首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 140 毫秒
1.
用磁控溅射法制备了GdFeCo/DyFeCo交换耦合两层薄膜,对交换耦合两层薄膜变温磁化方向进行了研究.结果表明读出层GdFeCo随温度上升从平面磁化转变成垂直磁化,转变过程中主要受饱和磁矩(Ms)的影响.在GdFeCo的补偿温度附近,读出层的磁化强度近于零,退磁场能减小,并在交换耦合的作用下,使读出层的磁化方向发生转变,制备的交换耦合两层薄膜具有中心孔磁超分辨效应. 关键词: 磁光记录 交换耦合两层薄膜 磁化  相似文献   

2.
用磁控溅射法制备了GdFeCo/TbFeCo交换耦合两层薄膜,利用不同温度的克尔磁滞回线和VSM磁滞回线研究了读出层(GdFeCo)变温磁化方向变化过程.结果表明,随温度升高读出层从平面磁化转变为垂直磁化,交换耦合两层薄膜具有中心孔探测磁超分辨的基本性能.转变过程主要受饱和磁化强度(Ms)的影响,在GdFeCo的补偿温度附近,读出层的磁化强度较小,退磁场能也较小,在交换耦合的作用下,使读出层(GdFeCo)的磁化方向发生转变.磁化方向的转变在75℃~125℃的温度范围内变化较快.  相似文献   

3.
用磁控溅射法制备了GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜.振动样品磁强计和克尔磁滞回线测试装置的测试结果表明:25℃不加外磁场时GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜读出层(GdFeCo)的极向克尔角为零,读出层呈平面磁化;125℃不加外场时读出层的克尔角最大(O.54°),读出层的磁化方向为垂直磁化;随着温度增高,读出层由平面磁化转变为垂直磁化,在75℃到125℃温度范围内读出层磁化方向很快从平面磁化转变为垂直磁化.对磁化过程的机理研究表明:饱和磁化强度和有效各向异性常量影响读出层磁化方向的转变过程,但主要受读出层饱和磁化强度的影响;在较高温度时读出层的磁化强度较小,退磁场能较小,在静磁耦合作用下,使GdFeCo读出层的磁化方向发生转变.制备的GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜适合作CAD-MSR记录介质.  相似文献   

4.
用磁控溅射法制备了GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜。振动样品磁强计和克尔磁滞回线测试装置的测试结果表明 :2 5℃不加外磁场时GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜读出层 (GdFeCo)的极向克尔角为零 ,读出层呈平面磁化 ;12 5℃不加外场时读出层的克尔角最大 (0 .5 4°) ,读出层的磁化方向为垂直磁化 ;随着温度增高 ,读出层由平面磁化转变为垂直磁化 ,在 75℃到 12 5℃温度范围内读出层磁化方向很快从平面磁化转变为垂直磁化。对磁化过程的机理研究表明 :饱和磁化强度和有效各向异性常量影响读出层磁化方向的转变过程 ,但主要受读出层饱和磁化强度的影响 ;在较高温度时读出层的磁化强度较小 ,退磁场能较小 ,在静磁耦合作用下 ,使GdFeCo读出层的磁化方向发生转变。制备的GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜适合作CAD MSR记录介质  相似文献   

5.
陈达鑫  陈志峰  徐初东  赖天树 《物理学报》2010,59(10):7362-7367
使用飞秒时间分辨抽运-探测磁光Kerr光谱技术,实验研究了圆偏振光抽运面内磁化FePt和垂直磁化GdFeCo薄膜的磁化演化动力学,发现在时间延迟零点处均出现瞬态Kerr峰.分析了此Kerr峰的起源,指出此瞬态Kerr峰与铁磁性无关,可能起源于自由电子的顺磁磁化,而顺磁磁化的外磁场来自圆偏振抽运光的逆Faraday效应.基于顺磁磁化模型的计算结果支持此观点.基于此观点,逆Faraday效应感应的磁场脉冲宽度应该与激光脉冲宽度一致.  相似文献   

6.
亚铁磁材料因具有反铁磁排列的子晶格磁矩而表现出诸多丰富的物理性质,在磁信息存储和逻辑领域具有广阔的应用前景.本文采用磁控溅射方法在热氧化的硅基片上制备了Pt/GdFeCo(t)/Pt多层膜,系统研究了亚铁磁GdFeCo厚度对多层膜的表面形貌、结构、磁性以及反常霍尔效应(AHE)的影响.结构测试表明薄膜表面粗糙度较小,且GdFeCo层为非晶态;实验中利用GdFeCo层厚度可有效控制Gd元素含量,从而调控GdFeCo趋近反铁磁态特性的磁矩补偿点;通过重金属强自旋轨道耦合效应(SOC)和非晶态亚铁磁薄膜面内压应力,实现了良好垂直各向异性(PMA);进一步阐明了亚铁磁薄膜中磁性和反常霍尔效应的内在产生机制以及磁矩补偿点与温度的内在关系.这些结果为构建新一代低功耗自旋电子器件奠定基础.  相似文献   

