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采用对称性匹配簇/组态相互作用(symmetry adapted cluster-configuration interaction, SAC-CI)方法, 在6-311++g**基组水平上优化了甲基乙烯基硅酮分子的前三个单激发态1 1A’’, 1 1A’, 2 1A’’的平衡几何结构, 比较三个激发态的电荷分布, 最高占据轨道, 最低空轨道, 能隙等结构特性. 研究发现, 1 1A’ 态能隙差最小, 电子容易发生跃迁. 计算了三个单重激发态相应的振动光谱, 得出其振动模式. 从甲基乙烯基硅酮分子激发态结构特性, 电荷分布, 极强位置振动模式等方面分析了其断键机制. 相似文献
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利用固相反应法制备了分别掺杂Sr和Ce的PrLaCuOz系列氧化物.XRD衍射结果表明,Sr的掺杂形成了典型的空穴型掺杂的T-214结构,Ce的引入形成了典型的电子型掺杂的T′-214结构.利用Quantum Design PPMS-VSM对所有样品的进行了M-T测量(5~300K;100高斯和5000高斯).临界温度随掺杂量变化的关系表明,当0.08≤x≤0.30时,PrLa1-xSrxCuOz(PLSCO)具有超导电性,并在x=0.15时达到最高值Tcmax=26K;当0.08≤y≤0.15时,Pr1-y LaCeyCuOz (PLCCO)具有超导电性,Tcmax=24.9K出现在y=0.12处.磁性质测量还表明,Sr的引入对体系的磁矩影响不大,而Ce的掺入使样品在35K附近出现了反铁磁转变. 相似文献
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基于异质结界面而得以实现的复合型多铁性或磁电耦合性质本质上是一种呈展现象,即这种性质不是其组成成分单独所具有的特性,这体现了材料体系从简单到复杂过程中的某种跳跃式发展过程,即1+1≠2。文章主要介绍了近年来在多铁性异质结上的一些研究进展,包括界面磁电效应、多铁性隧道结以及基于异质结构的电控磁性等。这些进展表明,异质结研究极有可能是多铁性研究走向实用化的突破口。 相似文献
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在分析面阵CCD图像传感器结构和驱动时序基础上,针对高分辨率高灵敏度ICX694ALG大面阵CCD图像传感器 ,研究其驱动时序发生器。以现场可编程门阵列 ( FPGA) 作为硬件平台 ,通过Verilog HDL硬件描述语言对该驱动时序发生器进行了硬件描述,采用ISE软件进行功能仿真,并针对XILINX公司的可编程逻辑器件XC3S1000进行了硬件适配。仿真测试表明,FPGA驱动时序发生器能够满足高分辨高灵敏ICX694ALG大面阵CCD图像传感器驱动要求,达到了设计要求。 相似文献
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本文在高T_c超导体Bi_1Sr_1Ca_1Cu_2O_y常压制备的基础上,研究了热压烧结和冷压处理对其形成、结构及超导电性的影响,并与常压结果进行了比较。结果表明,高压可以使样品的合成时间缩短,合成温度降低。但同时它也抑制了晶格参数较大的相(高T_c相)的形成,使小晶格参数的杂相含量增多。对于提高样品的超导电性而言,1.5 GPa是一个较好的压力点。 相似文献