一个普适的反射光谱灵敏度公式及其应用

从介电常数与反射串的普遍联系出发，推导出反射光谱灵敏度的解忻表达式。从这个统一的公式出发，分析了Ｌｏｒｅｎｔｚ振子及Ｄｒｕｄｅ自由载流子的反射光谱的敏感性，从而更深入地解释了一些碱卤晶体剩余反射带短波边的异常反射光谱结构及高温超导体的红外反射光谱特征。 关键词：     

一维光子晶体光谱控制实验研究

光子晶体的禁带特性为伪装材料的光谱控制研究提供了一条新的技术途径。利用传输矩阵的方法建立了一维光子晶体光谱透射、反射的理论模型,针对伪装材料近红外高反射、中远红外低发射的要求,优选Ag,MgF2和ZnS等材料作为光子晶体的薄膜材料,采用真空蒸发镀膜的方法制备出Ag/MgF2,Ag/MgF2/ZnS 4种不同周期结构的一维光子晶体,并实验研究了一维光子晶体的光谱反射和透过特性。结果表明:材料和周期结构对一维光子晶体光谱特性有不同的影响,通过优化设计可以实现在伪装波段内的光谱特性要求。     

GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究

用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的α-GaN外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究.通过测量蓝宝石衬底和不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜的远红外反射谱并进行理论计算和拟合,得到GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量,并由此计算得到其载流子浓度和迁移率.计算结果,红外方法得到的载流子浓度与Hall测量相一致,但迁移率比Hall迁移率要低约二分之一.同时红外谱与喇曼谱上明显观察到LO声子与等离子体激元耦合模,(LPP)随掺杂浓度的变化. 关键词： α-GaN外延薄膜 红外反射光谱 载流子浓度 迁移率 LO声子与等离子体激元耦合模 Raman光谱     

[MnHg(SCN)4(H2O)2]·2C4H9NO(MMTWD)晶体的光谱分析

根据商群对称性分析法对MMTWD晶体的振动模作了理论计算.计算结果显示,通过实验可观察到的拉曼散射峰和红外反射带应分别不超过297和148个.运用实验的手段,分别测定晶体的拉曼光谱和红外光谱,给出了MMTWD晶体在50～3 000 cm-1范围内的拉曼光谱图和400～4 000 cm-1范围里的红外光谱图,并对光谱中的谱线作了指认.给出了MMTWD晶体的分子结构示意图,最终确定MMTWD晶体结构为三维网状结构,说明在众多新型光功能材料当中MMTWD晶体是一种更适合生长成较大尺寸且稳定性较好的非线性光学晶体,在光电子领域中具有良好的应用前景.     

低温分子束外延生长的GaMnAs反射光谱的低能振荡现象

通过傅里叶变换红外光谱和光调制反射光谱技术测量了不同Mn含量的低温分子束外延生长在GaAs衬底上的GaMnAs样品的反射光谱.在低于Ga(Mn)As带边的红外反射光谱和光调制反射光谱上观测到低能振荡现象.通过分析振荡产生的原因并使用双层界面反射模型拟合了红外反射光谱的低能振荡过程,拟合结果与实验相符.研究表明,反射光谱的低能振荡是由于GaMnAs中空穴浓度的变化导致GaMnAs中的折射率发生变化,GaMnAs与衬底GaAs之间的折射率差导致了不同Mn含量的GaMnAs材料的反射谱的低能振荡现象.测量了不同 关键词： GaMnAs 反射光谱 空穴浓度 折射率     

LAP及DLAP单晶的晶格振动光谱

本文对新型有机光学非线性晶体LAP的晶格振动进行了群论分析.并记录了各种几何配置下LAP单晶及其氘化物DLAP单晶在50～3700cm~(-1)范围的偏振喇曼光谱及偏振红外反射光谱.对谱图进行了识别.对LAP和DLAP单晶中NH_3~+,PO_4~(3-),COO~-基团的内振动进行了比较.实验结果表明DLAP单晶和LAP单晶具有相同的对称性.氘化使晶体的通光范围向红外方向扩展.     