7.
潘群峰  张泽宇  王会真  林贤  金钻明  程振祥  马国宏 《物理学报》2016,65(12):127802-127802
FePt合金薄膜由于具有较强的磁各向异性而在磁信息和磁光信息存储中具有重要的应用.C掺杂可精确调控薄膜的磁各向异性,从而可有效地改变薄膜的矫顽场.通过超短激光脉冲与铁磁薄膜相互作用,可以获得非平衡状态下电子、自旋和晶格等自由度之间的动态耦合参数,这是研究超快磁记录材料的物理基础.本文基于瞬态磁光Kerr效应,研究了两种C掺杂浓度下FePt薄膜的超快磁光响应.实验结果表明:瞬态Kerr信号与外加磁场正相关,磁场反向,Kerr信号反号,而瞬态反射率与外加磁场无关;不同C掺杂的FePt薄膜的矫顽场不同,软磁的退磁时间显著小于硬磁薄膜的退磁时间.我们还观测到超快激光在铁磁薄膜中诱导频率约为49 GHz的相干声学声子,该声子的频率与外加磁场无关.实验结果为设计和研制新型磁光薄膜提供了实验依据.  相似文献   

8.
张磊  任敏  胡九宁  邓宁  陈培毅 《物理学报》2008,57(4):2427-2431
应用基于磁动力学方程的宏观唯象模型,研究了弱外磁场下纳米尺度赝自旋阀结构的电流感应磁化翻转效应.在统一考虑铁磁/非磁界面的自旋相关散射以及铁磁层中的自旋积累和弛豫过程后,给出了赝自旋阀结构在弱外磁场下的磁化翻转条件和临界电流.对该效应的数值计算解释了弱外磁场下赝自旋阀结构的电阻-电流回线的偏移,并给出了用外磁场控制电流感应磁化翻转效应中的临界电流方法. 关键词: 电流感应磁化翻转 外磁场 临界电流 赝自旋阀  相似文献   

9.
采用磁控溅射方法在MgO(001)单晶衬底上制备了交换偏置分别沿着FeGa [100]和[110]方向的FeGa/IrMn外延交换偏置双层膜,研究了交换偏置取向对磁化翻转过程与磁化翻转场的影响.铁磁共振场的角度依赖关系的测量与拟合,表明样品存在不同取向的四重对称磁晶各向异性、单向交换磁各向异性和单轴磁各向异性的叠加.矢量磁光克尔效应测量表明交换偏置沿着[100]方向的样品在不同磁场方向下表现矩形、非对称和单边两步磁滞回线;交换偏置沿着[110]方向的样品在不同磁场方向下表现单边两步和双边两步磁滞回线.考虑不同交换偏置方向的畴壁形核和位移模型,能够很好地解释磁化翻转路径随磁场方向的变化规律和拟合磁化翻转场的角度依赖关系,表明交换偏置方向的改变使得畴壁形核能发生显著变化.  相似文献   

10.
李梅  苏垣昌  胡经国 《计算物理》2012,29(2):285-290
用自旋动力学方法系统地研究磁偶极相互作用表现的边界效应对小尺寸正方形铁磁薄膜的磁化翻转过程的影响.在确定的磁偶极相互作用强度下,针对不同的单轴各向异性强度和不同的磁化角(外磁场与易轴间的夹角),具体给出矫顽场与磁化角及单轴各向异性强度之间的依赖关系和一些有代表性的磁滞回线,并给出磁化翻转过程中一些有代表性的微观磁结构.模拟结果表明:磁偶极相互作用表现的边界钉扎作用与单轴各向异性场之间的竞争决定磁滞回线的形状和矫顽场的大小,从而在不同磁化角情况下会导致不同的矫顽场机理.本文提出可有效地描述正方形铁磁性薄膜复杂微观磁畴结构的形成与演变的五磁畴模型.这种五磁畴模型既能直接揭示单轴各向异性正方形铁磁薄膜的几何特性和物理特性,也方便于磁化翻转过程的分析.  相似文献   

