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相似文献
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1.
利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明,由于Ge原予的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为x≈0.13;650℃退大会使Ge原予向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。  相似文献   

2.
高压下尼龙1010-单壁碳纳米管复合材料的结晶行为   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 采用XKY-6×1200MN型六面顶压机,在不同温度、压力条件下处理30 min后制备了尼龙1010(PA1010)-单壁碳纳米管(SWCNT)复合材料的高压结晶样品,通过X射线衍射(XRD)、差热分析仪(DSC)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),研究了高压处理样品的结晶行为、结构变化及形貌特征。结果表明:在1.0~2.5 GPa压力下,属于高压熔体结晶;在3.0和4.5 GPa压力下属于高压退火处理;高压结晶或高压退火均有助于聚合物片层晶体的增厚,并且高压熔体结晶的增厚效果优于高压退火处理。XRD结果表明,PA1010的三斜晶型在高压处理后保持不变,高压熔体结晶或高压退火都可以使(100)晶面和(010)晶面间距减小,即高压处理致使聚合物分子链紧密堆积。DSC结果表明:在高压熔体结晶过程中,升高压力和温度可以得到片层厚度较大的PA1010晶体;在2.0 GPa、350 ℃下获得的高压结晶样品的熔点和结晶度最高,分别达到208.5 ℃和64.6%。SEM和TEM结果表明:与常压结晶样品相比,高压结晶样品内部出现c轴厚度超过150 μm的大尺寸晶体;SWCNT与PA1010基体之间形成相互穿插的网络结构,刚性的SWCNT作为高压成核剂促进PA1010晶体生长和增厚。  相似文献   

3.
质子交换LiTaO3光波导特性及晶格常数变化   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用气相质子交换方法,在Z-切LiTaO3晶体表面制备平面光滑波导层。样品制备采用245℃苯甲酸气体,在LiTaO3晶体在-C和+C表面交换8-20小时。质子交换层在LiTaO3表面形成,并用棱镜耦合测量波导样品。然后在HF:HNO3酸中用化学方法腐蚀波导层,并用电子显微镜观测光波导层与补底界面的形貌。用X射线衍射法,测量LiTaO3质子交换光波层的晶格常数变化。用双晶X射线测量质子交换(PE)和退火质子交换(APE)波导层晶格常数的变化。样品的X射线衍射曲线表明,PE和APE波导晶格常数的变化不同。实验中,还测量了有无极畴反转LiTaO3晶格常数的改变。  相似文献   

4.
聚合物制品在使用过程中,人们最关心的是它的使用失效条件,失效的重要体现就是材料的屈服。目前为止,人们普遍利用位错理论来解释聚合物材料的屈服现象,该理论关注的是晶体的取向和破坏现象,而忽略了晶体的形变和受力情况。事实上,晶体的取向和破坏只是屈服的结果,晶体承受应力的能力才是屈服的直接原因。因此,从晶体的受力和非均匀形变入手研究了聚合物制品的屈服行为,期望为理解聚合物材料的失效行为提供新思路。这里选取被人们广泛使用的等规聚丙烯(iPP)材料作为研究对象,将iPP熔体在不同温度下等温结晶制备出具有不同片晶厚度iPP样品,利用二维广角X射线衍射光谱原位监测了拉伸过程中iPP样品的晶体破坏和晶体取向过程。首次利用“覆盖法”对二维X射线衍射图进行了处理,原位观察了(110)晶面在拉伸过程中的2θ角的变化,区分出了两个方向上(平行于拉伸方向和垂直于拉伸方向)晶体形变的非均一性。结果表明:对于不同片晶厚度的iPP晶体,在单轴拉伸过程中,晶体在不同方向上的受力和形变均是不同的,即晶体的非均一形变是一种普遍现象;晶体的破坏和取向总是同时发生,都是从屈服点位置处开始,这和片晶厚度无关;而晶体破坏时对应的临界...  相似文献   

5.
高密度聚乙烯(HDPE)在静高压下的强度研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 高密度聚乙烯(HDPE)在1~2 GPa的静高压下发生熔体结晶。用压缩的方法对经过高压处理后的样品进行了杨氏模量的测量。测量结果表明:样品的杨氏模量随压力和结晶度的增加而增大,最大值达到1.46 GPa。伸直链晶体的形成是杨氏模量增加的重要因素。  相似文献   

