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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 171 毫秒

1.  离子轰击入射角对溅射参数的影响  被引次数:1
   邵其鋆  霍裕昆  陈建新  吴士明  潘正瑛《物理学报》,1991年第40卷第4期
   本文用基于两体碰撞近似的蒙特-卡罗模拟方法研究离子轰击入射角对溅射参数的影响,讨论了入射角与溅射产额、溅射粒子能谱、角分布和阈能的关系,并把计算结果与某些半经验公式和实验数据进行了比较。    

2.  Pt(111)表面低能溅射现象的分子动力学模拟  
   颜超  吕海峰  张超  张庆瑜《物理学报》,2006年第55卷第3期
   利用嵌入原子方法的原子间相互作用势,通过分子动力学模拟,详细研究了贵金属原子在Pt (111)表面的低能溅射现象.模拟结果显示:对于垂直入射情况,入射原子的质量对Pt (11 1)表面的溅射阈值影响不大.当入射原子的能量小于溅射阈值时,入射原子基本以沉积为主 ;当入射原子的能量大于溅射阈值时,溅射产额随入射原子能量的增加而线性增大;当入射 原子能量达到200 eV时,各种入射原子的溅射产额都达到或接近1,此时入射原子主要起溅 射作用.溅射原子发射的角分布概率和溅射花样与高能溅射相类似.研究表明:与基于二体碰 撞近似的线性级联溅射理论不同,当入射原子能量大于溅射阈值时,低能入射原子的溅射产 额正比于入射原子的约化能量和入射原子与基体原子的质量比.通过对低能入射原子的钉扎 能力分析,提出了支配低能溅射的入射原子反射物理机理.    

3.  采用壳层效应屏蔽长度Monte Carlo方法计算溅射产额  
   李之杰  王泽辉  川村孝一  山村泰道《计算物理》,2002年第19卷第4期
   使用ACAT模拟程序计算不同离子碰撞在单原子材料上的溅射产额。采用山村等人提出的考虑壳层铲应的理论屏蔽长度,原子间作用势用Moliere势。并将计算结果与实验数据和山村等的经验公式进行了比较。    

4.  用自洽的蒙特卡罗—流体结合模型模拟溅射过程  
   张云驰  赵夔  张保澄  谢大林  唐渝兴  杨希《强激光与粒子束》,2000年第12卷第2期
    采用自洽的蒙特卡罗-流体结合模型对溅射过程进行模拟,以了解等离子体粒子行为与溅射参数的关系。溅射过程包括气体放电和溅射原子传输。对于气体放电,蒙特卡罗部分模拟快电子和快气体原子,而流体部分则描述离子和慢电子。对于溅射原子传输,蒙特卡罗部分模拟溅射原子的碰撞过程,而流体部分则描述溅射原子的扩散和漂移。模拟的结果包括:等离子体粒子的密度和能量分布;不同电离机制对气体原子和溅射原子电离的贡献;不同等离子体粒子对阴极溅射碰撞的贡献;溅射原子的密度分布;溅射场和溅射粒子相对于入射离子能量和角度的分布;溅射原子经碰撞后在整个等离子体区的分布。    

5.  磁控溅射Al膜的AFM性能分析及其制备工艺研究  
   何建梅  温浪明  章晨  张勋  郑锡鑫  庄炜培  张红  徐海红《物理实验》,2007年第27卷第8期
   用原子力显微镜(AFM)对直流溅射和射频溅射制备铝膜的表面粗糙度及颗粒大小进行了分析比较.实验结果表明:溅射功率和溅射时间对铝膜表面粗糙度有影响,通过延长溅射时间或提高溅射功率可使膜的平均颗粒直径增大.    

6.  多成分靶优先溅射的蒙特-卡罗计算  被引次数:2
   潘正瑛  陈建新  吴士明  霍裕昆《物理学报》,1990年第39卷第2期
   基于两体碰撞近似,本文用蒙特-卡罗方法研究离子轰击多成分靶引起的溅射。计算了1keV,10keV的氦离子和氖离子入射引起多成分、无定型靶表面总溅射产额和部分溅射产额;溅射粒子的能谱、角分布和深度来源分布。并计算了择优溅射引起材料表面组分相对浓度的变化。结果还表明,离子轰击多成分靶时,碰撞效应足以引起优先溅射,它是造成靶表面各种成分相对浓度变化的重要因素。    