一种新型红外低目标特征材料

现代探测系统由单一工作模式到复合工作模式的转变,对低目标特征材料的光谱特性提出了某些特殊要求。在文章中,基于一维掺杂光子晶体,设计了一种新型红外低目标特征材料,并研究了其复合结构对反射光谱的影响。发现在一定条件下,可以在反射光谱中的一个宽的高反射率波段内形成局部的狭窄低反射率区,从而为新型红外功能材料的研制提供了参考。     

二苯甲酮晶体的红外反射光谱研究

室温下记录了有机非线性光学晶体二苯甲酮三种不同偏振的红外反射光谱（２００－４０００ｃｍ＾－１）。利用Ｋ－Ｋ变换确定了晶格振动模的模，纵频率。根据由Ｋ－Ｋ变换得到的介电常数和折射率的色散曲线外推得到晶体的静态介电常数，高频介电常数和近红外波段的折射率。还对反射带进行了认定。研究表明该晶体二苯甲酮分子间不存在氩键，只以弱的范德华键相结合。结合晶体结构对强反射带出现的原因作了解释。     

无机-有机杂化非线性光学晶体材料LAP和d-LAP晶体红外吸收边计算

根据双原子谐振子模型近似,提出了估算分子晶体材料红外吸收边的理论方法,然后利用超分子量子化学从头算,计算了L-精氨酸一水磷酸盐(LAP)晶体和氘化L-精氨酸一水磷酸盐(d-LAP)晶体单元超分子的红外振动光谱,其中LAP晶体超分子计算值与晶体红外光谱实验值吻合,表明超分子计算能有效地模拟无机-有机杂化非线性光学晶体的红外振动光谱。在归属了超分子重要基频线后,分析其红外强度,并估算了泛频频率。根据我们提出的方法,估算了这两种晶体的红外吸收边,结果与实验值较吻合。表明我们建议的理论方法是合理的。此外,通过计算表明,如果非线性光学晶体材料的红外吸收边是由与活泼H有关的伸缩振动泛频频率决定,那么活泼H的氘化是一种改善红外吸收边的有效途径。     

敦煌壁画绘画材料多光谱图像标准数据库的建立和应用

多光谱摄影图像调查技术,基于不同物质对不同光谱吸收与反射的差异及不同波段单色光谱有相应的灰度偏向,以单色光谱灰度图像经伪彩色强化,可作为一种绘画材料普查方法。这种方法的应用首先需要建立相关遗址绘画材料多光谱图像标准,以此为基础才可以通过多光谱伪彩色等图像对壁画中漫漶壁画、相近色相颜料及无法观察的有机材料做前期普查,为后期高精度仪器的进一步调查提供参考。采用已知敦煌壁画中常用29种绘画材料制作标准颜料色板,通过规范多光谱拍摄程序和优化多光谱拍摄条件,在250～1 300 nm之间获取各种颜料在不同光谱区域的反射及荧光图像,再经过后期科学的图像校正及红外、紫外反射伪彩色图像合成,初步建立敦煌壁画颜料多光谱图像标准数据库。对真实壁画进行多光谱拍摄,将获取的可见反射、红外反射伪彩色和紫外反射伪彩色图像与标准数据库图像进行交叉对比,并采用便携式显微镜、便携式X荧光、近红外光谱等分析技术验证所获取的多光谱分析结果,表明壁画颜料多光谱图像标准数据库的建立,作为一种新型无损检测辅助方法,可通过多光谱图像对敦煌壁画颜料前期鉴别、推断绘画材料属性以及获取颜料分布状况等信息。绘画材料光谱图像数据库的建立可提高常见绘画材料类别及范围的前期调查效率和可靠性,是一种有效的颜料面集调查辅助方法。     

Far Infrared Investigation of Plasmon-LO Phonon Coupling and Surface Polaritons Modes in Donor Doped Cd1-xHgxTe and CdTe Thin Layer on GaAs Substrate

