有机无机异质节中稀土配合物电致发光的研究

报道了有机无机异质节中稀土配合物的电致发光,器件结构为:ITO/PVK:Rare Earth Complex/无机材料/Al,其中无机材料可以选用ZnS,ZnSe,ZnO等.在这种结构的器件中,均获得了比较好的稀土离子的特征发射.以无机材料ZnS为例,讨论了异质节中稀土配合物的电致发光及优势.ZnS的电介质系数比PVK的电介质系数大3倍多,将有更大部分的电压降落在PVK层上,使PVK层内的电场强度增大,从而可以提高空穴在PVK层内的迁移速度,提高了空穴注入数目,有利于载流子的平衡.     

铽配合物TbY(m-MBA)6(phen)2·2H2O的有机电致发光分析

将新型稀土配合物TbY(m-MBA)6(phen)2*2H2O掺杂到导电聚合物PVK中改善了配合物的成膜性和导电性, 作为发光层应用于有机电致发光. 分别制作了器件(1) ITO/PVKTbY(m-MBA)6(phen)2*2H2O/LiF/Al和以Alq为电子传输层的器件(2) ITO/PVKTbY(m-MBA)6(phen)2*2H2O/Alq/LiF/Al. 研究了两种器件的电致发光性能, 得到了最大效率为0.88 cd*A-1的器件. 研究了铽配合物与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱, 发现两者之间存在着能量转移, 说明Y3+的存在促进了PVK到Tb3+的能量传递. 文章就器件的发光特性和掺杂体系的能量传递进行了初步讨论.     

铽配合物Tb(o-MBA)3phen与PVK掺杂体系的发光机理

合成了一种新型的稀土铽配合物材料Tb(o-MBA)₃phen,并把它作为发光材料应用于有机电致发光器件中。将铽配合物与PVK的混合溶液用旋涂法制得发光层,并利用Alq₃作为电子传输层制备了多种结构的电致发光器件:器件A:ITO/PVK:Tb(o-MBA)₃phen/LiF/Al;器件B:ITO/PVK:Tb(o-MBA)₃phen/BCP/Alq₃/LiF/Al;器件C:ITO/BCP/PVK:Tb(o-MBA)₃phen/Alq₃/LiF/Al。由器件A和C得到了纯正的、明亮的Tb³⁺的绿光发射,发射光谱中四个特征峰分别对应着能级⁵D₄→⁷F_J(J=6,5,4,3)的跃迁,而PVK的发光完全被抑制。在光致发光中PVK的发射光谱和铽配合物的激发光谱有一定的重叠,两者之间可能存在Frster能量传递。同时PVK与铽配合物掺杂体系的激发光谱与纯PVK的激发光谱非常相像,而与铽配合物的激发光谱差别很大,这也说明掺杂体系中铽的发光有一部分来源于PVK分子的激发,PVK与铽配合物之间存能量传递过程。研究了掺杂体系的电致发光性能,在电致发光中,铽的发光主要来源于稀土配合物直接俘获载流子形成激子并复合发光。通过优化选择得到了发光性能较好的器件,器件的最大亮度在17V时达到180cd/m²。     

ZnS薄膜参数对有机/无机复合发光器件特性的影响

半导体量子点(QDs)具有发光效率高和发光波长可调等特点。采用胶体CdSe QDs作电致发光器件的有源材料,TPD(N,N′-biphenyl-N,N′-bis-(3-methylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)作空穴传输层,ZnS作电子传输层,研究了有机/无机复合发光器件ITO/TPD/CdSe QDs/ZnS/Ag的电致发光特性。TPD和CdSe QDs薄膜采用旋涂方法、ZnS薄膜采用磁控溅射方法沉积,器件表面平整。CdSe QDs的光致发光和电致发光谱峰位波长均位于～580 nm,属于量子点的带边激子发光。我们与以前的ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag发光器件结构进行了对比,发现新的器件结构的电致发光谱没有观察到QDs表面态的发光,而且新器件的发光强度是ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag结构的～10倍。发光效率的提高归因于碰撞激发与载流子注入两种发光机制并存的结果：一方面电子经过ZnS 层加速后,碰撞激发CdSe QDs发光;另一方面,空穴从TPD层注入CdSe QDs 与QDs中激发的电子复合发光。我们进一步研究了ZnS电子加速层厚度对发光特性的影响,选择ZnS薄膜的厚度分别是80,120 和160 nm,发现随着ZnS层厚度增大,器件启亮电压升高,EL强度增大,但是击穿电压降低。EL峰位随着ZnS厚度的减小发生明显蓝移,对上述实验现象进行了机理解释。     

稀土配合物红色有机电致发光器件的研究

以TTA为配体合成了新的共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy,通过与PVK的掺杂,制备了以PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3 Dipy为发光层的结构为:ITO/PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/BCP/Al的发光器件,在直流电压的驱动下,发现了铕在612 nm处的特征发射,和PVK在410 nm处的发光.此外,还观察到了位于490 nm处的新的发光峰,通过分析研究,认为新的发光来自于稀土配合物的配体和BCP之间相互作用形成的电致激基复合物.用PBD代替了BCP作为电子传输层,制备了结构为:ITO/PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3DiPy/PBD/Al的发光器件,得到了纯的红色发光.     

