x≤1.0) 化合物的结构与磁性

合成了(Nd1-xErx)3Fe25Cr4.0(0≤x≤1.0)系列化合物并采用x射线衍射和磁测量等手段研究了它们的结构和磁性.发现当0≤x≤0.8时化合物保持Nd3(Fe,Ti)29型结构,属于单斜晶系,A2/m空间群,当0.8＜x≤1.0时,化合物形成一种哑铃对Fe-Fe无序替代Th2Ni17结构,P63/mmc空间群.随着Er含量的增加,化合物的居里温度TC和饱和磁化强度Ms单调下降.当x=0时,Nd3Fe25Cr4.0化合物的易磁化方向非常靠近[040]方向,仅略微偏离15结构的基面,但随Er含量的增加,(Nd1-xErx)3Fe25Cr4.0化合物的易磁化方向从靠近[040]方向转向靠近[4 0 2]方向,同时与15结构的基面所成的倾角也增大.通过测量交流磁化率发现,x=0-0.4和x=1.0的化合物在低温下出现自旋重取向.在x=0-0.4的化合物中,自旋重取向温度Tm随Er含量增加单调升高.用高达13T的磁场测量难磁化方向的磁化曲线发现,在0≤x≤0.8的化合物中发生了一级磁化过程(FOMP),其临界场Bcr随Er含量的增加而降低.     

少量Mn替代对Gd2Co17化合物结构与磁性的影响

通过X射线衍射和磁性测量研究了Gd2Co17-xMnx(x=0—1)化合物的结构和磁性.X射线衍射表明样品均为Th2Zn17型菱方结构.晶胞体积随Mn含量x线性增大,居里温度TC单调下降,饱和磁化强度Ms单调增加,化合物的磁晶各向异性场μ0Ha先随Mn含量减少,当x=0.6时达到最小,然后再增大 关键词： 2∶17型化合物 晶体结构 磁性     

(Nd1－xGdx)3Fe27.31Ti1.69化合物的结构和磁性

通过X射线衍射和磁性测量等手段研究了(Nd_1-xGd_x)₃Fe_27.31Ti_1.69(0≤x≤0.6)化合物的结构和磁性.X射线衍射测量结果表明Gd替代后并未改变Nd₃(Fe,Ti)₂₉化合物的晶体结构，但引起了晶胞体积收缩.随着Gd含量的增加，化合物的居里温度T_C和室温磁晶各向异性场B_a单调增加，而自旋重取向 关键词： 1-xGd_x)₃Fe_27.31Ti_1.69化合物')" href="#">(Nd_1-xGd_x)₃Fe_27.31Ti_1.69化合物 磁晶各向异性 自旋重取向 磁相图     

(Nd_(1-x)Er_x)_2Co_(15.5)V_(1.5)的结构转变与磁性

利用电弧熔炼制备了 (Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5(x=0— 1 0 )化合物样品 .通过x射线衍射分析和磁性测量研究了Er替代Nd2 Co1 5 5V1 5中的Nd时对化合物结构和磁性的影响 .研究结果表明 ,低Er含量 (x <0 4 ) ,化合物为Th2 Zn1 7型结构 ;高Er含量时 (x >0 5 ) ,化合物转变为Th2 Ni1 7结构 ;Er含量为x =0 4和 0 5时 ,两种结构共存 .两种结构的晶胞参数a ,c和晶胞体积V随着Er含量的增加都呈现递减的趋势 .随着Er含量的增加 ,(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的居里温度和饱和磁化强度都单调下降 .(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的室温各向异性由低Er含量时的易锥型转变为高Er含量时的易轴型 .x =0— 0 5的化合物在温度升高时发生自旋重取向转变 ,自旋重取向温度Tsr随Er含量的增加而减小     