6.
李超荣 《物理学报》1997,46(10):1953-1960
用X射线三轴晶散射和晶体截断杆扫描研究了不同工艺条件下分子束外延生长的ZnTe/GaSb结构.X射线晶体截断扫描显示,从衬底表面清洁温度到生长温度退火过程中采用Zn气氛的样品具有清晰的干涉条纹,而在Te气氛下退火则晶体截断扫描没有干涉条纹.在倒易点004,115附近X射线散射的二维强度分布图显示,两种条件下生长样品的晶格失配应力都没有弛豫.二维等强度分布图和沿[110]方向的扫描,都显示在Te气氛下生长的膜具有较强的漫散射,并且分布较宽.这种漫散射来源于界面相Ga2Te3< 关键词:  相似文献   

7.
以光栅衍射缺级理论为切入点对晶体X射线衍射缺级的现象、产生的根源进行了理论分析,得出:(1)晶体X射线衍射缺级存在的可能性在于某些晶体材料晶胞的几何结构因子为零;(2)在复式格子晶体或具有某种特殊缺陷的晶体的X射线衍射图样中存在缺级是这方面实验研究的方向.这些结论在材料物相、材料结构类型和不完整性分析等方面具有一定的参考价值.  相似文献   

8.
胡关钦  冯锡淇 《发光学报》1997,18(4):317-319
比较研究了氟化铈晶体、CeO2、草酸铈CeAc3粉末中Ce离子外层3d电子的X射线光电子能谱,给出了三种样品的X射线光电子光谱参数.CeF3中的Ce离子可能是混合价态,用电荷自补偿观点解释CeF3晶体抗辐照机理.  相似文献   

9.
本文提出了用X射线荧光光谱(XRFS)定量分析氟化铈晶体中掺杂元素钕方法,对用XRFS进行晶体样品分析时的制样方法作了比较,并且对用XRFS非破坏分析晶体中的掺杂元素的方法进行了探讨。  相似文献   

10.
 为诊断激光等离子体X射线,研制了基于Bragg衍射原理的球面弯曲晶体。球面晶体可提高空间分辨、光谱分辨及立体角收集辐射能力。实验采用球面弯曲石英晶体作为分析器,X射线成像板作为成像器件,利用X射线衍射仪铬靶 Kα单色谱成像,验证了0.2 mm间隔双丝的单能像,球面弯晶具有较高的光谱分辨力和信噪比,谱分辨力可达1 000,聚光效率在同样距离条件下比平晶分析器高一个数量级以上。  相似文献   

11.
为获得与GaN薄膜晶格失配小的衬底材料,报道了利用气相传输平衡技术(VTE)在(100)-βGa2O3单晶衬底上制备高度[001]取向LiGaO2薄膜的方法。经过X射线衍射分析表明得到的薄膜是由单相LiGaO2组成。利用扫描电镜(SEM)观察表面形貌,发现经气相传输平衡技术处理得到的薄膜表面形貌主要受温度的影响,表面晶粒尺寸随温度上升而增大。而X射线衍射测试表明随着温度上升,所得到的薄膜也从多晶向单晶化转变。在经过退火处理后,通过观察吸收谱发现LiGaO2薄膜中产生色心,并且色心的种类与温度有关。表明可以通过气相传输平衡技术技术,在远低于LiGaO2熔点的温度制备外延GaN用(001)LiGaO2∥(100)β-Ga2O3复合衬底。  相似文献   

12.
GaN外延衬底LiGaO2晶体的生长和缺陷   总被引:6,自引:4,他引:2  
徐科  徐军  周国清  董俊  邓佩珍 《光学学报》1998,18(4):99-502
LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验,用提拉法生长了尺寸为15×60mm的高质量LiGaO2单晶。利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析,研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响。LiGaO2晶体在〈100〉方向生长速率最快,在〈001〉方向上生长较慢。由于原料按非化学计量比挥发致使组份偏离,容易产生γ-Ga2O3包裹物。包裹物和位错的形成具有一定的相互促进作用,往往形成平行于(001)面的亚晶界。通过调整原料配比、生长工艺参数可克服上述问题。  相似文献   

