碳纳米管的热解法制备、电子显微镜观察及拉曼光谱研究

以二茂铁和二甲苯为原料在Ar和H2 气氛中不同温度下热解制备出了不同直径分布的碳纳米管。在 740℃、780℃、82 0℃和 880℃下制备出的碳纳米管的外径分布分别为 1 7-80nm、2 0 - 73nm、40 - 70nm、1 7- 2 7nm。拉曼光谱和透射电子显微镜 (TEM )观察表明 ,在82 0℃下制备的碳纳米管晶形最完整     

CVD法制备碳纳米管的TG-DTA研究--温度对CVD法制备碳纳米管的影响

基于碳纳米管粗产品中无定形碳和不同直径碳纳米管对氧的反应活性的差异 ,通过差热 -热重 (TG DTA)方法 ,结合透射电镜 (TEM)和X射线衍射 (XRD)的测试结果 ,研究了合成温度对以乙炔气体为碳源 ,用CVD法制备碳纳米管的石墨化程度、碳纳米管直径以及直径分布的影响 .结果表明 :反应中 ,由于催化剂Co/SiO2中活性组分 (Co)微晶随合成温度的升高而增大 ,导致所制备的碳纳米管的直径增大 ,从 2 0～ 30nm (6 5 0℃ )增加到 30～ 5 0nm (75 0℃ ) .碳纳米管的石墨化程度随着反应温度的升高而增加 .XRD实验结果还表明 ,当合成温度从 6 5 0℃增加到 85 0℃时 ,2θ值从 2 5 .8°增加到 2 6 .8°,(0 0 2 )晶面的层间距从 3.45 减小到 3.32 ,即随着合成温度的升高 ,碳纳米管 (0 0 2 )晶面的层间距减小 .通过DTA放热峰的峰温和半峰宽的分析得出 ,无定形碳的放热峰峰温Tp<380℃ ,其含量随着温度的升高而减小 .碳纳米管的DTA放热峰的峰温Tp 随着碳纳米管的直径和石墨化的程度的增加而升高 ,半峰宽随着碳纳米管的直径的分布范围增大而增宽 .低温 (6 5 0℃ )有利于生成直径小且均匀的多层碳纳米管 (2 0～ 30nm) ,而高温 (大于 75 0℃ )则有利于生成直径大的多层碳纳米管 (大于 30～5 0nm) .     

方程式及变量的独立性

“匀变速直线运动”中 ,包含五个变量 ,即初速度ｖ0 ,末速度ｖ ,加速度ａ ,时间ｔ及路程ｓ.理论上讲这五个变量之间存在着无数的公式 ,但最有用的只有下面五个 :ｖ =ｖ0 ａｔ (1 )　ｓ =ｖ0 ｖ2 ｔ　(2 )ｓ=ｖ0 ｔ 12 ａｔ2 　 (3 )　ｓ =ｖ2 -ｖ202ａ 　(4 )ｓ=ｖｔ- 12 ａｔ2 (5)我们研究一下这五个公式 ,可看出 ,式中依次没有ｓ、ａ、ｖ、ｔ、和ｖ0 ,即式 (1 )到式 (5)各是ｖ0 、ｖ、ａ、ｔ;ｖ0 、ｖ、ｔ、ｓ;ｖ0 、ａ、ｔ、ｓ;ｖ0 、ｖ、ａ、ｓ;ｖ、ａ、ｔ、ｓ之间公式 ,每一个公式都只包括四个变量 .下面的问题是 ,这些公式之间有几…     

用温度计测量酒精的体积膨胀系数

温度计毛细管中酒精的长度变化ΔL1与温度改变ΔT1成正比,通过拟合ΔL1-ΔT1获得斜率S1,由已知毛细管的横截面积A1和酒精初始体积V1,计算得到酒精的体积膨胀系数.对于毛细管的横截面积和酒精初始体积未知的温度计,可以更换不同量程和精度的温度计,拟合ΔL2-ΔT2获得斜率S2,拟合ΔL1-ΔL2获得斜率S3,由S2,S3,V1和A1计算得到酒精的体积膨胀系数.     