Infrared Fourier transform spectroscopy has been used to investigate phonon and plasmon modes in Cd_1-xHg_xTe and CdTe thin layer on GaAs substrate. Attenuated total reflection (ATR) spectroscopy has been used to excite surface plasmon and phonon polaritons. The plasmon-LO phonon coupling modes in samples are studied by dispersion curve calculation for various carrier concentrations. There exist three branches of coupled modes in dispersion curve. For analysis of the far infrared polarized reflectivity spectra we employ the harmonic oscillator dielectiic function model and the Drude model for free carrier response. We find that the coupling modes dependent to the concentration of free carriers. Furthermore, the experimental data have been used to calculate carrier concentration, composition parameter, mobility of carrier, thickness of layer and gap energy.     

The Vibrational Spectra and Normal Coordinate Analysis of 6Li- and 7Li-Substituted Lithium Disilicate Phases

Infrared and Raman spectra were measured for crystalline ⁶Li- and ⁷Li-substituted lithium disilicate. The spectra were analysed by normal coordinate analysis (NCA) using a modified valence force field. The resulting force constants were consistent with those calculated for related SiO₂-containing phases. The Raman spectral results for related glasses were interpreted with respect to the spectral data for the crystalline phase.     

三种多糖的光谱鉴定、化学改性及活性

研究了壳聚糖、茯苓多糖、魔芋甘露聚糖的红外光谱、Ｈ核磁共振光谱。对三种多糖进行了羧甲基化改性,研究了这种化学改性与抗肿瘤等活性的关系。     

Vibrational modes in ZnAl2S4 and CdIn2S4 crystals

Infrared reflectivity spectra and Raman scattering of the ZnAl₂S₄ and CdIn₂S₄ crystals have been investigated. Reflectivity spectra contours were calculated and phonon parameters and dielectric constants were determined. Effective charges for the Zn, Cd, In and S ions of these materials were determined.     

Characterization of InGaAs and InGaAsN semiconductor saturable absorber mirrors for high-power mode-locked thin-disk lasers

We report a comparative study of carrier dynamics in semiconductor saturable absorber mirrors (SESAMs) containing InGaAs quantum wells and InGaAsN quantum wells (QWs). The static and dynamic reflectivity spectra were measured with a Fourier-transform-infrared-spectrometer and a pump-probe setup, respectively. The influence of rapid thermal annealing (RTA) on carrier dynamics was studied. Due to the reduction of defect states by RTA we observed an increase of the static reflectivity and an increase of the electron–hole recombination time.     

Infrared Spectroscopic Study of Neyveli Lignite Samples from Mine Cut-I and II

Abstract

Infrared spectra of Neyveli Lignite samples at different depths from mine cut-I and II were recorded in the region 4000–200 cm^?1. Probable assignments of the bands were made with respect to the components present in the samples. The Lignite samples collected at 80m, 82m, 87m and 90m from minecut-I and 52m, 56m and 58m from minecut - II shows distinctly a band at 1500cm^?1 indicating that these belong to pleistocene—miocene period, while the absence of this band in the samples at deeper depths 92m and 94m from minecut-I and 62m and 65 m from minecut-II indicate that these belong to Oligocene to Palaeocene period.     

Effects of electronic state modulation on the high-frequency response characteristics of GaAs quantum wells

The effect of electronic-state modulation on the high frequency response of GaAs quantum well with thin inserted barrier layer is studied. The carrier scattering by polar optic phonons, acoustic deformation potential and background ionized impurities are incorporated in the present calculations considering the carrier distribution to be heated drifted Fermi-Dirac distribution. Modified phonon spectra and modulated electron wave function give different values of form factor compared to bulk mode phonon. Mobility is found to be enhanced on insertion of thin layer inside the quantum well. The ac mobility and the phase lag increases with the increase in both the channel width and the 2D carrier concentration. Cutoff frequency, where ac mobility drops down to 0.707 of its low frequency value, is observed to be enhanced reflecting better high frequency response.     

