新型蓝光衬底材料LiAlO2晶体的生长的缺陷分析

ＬｉＡｌＯ２和ＧａＮ的晶格失配率只有１．４％，是一种很有希望的ＧａＮ外延生长衬底材料。本文利用温度梯度法生长出透明的ＬｉＡｌＯ２单晶，并通过化学浸蚀、光学显微镜、透射电子显微镜、同步辐射Ｘ射线貌相术对晶体中的缺陷进行了检测。结果表明：ＬｉＡｌＯ２在钼坩埚中无籽晶自由凝固结日地，是沿（１００）方向生长。用温度梯度法生长的ＡｉＡｌＯ２晶体质量良好，晶体中无气泡和包裹物，在ＬｉＡｌＯ２（１００）方向晶面     

新型蓝光衬底材料LiAlO_2晶体的生长和缺陷分析

ＬｉＡｌＯ２和ＧａＮ的晶格失配率只有１．４％，是一种很有希望的ＧａＮ外延生长衬底材料。本文利用温度梯度法生长出了透明的ＬｉＡｌＯ２单晶，并通过化学浸蚀、光学显微镜、透射电子显微镜、同步辐射Ｘ射线貌相术对晶体中的缺陷进行了检测。结果表明：ＬｉＡｌＯ２在钼坩埚中无籽晶自由凝固结晶时，是沿（１００）方向生长。用温度梯度法生长的ＬｉＡｌＯ２晶体质量良好，晶体中无气泡和包裹物。在ＬｉＡｌＯ２（１００）晶面上测得的位错密度为（３．８～６．０）×１０４ｃｍ－２，晶体中的主要缺陷为亚晶界或镶嵌结构，可能是由于温场不稳定、生长速率太快造成的。     

锗酸盐晶体压致非晶化的研究

高压拉曼散射研究表明．ＣｕＧｅＯ３，Ｌｉ２ＧｅＯ３和Ｌｉ６Ｇｅ２Ｏ７三种晶体分别在７，１２和１１ＧＰａ压力下转变为非晶。在高于起始转变压力以上一定范围压致非晶是可逆的，ＣｕＧｅＯ３，Ｌｉ２ＧｅＯ３和Ｌｉ６Ｇｅ２Ｏ７压致非晶的不可逆转变压力分别为１４．１，２０和２０ＧＰａ。压致非晶ＣｕＧｅＯ３的重新晶化温度在６００℃附近。锗酸及系列晶体的压致非晶化与它们的成份和结构有关，随着在这一系列晶体中Ｌｉ２Ｏ含量的增加，压致非晶化的压力趋于减小。     

NdvGdCOB晶体1331.0nm基频光运转和自倍频红光的观察

ＮｄｖＣａ４ＧｄＯ（ＢＯ３）３（简称ＮｄｖＧｄＣＯＢ）是一种新型自倍频晶体［１］。利用该晶体实现１０６０．０ｎｍ的自倍频绿光输出,因内外均已有报道［２］。我们利用Ｄａｔａｃｈｒｏｍ５０００型染料激光器泵浦该晶体成功地实现了１３３１．０ｎｍ基频光和６６５．５ｎｍ自倍频红光的输出。ＮｄｖＧｄＣＯＢ属单斜双轴晶体,具有明显的偏振吸收特性。生长该晶体所用原料为Ｃａ４Ｎｄ０．０８Ｇｄ０．９２Ｏ（ＢＯ３）３。晶体样品尺寸为３ｍｍ×３ｍｍ×８ｍｍ,通光方向为ｘ（ｘ轴与晶体的ｃ轴的夹角为１２°,ｚ轴与ａ轴的夹…     

Li2B4O7晶体生长及其二次谐波系数

用恰克拉斯基（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法特殊工艺生长出尺寸为Φ３０×３０ｍｍ的优质Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７单晶，讨论了工艺参数对晶体宏观缺陷的影响。用Ｍａｋｅｒ条纹测量了晶体的二次谐波系数ｄ３１和ｄ３３，结果表明，Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７的ｄ３３是石英晶体ｄ１１的三倍。     

BeAl_2O_4:Cr晶体的缺陷研究

用化学腐蚀、光学显微镜、X射线形貌术以及电子显微分析等方法研究了引上法生长的BeAl_2O_4:Cr晶体中的缺陷.其结果如下:1)获得了对低指数面(100)、(010)及(001)面位错的理想腐蚀剂,2)晶体中的位错分布不均匀,位错产生的来源有二:一是从晶种中,另一是由包裹物引起.大多数位错是刃型位错,其柏格氏矢量为〈100〉方向、滑移面为(010)面.3)在晶体中常出现的包裹物如气泡,管状物及第二相沉积物,它们是由于原料中的杂质及生长过程中的组分过冷引起的.     