基于ZnSe的有机-无机异质结电致发光器件

以电子束蒸发的方法制备硒化锌(ZnSe)薄膜，研究了基于ZnSe的有机-无机异质结电致发光器件.在双层器件ITO/ZnSe(50nm)/Alq₃(12nm)/Al中看到了峰值位于578nm的ZnSe电致发光，却很难得到单层器件ITO/ZnSe(50—120nm)/Al的电致发光；在此基础上进一步引入有机空穴传输层(HTL)，通过改变器件的结构，讨论了ZnSe对有机-无机异质结器件ITO/HTL/ZnSe/Alq₃/Al电致发光特性的影响.其电致发光光谱的研究结果证实了ZnSe在器件中的作用：ZnSe既起传输电子的作用，也起到传输空穴的作用，还作为发光层.并对ZnSe的发光机理进行了讨论. 关键词： 硒化锌 有机-无机异质结 电致发光 空穴传输层     

一种新型共掺杂稀土配合物的发光特性

制备了一类以苯甲酰水杨酸 (BenzoylSalicylicAcid ,BSA)为第一配体 ,邻菲罗啉 (phenanthroline ,phen)为第二配体的共掺杂稀土铕镧配合物La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen。用其作为发光层材料制作了电致发光器件 :ITO/PVK :La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen/Alq/Al。讨论并证明了稀土La3 与Eu3 之间存在F rster能量传递。同时将该器件与器件ITO/PVK :Eu(BSA) 3 phen/Alq/Al和ITO/PVK :Tb0 6Eu0 4(BSA) 3 phen/Alq/Al的发光进行了比较。表明该器件具有单色性好 ,整流性好的特性 ,同时得到了最大亮度为 10 2尼特的红光     

一种新型稀土配合物Tb(m-benzoicacid)3的发光特性的研究

研究了一种新型稀土配合物发光材料 ,对苯甲酸铽Tb(m benzoicacid) 3 的发光特性。以这种材料为掺杂剂 ,聚乙烯咔唑 (PVK)为基质材料制备了薄膜器件。通过对光谱的研究 ,发现在掺杂体系中 ,PVK与Tb(m benzoicacid) 3 之间存在有效的能量传递 ,能量传递效率与铽配合物的掺杂浓度有关 ,随着Tb配合物的掺杂浓度的增加 ,Tb的特征发光在掺杂体系中所占比重也相应增加 ,而PVK的发光相对明显减弱 ,当Tb(m benzoicacid) 3 :PVK的质量比高于 2 0 %时 ,整个体系的发光变为以Tb的发光为主 ,而PVK的发光基本猝灭了。以PVK :Tb(m benzoicacid) 3 掺杂体系为发光层 ,八羟基喹啉铝 (Alq)为电子传输层 ,制备了双层电致发光器件 ,器件的结构为ITO/PVK :Tb(m benzoicacid) 3 /Alq/LiF/Al,该器件的电致发光为三价铽离子的特征发光 ,在 2 1V的电压下 ,亮度可达 311nt。     

有机/无机复合结构光电导型器件的光激发机制

制备了PVK/ZnS有机无机复合的光电导型器件 ,器件结构分别为Glass/ITO/PVK/Al;Glass/ITO/ZnS/Al;Glass/ITO/ZnS/PVK/Al。通过研究此复合器件在外加电场作用下的稳态光电导激发谱 ,得到了基本光激发过程。把PVK/ZnS的吸收谱和器件的光电导谱进行比较 ,知道虽然两者的吸收对器件光电流都有贡献 ,但有效部分在PVK和ZnS的界面处。最大光电流对外加电场的依赖性与器件的暗电流和光电流谱为此提供了证据     

一种新型稀土配合物Eu(TTA)(2NH_2-Phen)_3的发光特性研究

合成了一种新型的稀土配合物Eu(TTA)(2NH_2-Phen)_3,将其作为掺杂物与基质聚乙烯基咔唑(PVK)按照不同质量比混合共溶,旋涂成膜.测量了混合薄膜的光致发光光谱,确认了所合成的Eu(TTA)(2NH_2H-Phen)_3具有发射荧光的能力,进而将其应用于电致发光器件中.还制备了以PVK:Eu(TTA)(2NH_2-Phen)_3为发光层,器件结构为ITO/PVK:Eu(TTA)(2NH_2-Phen)3/2,9-dimethy1-4,-diphenyl-1,10-plaenan thmline(BCP)/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq_3)/Al的多层器件,得到了 Eu~(3+)的红色电敛发光.研究不同掺杂浓度时器件发光光谱的变化及PVK的发射光谱与Eu(TTA)(2NH_2-Phen)_3的吸收光谱的交叠情况,证明了混合薄膜中Eu~(3+)电致发光机理主要足载流子的直接俘获.     