(Nd1－xErx)2Co15.5V1.5的结构转变与磁性

利用电弧熔炼制备了(Nd1-xErx)2Co15.5V1.5（x=0—1.0）化合物样品.通过x射线衍射分析和磁性测量研究了Er替代Nd2Co15.5V1.5中的Nd时对化合物结构和磁性的影响.研究结果表明，低Er含量（x<0.4），化合物为Th2Zn17型结构；高Er含量时(x>0.)，化合物转变为Th2Ni17结构；Er含量为x＝0.4和0.5时，两种结构共存.两种结构的晶胞参数a,c和晶胞体积V随着Er含量的增加都呈现递减的趋势.随着Er含量的增加，(Nd1-xErx)2Co15.5V1.5化合物的 关键词： (Nd1-xErx)2Co15.5V1.5 结构转变 磁性     

(Nd1-x Erx)3 Fe25 Cr4.0(0≤x≤1.0)化合物的结构与磁性

合成了 (Nd1 -xErx) 3Fe2 5Cr4 . 0 (0≤x≤ 1 .0 )系列化合物并采用x射线衍射和磁测量等手段研究了它们的结构和磁性 .发现当 0≤x≤ 0 . 8时化合物保持Nd3(Fe,Ti) 2 9型结构 ,属于单斜晶系 ,A2 m空间群 ,当 0 8相似文献   

Co和稳定元素对Nd3(Fe,Co,M)29 (M=Ti,V,Cr) 化合物结构和磁性的影响

利用x射线衍射和磁测量研究了不同稳定元素Co以及Ti,V和Cr替代对Nd3Fe29-x-yCoxMy(M=Ti,V,Cr)化合物结构和磁性的影响.研究发现:每一个稳定元素都有一替代量极限,在此极限以内所有化合物均为Nd3(Fe,Ti)29型结构,A2/m空间群.不同稳定元素的溶解极限不同.Co的替代量与稳定元素有关,当以Cr作为稳定元素时,Cr的替代量随着Co含量的提高而提高,直到得到纯Co基3:29相化合物.Ti和V作为稳定元素时,Co原子的最大替代量分别为6.63和12.所有Nd3(Fe,Co,M)29(M=Ti,V,Cr)化合物在室温下均表现为平面各向异性.Nd3Fe26.8-xCoxV2.2的居里温度TC和饱和磁化强度Ms随着Co含量的增加而单调增加,自旋重取温度随Co含量增加而呈上升趋势,但在x=6处有一最小值,这可能与Co的择优占位有关;而Nd3Fe29-x-yCoxCry的居里温度和饱和磁化强度随着Co含量的增加先增加后降低,只在x=0和x=6处观察到自旋重取向现象.     

化合物HoMn6Sn6的磁晶各向异性及自旋重取向相变研究

采用交换相互作用的分子场理论模型对金属间化合物HoMn₆Sn₆的自旋重取向相变进行了研究. 从理论上计算了HoMn₆Sn₆的易磁化方向以及Ho和Mn离子磁矩与c轴夹角随温度的变化. 基于单离子模型计算了Ho离子的一阶和二阶磁晶各向异性常数K_1R和K_2R随温度的变化. 研究表明，为了很好描述该化合物的自旋重取向相变，必须考虑Ho离子的四阶晶场项及相应的二阶磁晶各向异性常数K_2R，K_2R与K_1R和Mn离子磁晶各向异性常数K_1t之间的相互竞争是导致HoMn₆Sn₆自旋重取向相变的重要因素. 关键词： 稀土-过渡族金属间化合物 自旋重取向 磁晶各向异性     

核磁共振碳谱研究:烷烃化学位移和(CSS)与分子路径指数矢量(VPM)

系统研究了核磁共振碳谱和化学位移规律及其定量构谱关系(QSSR).本文研究了一组十元素分子路径指数矢量VPM,并发现它与烷烃化学位移和CCS有良好线性相关性.采用多元线性回归进行准确估计与预测,结果优良.     