InvFevLiNbO_3晶体的全息存储性能研究

在 Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 中掺进 Ｉｎ２ Ｏ３ 和 Ｆｅ２ Ｏ３ 用恰克拉斯基（ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法生长 Ｉｎｖ Ｆｅｖ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 晶体。测试表明， Ｉｎｖ Ｆｅｖ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 晶体抗光致散射能力高， 响应速度快， 存储保存时间长。研究了 Ｉｎｖ Ｆｅｖ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 晶体全息存储性能的机理， 测得的衍射效率最大值为 ７３％ 。     

晶体压致非晶化的拉曼散射研究

本文主要介绍压致非晶化研究的进展，其中包括我们对β—ＢａＢ＿２Ｏ＿４，ＬｉＢ＿３Ｏ＿５，Ｐｂ＿５Ｇｅ＿３Ｏ＿１１和Ｌｉ＿２Ｇｅ＿７Ｏ＿（１５）的拉曼散射研究结果。综述了压致非晶的结构特征，压致非晶转变机制和重新晶化过程。     

硼酸锂系列晶体的高压拉曼散射研究

本文进行了硼酸锂系列晶体的高压拉曼散射及其压致相变的研究。对于三硼酸锂（ＬｉＢ３Ｏ５），我们发现在５．０ＧＰａ有一可逆的晶态到晶态的相变，在２７．０ＧＰａ有一不可逆的晶态到非晶态的相变。二硼酸锂（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）不可逆压致非晶相变发生在３２．０ＧＰａ附近。对于一硼酸锂，我们研究了０—５５．８ＧＰａ范围内的高压拉曼光谱，只在２．０ＧＰａ发现了一个晶态到晶态的相变，但未发现不可逆压致非晶化现象。在硼酸锂系列晶体中，不可逆压致非晶化的压力随Ｌｉ２Ｏ的含量的增加而升高。硼酸锂晶体中Ｌｉ２Ｏ的含量越高，压致非晶化越不容易发生，这与熔体急冷法制备硼酸锂玻璃的规律是一致的。     

Cr~（3＋）：LiCaAlF_6晶体的缺陷

观察并分析了Ｃｒ３＋：ＬｉＣａＡｌＦ６晶体中的缺陷，发现其中主要包括组分过冷、不定形固体颗粒和异相微晶颗粒等三类包裹体。此外，缺陷的宏观分布与生长方向有关。最后，讨论了缺陷的产生机理和消除途径。     

Growth and Crystallization Habit of a Novel Substrate Crystal LiGaO_2

ＧｒｏｗｔｈａｎｄＣｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎＨａｂｉｔｏｆａＮｏｖｅｌＳｕｂｓｔｒａｔｅＣｒｙｓｔａｌＬｉＧａＯ_２￥ＨＵＡＮＧＷｅｉｍｉｎｇ；ＸＵＪｕｎ；ＷＵＧｕａｎｇｚｈａｏ；ＤＥＮＧＰｅｉｚｈｅｎ；ＧＡＮＦｕｘｉ（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉ?..     

气相传输平衡技术制备LiGaO2薄膜

为获得与GaN薄膜晶格失配小的衬底材料,报道了利用气相传输平衡技术(VTE)在(100)-βGa2O3单晶衬底上制备高度[001]取向LiGaO2薄膜的方法。经过X射线衍射分析表明得到的薄膜是由单相LiGaO2组成。利用扫描电镜(SEM)观察表面形貌,发现经气相传输平衡技术处理得到的薄膜表面形貌主要受温度的影响,表面晶粒尺寸随温度上升而增大。而X射线衍射测试表明随着温度上升,所得到的薄膜也从多晶向单晶化转变。在经过退火处理后,通过观察吸收谱发现LiGaO2薄膜中产生色心,并且色心的种类与温度有关。表明可以通过气相传输平衡技术技术,在远低于LiGaO2熔点的温度制备外延GaN用(001)LiGaO2∥(100)β-Ga2O3复合衬底。     

新型衬底晶体LiGaO2的生长和结晶性质研究

氮化物长期以来被看作是在蓝光及紫外波段光电子应用中最有希望的材料[1].但在改进材料质量方面最大的困难是:缺乏一种能和GaN在晶格及热性能方面十分匹配的理想衬底材料[2].Al2O3被普遍认为可以作为GaN的衬底材料.这主要是由于它具有的结构、热性能好,和生长加工容易等特点.     