Influence of the electric characteristics of II–VI semiconductor material on the electroluminescence of lanthanide complex

The organic-inorganic combined structural device (ITO/PVK:Eu/ZnS/Al) is fabricated based on layered optimization scheme. II–VI semiconductor material ZnS is acted as an electron function (transporting and acceleration) layer. The hot electrons which have been accelerated in the ZnS layer directly impact excitation europium ions through resonant energy transfer and then recombine with injected holes to form excitons in PVK or EuTTA₂(N-HPA)Phen. Europium (Eu) ions may also be excited by intramolecular energy transfer from ligands. There are two kinds of excitation mechanisms: impacted excitation and injected recombination for the combined structural device. The electroluminescence (EL) intensity of the combined structural device is strongly improved and reaches up to 381 cd/m² at 20 V compared with the pure organic structural device. It may be an effective method to improve the EL intensity of the lanthanide complex by using electric characteristics of inorganic semiconductor materials.     

共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy发光性质的研究

以TTA为TTA配体合成了新的共掺杂稀土配合物Tb0.5 s Eu0.5(TTA)3 Dipy,通过与PVK的掺杂,分析了PVK 和Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy之间的能量传递过程,并且制备了以PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy为发光层的结构为ITO/PVK:Tb0.5 Eu0.5(TTA)3 Dipy/PBD/Al的发光器件,通过改变两者之间的质量比,得到了较纯的Eu3 的红色发光.通过与PVK:Eu(TTA)3混合体系的比较,发现Tb3 的引入,起到了能量传递桥梁的作用,提高了PVK 到Eu3 的能量传递,从而抑制了PVK 的发光.因此,通过引人适当的第二种金属离子,会增强另一稀土离子的发光,是作者提高稀土离子发光效率的一种有效的手段.     

稀土配合物Eu(asprin)3phen发光特性的研究

将稀土配合物Eu(asprin)3phen掺杂到导电聚合物PVK中，制成结构分别为ITO/PVK：RE配合物／LiF／Al(1)，ITO／PVK：RE配合物／PBD/LiF/Al(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别：在器件(1)中，来自Eu^3 的位于594nm(^5D0→^7F1)和614nm(^5D0→^7F2)处的发光强度大致相当，而在器件(2)中，EL主要来自Eu^3 位于614nm的发光，594nm处的发光很弱，与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。     

稀土配合物Eu(asprin)_3phen发光特性的研究

将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu~(3 )的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu~(3 )位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。     

一种新型的稀土有机电致发光材料：Tb(asprin)3phen

文报道了乙酰水杨酸为第一配体 ,邻菲罗啉为第二配体的铽配合物这种新型电致发光材料 ,并通过引入导电高分子材料PVK来改善配合物的成膜性和导电性 ,使其可应用于电致发光器件的发光层。我们制备了单层电致发光器件ITO/PVK :Tb(asprin) 3phen/Al,并对其电致发光性能进行了研究。结果表明该配合物具有很好的光致发光性能和电致发光性能。通过测量材料的激发谱和发射谱 ,我们初步探讨了器件的电致发光机理 ,认为是PVK及Tb(asprin) 3phen激发态的载流子被Tb3 +俘获并与符号相反的载流子在Tb3 +中心上复合 ,发出Tb3+的特征发光     

一种新型的稀土有机电致发光材料：Tb（asprion）3phen

文报道了乙酰水杨酸为第一配体,邻菲罗啉为第二配体的铽配合物这种新型电致发光材料,并通过引入导电高分子材料PVK来改善配合物的成膜性和导电性,使其可应用于电致发光器件的发光层。我们制备了单层电致发光器件ITO／PVK：Tb(asprion)3phen／AI,并对其电致发光性能进行了研究。结果表明该配合物具有很好的光致发光性能和电致发光性能。通过测量材料的激发谱和发射谱,我们初步探讨了器件的电致发光机理,认为是PVK及Tb(asprion)3phen激发态的载充子被Tb^3 俘获并与符号相反的载流子在Tb^3 中心上复合,发出Tb^3 的特征发光。