7.  Y稳定的ZrO2薄膜双轴取向生长的Monte Carlo研究  
   江炳尧  牟海川《低温物理学报》,1998年第20卷第5期
   本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入ZrO2单晶所引起的原子级联碰撞过程.模拟结果表明,Ar+离子沿[111]轴沟道方向入射的溅射率低于沿[101]轴沟道方向入射的溅射率,更低于沿非沟道方向入射的溅射率.Ar+离子沿沟道方向入射的溅射率与非沟道方向入射的溅射率的差别随着Ar+离子入射能量的增大而迅速增大.因此在薄膜生长的过程中,若用一定能量的离子束以一定的入射角度进行轰击,薄膜中那些低指数晶向对准离子入射方向的晶粒,其溅射率和损伤程度较小.这些晶粒能保存下来并继续生长,而其它的晶粒由于其溅射率和损伤程度较大生长受到抑制.在薄膜生长的过程中,溅射率最少的晶粒由于生长速度较快,最终抑制了其它取向晶粒的生长.该模拟计算定性地说明了由于晶粒溅射产额的各向异性导致了Y稳定的ZrO2薄膜具有单一的取向和平面织构.    

8.  溅射光学膜  
   黄天祥《光学技术》,1981年第2期
   <正> 制备固体薄膜的方法很多,其中真空蒸发和溅射是两种主要的方法,电子工业的迅速发展刺激了溅射技术的发展。三极溅射和四极溅射的出现,使溅射薄膜的质量和再现性均有提高。高频溅射更把溅射技术提高到一个新的水平。溅射技术主要应用在电学薄膜中,近十年来,在溅射光学介质薄膜方面也做了一定的工作。    

9.  离子溅射(Ⅱ)  
   田民波  崔福斋《物理》,1987年第4期
   三、合金和化合物的溅射[2,21-23]1.择优(preferential)溅射现象 对合金、化合物的溅射与前面所述的对单质的溅射具有十分显著的差别.首先,即使同种原子。由单原子固体变为多种原子固体后,溅射产额也将发生十分显著的变化,这种现象在结合状态发生了很大变化的氧化物等中可以明显地看到.再者.构成固体的每种元素,溅射产额都不相同。所以被溅射固体的表面成分和溅射之前相比,发生了变化,这就是所谓的择优溅射观象.这种现象在多原子固体的溅射中是十分重要的. 一般用下述方法来分析评价择优溅射现象.为简单起见,考虑二元合金.构成二元合金的两…    

10.  用新局域模型计算高Z靶的溅射产额  被引次数:1
   李之杰  王泽辉  川村孝一  山村泰道《核聚变与等离子体物理》,2002年第22卷第1期
   用ACAT模拟程序计算了不同离子碰撞在单原子材料上的溅射产额。计算中采用山村等人提出的包括壳效应的新电子能量损失局域模型 ,原子间作用势使用Moli啨re势?扑愕玫降慕峁胧笛槭莺蜕酱宓鹊木楣浇斜冉?,符合得很好    

11.  金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型(Ⅱ)——数值计算与结果讨论  
   肖定全  韦力凡  李子森  朱建国  钱正洪  彭文斌《物理学报》,1996年第45卷第2期
   结合实验中的工艺技术参数,以Pb,Ti两金属靶的反应共溅射为例,对我们提出的金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型进行数值计算,分别得出了各靶的溅射速率R,反应腔中反应气体分压p以及衬底Pb,Ti的金属单质和氧化物所占的有效面积百分比与反应共溅射中直接可调的物理量,即反应气体总量Q和溅射离子束流J的关系.计算结果表明,该模型揭示了反应溅射具有滞回效应的本质特征,反映了反应共溅射中相关参数的相互影响与相互耦合的特点,给出了薄膜中组分原子百分比及其氧化物的形态与溅射工艺的关系,指出了多离子束反应共溅射中稳恒溅    