Reduced s-d model with antiferromagnetically coupled impurity spins

An antiferromagnetic equivalent-neighbour Heisenberg interaction H_i between impurity spins is added to the reduced s-d Hamiltonian H_r previously introduced by simplifying the Kondo s-d exchange Hamiltonian H_K. Asymptotic mean-field theory is developed for H_r + H_i, in the presence and absence of external magnetic field, and applied to (La_1−xCe_x)Al₂ alloys. Specific heat c_i(T) and zero-field susceptibility χ_i(0,T) curves for (La_1−xCe_x)Al₂ are depicted. The coupling constants of H_r + H_i and conduction bandwidth are adjusted so that T_c temperatures for x = 0.2, 0.1 are equal to the experimental values. c_i(T) exhibits a jump at T_c and is decreasing for T < T_c. χ_i(0,T) has a first order pole at T_c which corresponds to the maximum of experimental susceptibility and χ_i(0,0) > 0. These results improve those obtained earlier on the grounds of H_r theory.     

Interrelations of discrete Painlevé equations through limiting procedures

We study the discrete Painlevé equations associated to the affine Weyl group which can be obtained by the implementation of a special limits of -associated equations. This study is motivated by the existence of two -associated discrete both having a double ternary dependence in their coefficients and which have not been related before. We show here that two equations correspond to two different limits of a -associated discrete Painlevé equation. Applying the same limiting procedures to other -associated equations we obtained several -related equations most of which have not been previously derived.     

反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究

研究了反向衬底偏压V_B下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生(GMG)电流I_GMG特性, 发现I_GMG曲线的上升沿与下降沿随着|V_B|的增大向右漂移. 基于实验和理论模型分析, 得出了V_B与这种漂移之间的物理作用机制, 漂移现象的产生归因于衬底偏压V_B 调节了表面电势φ_s在栅电压V_G 中的占有比重: |V_B|增大时相同V_G下φ_s会变小, φ_s 的变化继而引发上升沿产生率因子g_r减小以及下降沿产生率因子g_f增大. 进一步发现I_GMG 上升沿与下降沿的最大跨导G_MR, G_MF 在对数坐标系下与V_B成线性关系, 并且随着|V_B|增加而增大. 由于漏电压V_D在I_GMG 上升沿与下降沿中的作用不同, 三种V_D下G_MR-V_B曲线重合而G_MF-V_B曲线则产生差异. 增大V_D 会增强g_f 随V_G的变化, 因此使得给定V_B 下的G_MF变大. 同时这却导致了更大V_D下G_MF-V_B 曲线变化的趋势减缓, 随着V_D从0.2 V变为0.6 V, 曲线的斜率s从0.09减小到0.03. 关键词： 产生电流 表面势 衬底偏压 N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管     

铥原子收敛于4f13(2F7/2o)6s(7/2,1/2)4o和4f13(2F7/2o)6s(7/2,1/2)3o偶宇称里德伯系列能级的电子关联效应

本文在多通道量子亏损理论框架下，利用相对论多通道理论，计算了铥原子收敛于4f¹³（²F_7/2^o）6s（7/2，1/2）₄^o和4f¹³（²F_7/2^o）6s（7/2，1/2）₃^o的三个偶宇称里德伯系列.通过将计算结果与美国国家标准与技术研究院数据进行比较，展示了两种类型的电子关联效应：1）里德伯系列之间的相互作用，导致里德伯系列的能级出现整体偏移；2）一个孤立的干扰态镶嵌在一个里德伯系列中，破坏了该里德伯系列能级的规则性.     

Universal enveloping algebra and differential calculi on inhomogeneous orthogonal q-groups

We review the construction of the multiparametric quantum group ISO_q,r(N) as a projection from SO_q,r (N + 2) and show that it is a bicovariant bimodule over SO_q,r(N). The universal enveloping algebra U_q,r(iso(N)), characterized as the Hopf algebra of regular functionals on ISO_q,r(N), is found as a Hopf subalgebra of U_q,r(so(N + 2)) and is shown to be a bicovariant bimodule over U_q,r(so(N)).

An R-matrix formulation of U_q,r(iso(N)) is given and we prove the pairing U_q,r(iso(N)) — ISO_q,r(N)). We analyze the subspaces of U_q,r(iso(N)) that define bicovariant differential calculi on ISO_q,r(N).