镓基液态金属热界面材料的性能研究

采采用微氧化法制备Ga基室温液态金属热界面材料。实验结果表明,微量氧化镓的存在可显著改善液态金属的润湿性,且GaIn10合金热界面材料具有较高的热导率(约19.2 W·m~(-1)·K~(-1))。搭建接触传热测试平台,分别研究液态金属Ga及其二元、三元合金热界面材料的导热性能,对比市售导热硅脂,该新型镓基热界面材料,特别是其二元合金热界面材料,在大功率下工作时热源温度相对于导热硅脂下降近14℃,界面热阻只有5.4 Kmm~2/W,显示出更加优越的导热性能。     

炭电阻低温温度计(Ⅳ)

本文报道了炭电阻低温温度计批量性元件低温性能实验结果:低温稳定性、低温复现性、电阻-温度关系式等.并给出0—5.4T,小于4.2K 和0—10T、4.2K 的磁致电阻曲线.     

BOPUXUE ZAZHI(CHINESE JOURNAL OF MAGNETIC RESONANCE)GENERAL CONTENTS

Ｖｏｌ.19　Ｎｏ .1　Ｍａｒ.2 0 0 21Ｈ ＭＲＳＳｔｕｄｙｏｆｔｈｅＭｅｔａｂｏｌｉｔｅｏｎｔｈｅＢｏｒｄｅｒＺｏｎｅｏｆＡｃｕｔｅＣｅｒｅｂｒａｌＩｓｃｈｅｍｉａＹＩＬｉ,ＬＵＧｕａｎｇ ,ＬＩＵＭａｉ ｌｉｅｔａｌ.　　 ( 1 -7)…………………………………2ＤＮＭＲＳｔｕｄｙｏｎＰｈｏｔｏｌｙｓｔｉｃＰｒｏｄｕｃｔｓｏｆ 2 ｍｅｔｈｙｌ ｎａｐｈｔｈｏｑｕｉｎｏｎｅＤｉａｚｉｄｅｉｎＣｙｃｌｉｃＥｔｈｅｒｓ ＺＨＡＮＧＷｅｉ,ＬＩＵＺｈｏｎｇ ｌｉ,ＹＡＮＧＬｉ　 ( 9-1 4 )………………ＴｈｅＳｐｅｃｔｒｏｓ…     

1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长

本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。     

BOPUXUE ZAZHI(CHINESE JOURNAL OF MAGNETIC RESONANCE)GENERAL CONTENTS

Ｖｏｌ.18　Ｎｏ .1　Ｍａｒ.2 0 0 1ＳｔｕｄｙｏｆｔｈｅＲｅａｃｔｉｏｎｏｆＰｄ(ＯＡｃ) 2 ｗｉｔｈＰＰｈ3ｉｎＣＣｌ4　　　　　………………………ＷＥＩＦｅｎｇ ｐｉｎｇ ,ＨＵＡＮＧＹｏｎｇ ｒｅｎａｎｄＦＥＮＧＬｉａｎｇ ｂｏｅｔａｌ.　 ( 1 -5)…………ＰａｒａｍａｇｎｅｔｉｃｇＦａｃｔｏｒｏｆＺｎＳ :Ｃｏ2 +Ｃｒｙｓｔａｌ 　　　　　……………………………………ＸｉｅＬｉｎ ｈｕａ ,ＨｕＰｉｎｇａｎｄＺｈａｏＭｉｎ ｇｕａｎｇ　 ( 7-1 1 )……………………………ＡＳｔｕｄｙｏｆｔｈｅＣｈａｉｎＭｏｔｉｏ…     

Au对GaP接触界面形成及其特性

借助Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜研究了Ａｕ和ＧａＰ接触体系界面特性的温度依赖性。测量表明,既使在低于４００℃温度下界面反应也会生成少量的Ａｕ－ＧａＰ金属间化合物,它的主要成份是（ＧａＡｕ）Ｈ,Ｇａ２Ａｕ,在较高温度５５０℃合金条件下界面反应生成少量的ＧａＰ化合物表面发生分解,界面反应增增并伴随着快速的原子间互扩散,大量Ｇａ原子向外迁移进入Ａｕ膜复盖层。同时,Ａｕ原子也内扩散进入ＧａＰ表面,Ａｕ－ＧＡ