(K0.45Na0.55)NbO3无铅压电晶体的生长形态与介电性能研究

采用高温熔融法制备出了尺寸达5 mm×3 mm×1 mm的(K_0.45Na_0.55)NbO₃(KNN)无铅铁电晶体. XRD测试结果表明KNN晶体结构为纯的钙钛矿正交相结构,晶体的显露面为〈001〉结晶面. SEM显微结构分析表明晶体沿[001]方向呈现层状生长台阶,采用负离子配位多面体生长基元模型解释了晶体层状台阶的生长机理. 研究了晶体样品在室温至500 ℃温度范围内的介电性能,两个介电异常峰出现在240和405 ℃,分别对应正交铁电-四方铁电以及四方铁电-立方顺电相相变温度. 采用修正后的居里外斯定律研究了KNN晶体的介电弛豫特性,结果表明KNN晶体的介电弛豫特性接近于普通铁电体特征. 关键词： 0.45Na_0.55)NbO₃晶体')" href="#">(K_0.45Na_0.55)NbO₃晶体 无铅 晶体结构 介电性能     

GaN衬底材料LiGaO2晶体的温度梯度法生长及分析

以温度梯度法生产LiGaO2晶体，通过形貌观察、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析确认在样品的中部形成了单一相的LiGaO2晶体。但在生长过程中由于CO气体的存在，熔体表面形成了LiO-和金属态的Ga,钼坩埚被侵蚀形成Li2MoO4进入熔体，使样品上下两部分的结晶质量变差。     

Growth and characteristics of Mn-doped PMN–PT single crystals

Large sized 0.71PMN–0.29PT single crystals with different Mn-doping content (pure, 1 at.%, 3 at.%) have been grown by a modified Bridgman method. The piezoelectric and dielectric properties of the as-grown crystals are measured. The phase transitions of the poled 0.71PMN–0.29PT with the orientation along 〈001〉 and 〈110〉 directions take place during the heating process. The phase transition of the pure crystals is more complicated than that of the Mn-doped crystals. Both the pure 〈001〉- and 〈110〉-oriented crystals have two dielectric abnormal peaks besides the Curie peak. With Mn-doping, the temperature for the first dielectric abnormal peak shifts to a higher value. The Mn-doping content affects the piezoelectric and dielectric properties of the crystal greatly. 1 at.% Mn-doped crystals possesses a larger coercive field and mechanical quality factor at the expense of a little lower piezoelectric response. The growth and characteristics of pure and Mn-doped 0.71PMN–0.29PT single crystals are reported and discussed in this paper.     

High growth rate deposition of oriented InN pillar crystals

High growth rate deposition of highly oriented indium nitride (InN) pillar crystals were successfully grown on Si(100) substrate prepared under atmospheric pressure using a halide CVD method (AP-HCVD). The growth rate of InN pillar crystal can be enhanced threefold by AP-HCVD system with metal halide dual sources zone, and the maximum growth rate of 8.33 nm/s was achieved. X-ray diffraction and X-ray pole-figure analyses showed that the each InN pillar crystal grows with a different rotation angle around the 〈001〉 axis. Selected area transmission electron diffraction showed that that they are of high crystal quality.     

Microstructure and strain analysis of GaN epitaxial films using in-plane grazing incidence x-ray diffraction

This paper investigates the major structural parameters,such as crystal quality and strain state of (001)-oriented GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapour deposition,using an in-plane grazing incidence x-ray diffraction technique.The results are analysed and compared with a complementary out-of-plane xray diffraction technique.The twist of the GaN mosaic structure is determined through the direct grazing incidence measurement of (100) reflection which agrees well with the result obtained by extrapolation method.The method for directly determining the in-plane lattice parameters of the GaN layers is also presented.Combined with the biaxial strain model,it derives the lattice parameters corresponding to fully relaxed GaN films.The GaN epilayers show an increasing residual compressive stress with increasing layer thickness when the two dimensional growth stage is established,reaching to a maximum level of-0.89 GPa.     

Properties of the oxygen sublattice structure of YBa<Subscript>2</Subscript>Cu<Subscript>3</Subscript>O<Subscript>7−<Emphasis Type="Italic">x</Emphasis></Subscript> crystal studied by ion channeling

Properties of the oxygen sublattice structure of the YBa₂Cu₃O_{7 ?x} crystal are studied using the diffusion model of ion channeling. The angular dependence of the elastic resonance scattering of helium ions on oxygen nuclei along the 〈001〉 direction is measured at an ion energy of 3.055 MeV. Steps are observed in the scattering yield at an angle of about 0.4°. The best fit of the calculated angular dependence of elastic resonance scattering to the experimental data is attained under the assumption that the oxygen rows contain vacancies corresponding to a fraction (not exceeding 20%) of the disordered oxygen atoms, which are randomly distributed in the plane normal to the 〈001〉 direction, and that the oxygen atoms in the rows are displaced from their equilibrium positions in a direction normal to the 〈001〉 axis.