13.
Herein we present a study of the electronic structure of lithium metagallate (LiGaO(2)), a material of interest in the field of optoelectronics. We use soft x-ray spectroscopy to probe the electronic structure of both the valence and conduction bands and compare our measurements to ab initio density functional theory calculations. We use several different exchange-correlation functionals, but find that no single theoretical approach used herein accurately quantifies both the band gap and the Ga 3d(10) states in LiGaO(2). We derive a band gap of 5.6 eV, and characterize electron hybridization in both the valence and conduction bands. Our study of the x-ray spectra may prove useful in analysing spectra from more complicated LiGaO(2) heterostructures.  相似文献   

14.
黄为民  徐军 《发光学报》1997,18(1):84-86
氮化物长期以来被看作是在蓝光及紫外波段光电子应用中最有希望的材料[1].但在改进材料质量方面最大的困难是:缺乏一种能和GaN在晶格及热性能方面十分匹配的理想衬底材料[2].Al2O3被普遍认为可以作为GaN的衬底材料.这主要是由于它具有的结构、热性能好,和生长加工容易等特点.  相似文献   

15.
Physics of the Solid State - The atomic structure of Fe–Al (7 and 9 at % Al) and Fe–Ga (18 at % Ga) alloys is studied by X‑ray diffraction using a laboratory four-circle...  相似文献   

16.
Growth and Crystallization Habit of a Novel Substrate Crystal LiGaO_2   总被引:1,自引:0,他引:1  
GrowthandCrystallizationHabitofaNovelSubstrateCrystalLiGaO_2¥HUANGWeiming;XUJun;WUGuangzhao;DENGPeizhen;GANFuxi(ShanghaiInsti?..  相似文献   

17.
本文报道了扩散Nb3Ga带样的X光金相分析和超导转变温度的测试结果。  相似文献   

18.
This article describes a comparison of conventional energy‐dispersive X‐ray fluorescence (EDXRF) and synchrotron radiation total‐reflection X‐ray fluorescence (SRTXRF) for Co determination in ruminal fluid from Holstein cow. This element is used as marker for animal nutrition studies. For EDXRF, 200 µl of the sample were dried on 6.35 µm Mylar film at 60 °C. The excitation was carried out using an X‐ray tube with Mo target and Zr filter operated at 30 kV/20 mA. For SRTXRF, 10 µl of the sample were pipetted on a Lucite carrier and dried at 60 °C. In both the techniques, Ga was used as internal standard and the acquisition time was 200 s. The trueness of both techniques was evaluated through the standard addition method, the recoveries obtained by SRTXRF and EDXRF were 76 and 99%, and the limits of detection, 13 and 240 µg l?1, respectively. Copyright © 2011 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   

19.
Cu掺杂Ga2O3薄膜的光学性能   总被引:1,自引:1,他引:0  
闫金良  赵银女 《光子学报》2012,41(6):704-707
采用射频磁控溅射和N2气氛退火处理制备了多晶Ga2O3薄膜和Cu掺杂Ga2O3薄膜.用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、荧光光谱仪对Ga2O3薄膜和Cu掺杂Ga2O3薄膜的结构和光学性能进行了表征.结果表明,Cu掺杂后Ga2O3薄膜的结晶质量变差,透过率明显降低,吸收率增加,光学带隙减小.本征Ga2O3薄膜在紫外、蓝光和绿光出现了发光带,Cu掺杂后紫外和蓝光发射增强,且在475nm处出现了一个新的发光峰.  相似文献   

20.
Polycrystalline CuIn0.5Ga0.5Te2 films were deposited by flash evaporation from ingot prepared by reacting, in stoichiometric proportions, high purity Cu, In, Ga and Te elements in vacuum sealed quartz. The as-obtained films were characterized by X – ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM) combined with energy dispersive spectroscopy (EDS). XRD and TEM results showed that the layer has a chalcopyrite-type structure, predominantly oriented along (112) planes, with lattice parameters a?=?0.61?nm and c?=?1.22?nm. The optical properties in the near - infrared and visible range 600–2400?nm have been studied. The analysis of absorption coefficient yielded an energy gap value of 1.27?eV. Photoluminescence analysis of as-grown sample shows two main emission peaks located at 0.87 and 1.19?eV at 4?K.  相似文献   

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