11.
林虹  钟文定 《物理学报》1985,34(11):1385-1395
本文研究了Sm2(FeNiCoM)17合金(M为非磁性组元)的磁性。样品由六角结构无序型的2∶17主相及少量FeNi合金杂相组成。在六角结构的e轴方向(易磁化方向)观察到下述异常现象:低温(273K以下)时的磁化及反磁化曲线发生明显的跃变,跃变时相应的磁场Hr随温度下降而增大;磁滞迴线是蜂腰型的,温度愈低蜂腰愈明显;升温时磁化强度随温度变化(1.5K至居里点TC)的曲线上出现极大值,其相应的温度Tt随磁场增大而降低;降温时观察到了热磁滞后现象。但在基面(难磁化方向)上及Co含量增多(>18at%)时,样品却表现了正常的铁磁行为。本文提出用磁矩非共线结构排列的自旋再取向相变来解释上述异常现象,并给出自旋倒向所需越过的能垒高度U=9.2×10-15erg,用设想磁结构的模型得到的磁化强度的计算值与实验值也符合得较好。 关键词:  相似文献   

12.
The kinetics of magnetization reversal of a thin LSMO film has been studied for the first time. It is shown that the magnetic domain structure critically depends on the conditions of structure formation. In the demagnetized state (after zero-field cooling from T c ), a maze-like domain microstructure with perpendicular magnetization is formed in the film. However, after field cooling and/or saturating magnetization by a field of arbitrary orientation, the [110] direction of spontaneous magnetization in the film plane is stabilized; this pattern corresponds to macrodomains with in-plane magnetization. Further film magnetization reversal (both quasi-static and pulsed) from this state is implemented via nucleation and motion of 180° “head-to-head” domain walls. Upon pulse magnetization reversal, the walls “jump” at a distance proportional to the applied field strength and then undergo thermally activated drift. All dynamic characterisitcs critically depend on the temperature when the latter varies around the room temperature.  相似文献   

13.
脉冲磁场下水热法制备Cr掺杂ZnO稀磁 半导体晶体   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
本文以ZnCl2, CrCl3. 6H2O和氨水缓冲溶液为原料, 在4T脉冲磁场下水热法制备了Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体, 通过X射线衍射分析、扫描电子显微镜观察及采用振动样品磁强计进行磁性分析等, 探讨了脉冲磁场对其微观结构及磁性能的影响. 结果表明: Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体仍保持ZnO的六方纤锌矿结构, 脉冲磁场具有促进晶粒生长及取向排列的作用, 4T脉冲磁场条件下合成的Cr掺杂ZnO稀磁半导体具有良好的室温铁磁性, 其饱和磁化强度(Ms)为0.068 emu/g, 而无脉冲磁场情况下制备的样品室温下呈顺磁性, 并且, 脉冲磁场下制备将稀磁半导体的居里温度提高了16 K.  相似文献   

14.
A study of exchange bias phenomenon in ferrimagnetic /ferromagnetic FeGd/ FeSn bilayers is presented. The amorphous FeSn and FeGd alloys have been grown by co-evaporation. Specific growth conditions allow to induce an uniaxial anisotropy in both alloys in a parallel direction. After saturation of the bilayers under a positive field, the hysteresis loop of one of the layer is shifted towards a positive field H E . The sign of the exchange bias field H E is shown to be due to the antiferromagnetic coupling between the net magnetizations of both alloys. The field H E is studied as a function of the thickness of each layer and of the temperature. Using ac-susceptibility measurements and polarized neutron reflectometry, it is shown that the reversal of magnetization of the bilayers is dominated by the presence of a domain wall at the interface. This exchange bias system is shown to act as a potential well for the magnetic domain wall. Within this assumption and thanks to a precise magnetic characterization of each alloy, the evolution of H E with the thickness of the layers is well reproduced using simple one-dimensional analytical models for the domain wall or a more elaborate numerical approach.Received: 20 February 2003, Published online: 9 September 2003PACS: 75.60.Ch Domain walls and domain structure - 75.70.-i Magnetic properties of thin films, surfaces, and interfaces - 75.25.+z Spin arrangements in magnetically ordered materials (including neutron and spin-polarized electron studies, synchrotron-source X-ray scattering, etc.)  相似文献   

15.
Temperature dependence of the magnetic properties of magnetite thin film across the Verwey transition has been investigated. As the temperature is decreased, the magnetization of the film in a fixed field showed a sharp decrease close to the Verwey transition temperature (Tv). The MH loops of the film have been recorded at various temperatures below and above Tv. It is found that film does not saturate at any temperature and saturation becomes more difficult below Tv. While cooling through Tv, the extrapolated value of magnetization to infinite field (Q), calculated from the numerical fit 4πM=Q [1−(H*/H)1/2], does not show a drop, but the coefficient indicating difficulty in saturation (H*) shows a sharp rise as does the coercivity.  相似文献   