Optimum packing density and crystal structure of tin-doped indium oxide thin films for high-temperature annealing processes

The influence of high-temperature annealing on the electrical properties and microstructure of tin-doped indium oxide (ITO) thin films was investigated as a function of oxygen gas flow ratio to argon gas during the sputtering deposition. The ITO thin films were annealed at 500 °C in air after the deposition. It was found that the ITO thin films, which were deposited in relatively low oxygen gas flow ratio, exhibited high Hall mobility and low-resistivity after the annealing. Furthermore, the X-ray reflectivity and diffraction measurement revealed that the ITO thin film with low-resistivity after annealing exhibited high packing density, smooth surface and low crystallization degree. It can be considered that the carrier electron scattering was suppressed with increasing in the packing density of the ITO thin film; as a result, the Hall mobility and resistivity were improved.     

端面反射率的波长特性对外腔半导体激光器调谐范围的影响

端面镀增透膜的激光二极管构成的光栅外腔激光器（ECLD）中,考虑到镀膜端面剩余反射率对波长的依赖关系以后,利用等效腔法导出了该激光器阈值载流子密度随波长变化的解析表达式,以此为出发点,讨论了增透膜反射率极小位置对调谐范围的影响。结果表明,除了增大剩余反射率工和降低剩余反射率能够提高调谐范围这一明显结论这外,在镀膜工艺确定的情况下,即假定剩余反射率带宽和剩余反射率极小值变化不大时,通过控制剩余反射率极小值所对应的波长相对于镀膜前增益峰的偏移量,可进一步拓宽波长调谐范围。     

激变变星光谱参数测量研究

激变变星是一类特殊而且数量稀少的双星系统,其主星是一颗白矮星, 伴星通常是一颗充满洛希瓣的光谱型为G,K或M型的晚型星或矮星。激变变星是一类爆发型的恒星,对于研究密近双星的演化具有积极的意义。激变变星按照爆发特征和光变特征可以分为很多亚型,如新星、再发新星、矮新星、类新星和磁激变变星。同时激变变星又是一类周期型的变星,这些因素都导致其可见光光谱非常复杂。目前对于激变变星的参数测量,主要通过后续观测来测量其轨道周期、主星和伴星之间的距离等。由于在吸积的过程中,物质在白矮星的表面累积,无法直接测量主星的物理参数,而且激变变星本身是一种暗弱的天体,实测光谱数量较少,因此极大限制了对激变变星物理参数的系统研究。目前唯一能够生成激变变星理论光谱的软件是基于光致电离模型的CLOUDY,但CLOUDY存在采样点过于稀少以及参数太多等问题,不能作为理想的理论光谱模板。法国ELODIE高分辨率的光谱可以作为M型恒星光谱参数测量的理论模板。前期工作中,通过机器学习等方法在美国斯隆巡天和中国郭守敬望远镜巡天数据中发现了一批激变变星。通过人工筛选,选择了伴星是M型的407条实测光谱,这些光谱大部分是宁静期的矮新星,光谱的主要特征是巴尔末线系和氦的发射线。再通过与高分辨率的ELODIE光谱交叉,利用SDSS-casjob数据库中的ELODIE参数,对激变变星的红端部分进行模板匹配,系统测量了其伴星的物理参数。为了降低计算量,对高维的光谱分别通过主分量分析和局部线性嵌入两种方法进行了特征提取和降维。实验结果表明LLE方法在邻域大小15,维度59时达到最高贡献率94.91%。根据PCA和LLE的交集,最终光谱的维度确定为59。实验中发现激变变星的伴星中M2型数量极少,具体原因需要更多的样本来解释。因为实验中激变变星光谱中,只有部分有明显的分子带特征,因此那些在爆发下降阶段或者光谱被吸积盘特征控制的激变变星没有进行参数测量。该实验弥补了激变变星光谱物理参数测量的空白。