16.
Our magnetic measurements on a CuMn alloy reveal that Tm, the temperature of the susceptibility peak, is marked by a qualitative change in the magnetization-vs.-field behavior. The magnetization process at and above Tm is reversible at all fields, whereas below Tm an irreversibility sets in at a threshold field H1 and persists up to a second threshold field H2. The irreversibility results in an isothermal remanence whose saturation value (attained when the field removed exceeds H2) equals the saturation value of the thermoremanence (attained after cooling from above Tm in a field larger than H2). Both states of remenence are characterized by a magnetization which is completely reversed by a small reverse field but returns to its original polarity when the field is removed. The hysteresis loop remains thus displaced as long as the cycling field is less than H1.  相似文献   

17.
The effect of confinement from one, two or from all three directions on magnetic ordering has remained an active field of research for almost 100 years. The role of dipolar interactions and anistropy are important to obtain, the otherwise forbidden, ferromagnetic ordering at finite temperature for ions arranged in two-dimensional (2D) arrays (monlayers). We have demonstrated that conventional low-temperature magnetometry and polarized neutron scattering measurements can be performed to study short-range ferromagnetic ordering of in-plane spins in 2D systems using a multilayer stack of non-interacting monolayers of gadolinium ions formed by Langmuir-Blodgett (LB) technique. The spontaneous magnetization could not be detected in the heterogeneous magnetic phase observed here and the saturation value of the net magnetization was found to depend on the sample temperature and applied magnetic field. The net magnetization rises exponentially with lowering temperature and then reaches saturation following a T ln(βT) dependence. The T ln (βT) dependence of magnetization has been predicted from spinwave theory of 2D in-plane spin system with ferromagnetic interaction. The experimental findings reported here could be explained by extending this theory to a temperature domain of βT<1.  相似文献   

18.
王世伟  朱明原  钟民  刘聪  李瑛  胡业旻  金红明 《物理学报》2012,61(19):198103-198103
本文以Zn(CH3COO)2·2H2O, Mn(CH3COO)2·4H2O和氨水缓冲溶液为原料, 在4 T脉冲磁场下利用水热法制备了Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体, 通过X射线衍射、 扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱、荧光分光光度计及振动样品磁强计等对样品的微观结构及磁性能等进行了表征, 结果表明: Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体仍保持ZnO六方纤锌矿结构, 4 T脉冲磁场下合成的Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体具有明显的室温铁磁性, 其饱和磁化强度(Ms)为0.028 emu/g, 比无脉冲磁场下制备的样品提高一倍以上, 且4 T 脉冲磁场将样品的居里温度提高了15 K.  相似文献   

19.
吕兆承  李广 《物理学报》2009,58(4):2746-2751
研究了预先热磁处理对Ni503Mn287Ga21单晶的磁学和力学性能的影响.首先将样品加热到居里温度之上让其冷却,冷却方式分为两种:一种是施加一定大小的磁场从高于居里温度冷却至室温,另一种是在样品经历顺磁-铁磁相变后但还未发生奥氏体-马氏体相变前施加相同大小和方向的磁场并冷却至室温.室温时的拉伸-压缩实验结果表明单晶样品在经历前一种处理后,其可逆应变、磁化强度的变化 (ΔM)比后一种处理的相应值要小很多.在后一种热磁处理的样品中,顺磁-铁磁相变发生后形成了自发磁畴,但这种磁畴不具有择优取向.在顺磁-铁磁相变结束后施加磁场,容易导致择优的马氏体准单畴出现,从而表现出大的可逆应变和ΔM.但对于前者,我们认为样品从居里温度降到室温过程中,其中的磁畴在相同的磁场作用下获得择优生长,形成大磁畴,导致磁诱导的强各向异性.这种择优取向的大磁畴在随后马氏体相变期间影响着马氏体的自发排列方式,不利于马氏体准单畴的出现,结果导致较小的可逆应变和ΔM. 关键词: 磁和力学锻炼 Ni-Mn-Ga单晶 铁磁和马氏体相变  相似文献   

20.
许玲  晏世雷 《物理学报》2007,56(3):1691-1696
在有效场理论和切断近似框架内,选择自旋S=1的二维方格子,研究横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为,重点是横向随机晶场浓度和晶场比率对相图和磁化的影响.给出了i>T-Dx空间的相图和m-T空间的磁化图.在晶场稀疏情况下,负晶场方向存在临界温度的峰值,正方向可出现重入现象.晶场比率取+0.5和-0.5时,磁有序相范围缩小,特别是晶场比率取-0.5时,随晶场浓度的降低,临界温度峰值从横向晶场负方向渡越到正方向.固定某一负晶场值,不同晶场比率的磁化行为有明显差异.同时与纵向稀疏晶场Ising模型结果进行有意义的比较. 关键词: 横向随机晶场Ising模型 相图 磁化行为  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号