12.  低能Pt原子与Pt(111)表面相互作用的分子动力学模拟  被引次数:4
   张超  吕海峰  张庆瑜《物理学报》,2002年第51卷第10期
   利用分子动力学模拟方法详细研究了低能Pt原子与Pt(111)表面的相互作用所导致的表面吸附原子、溅射原子、表面空位的产生及分布规律,给出了表面吸附原子产额、溅射原子产额和表面空位产额随入射Pt原子能量的变化关系.模拟结果显示:溅射产额、表面吸附原子产额和表面空位产额随入射原子的能量的增加而增加,溅射原子、表面吸附原子的分布花样呈3度旋转对称性质;当入射粒子能量高于溅射阈值时,表面吸附原子主要是基体最表面原子的贡献,入射粒子直接成为表面吸附原子的概率很小.其主要原因是:当入射粒子能量高于溅射能量阈值时,入射    

13.  用同步辐射小角衍射方法研究多层膜周期结构  
   王俊  崔明启  徐文轩  黄宇营  王德武  刘建飞  冼鼎昌《中国物理 C》,1994年第18卷第1期
   用磁控溅射方法制备的W/Si、Nb/Si多层膜在北京正负电子对撞机同步辐射装置衍射实验站进行了掠入射Bragg衍射实验,对多层膜结构的周期性、周期厚度、组分等进行了分析,并与模拟计算结果进行了比较.    

14.  NbN薄膜的制备与性能研究  被引次数:2
   彭松  肖斌平  郝建奎  谢大弢《光谱学与光谱分析》,2005年第25卷第4期
   采用磁控溅射和直流偏压二极溅射两种方法制备了NbN薄膜。用XRD和TEM测量比较了两种不同溅射方法获得的NbN薄膜的特点,并测量了NbN薄膜的超导转变温度Tco采用两种溅射方法都得到了致密、均匀、单一δ相的多晶NbN薄膜,薄膜生长的择优取向受温度和氮气流量的影响很大,薄膜的超导转变温度受溅射室本底真空影响较大。    

15.  Nb表面的清洁处理  
   胡兹甫  吴建新  刘先明  季明荣《物理》,1990年第1期
   本文介绍了用电子束加热(1500℃)及同时用氩离子溅射的方法进行金属Nb的表面清洁处理,处理结果良好.    

16.  Nb表达的清洁处理  
   胡兹甫 吴建新 等《物理》,1990年第19卷第1期
   本文介绍了用电子束加热(1500℃)及同时用氩离子溅射的方法进行金属Nb的表面清洁处理,处理结果良好。    

17.  高电荷态离子与SiO2表面相互作用的研究  
   彭海波  杨秀玉  程锐  王释伟  羊佳  韩运成  赵永涛  房燕  王铁山《原子与分子物理学报》,2008年第25卷第4期
   高电荷态离子(Pbq ,Arq )由兰州近代物理研究所的ECR实验平台所产生,轰击非晶态SiO2表面.用微通道板测量溅射粒子产额的角分布.用公式拟合实验溅射角分布得到了较好的结果,并给出了初步的理论解释.由此得出了高电荷态离子与SiO2表面作用的微分溅射截面.实验结果表明高电荷态离子能够增加动能溅射;同时高电荷态离子入射能够引起势能溅射.在大角度入射时,溅射产额主要是由碰撞引起的;在小角入射时势能溅射所占比重会增大.    

18.  磁控溅射材料沉积速率的定标方法的研究  被引次数:1
   吴文娟  王占山  张众  王洪昌  王风丽  秦树基  陈玲燕《光学技术》,2005年第31卷第4期
   介绍了一种利用磁控溅射制备多层膜速率的定标方法。用高精度磁控溅射镀膜设备在同一块基片上先后镀制了两种周期的多层膜,用X射线衍射仪对其进行掠入射衍射测量,测量数据经线性拟合,可同时求得两种多层膜的周期,进而得到镀膜速率。与常用的定标方法相比,该方法不仅可以得到与常用定标方法相同的实验结果,而且提高了工作效率。    

19.  表面粗糙度对面向等离子体钨材料溅射的影响  
   杨涛  龚学余  胡继文  杜丹《核聚变与等离子体物理》,2015年第35卷第2期
   依据钨材料表面溅射的实验现象,建立钨材料表面粗糙模型,模拟了高能H+、He+粒子辐照下的钨材料表面的溅射行为过程,并与基于离子输运的双群模型计算得到的结果作了比较。结果表明,随着钨材料表面粗糙程度的增加,溅射率降低;对一定的粗糙表面,相同能量的不同入射粒子,质量越大粒子溅射率越高,这些结果为分析聚变装置中心等离子体杂质水平和评价偏滤器寿命等提供了一定的理论支撑。    

20.  替位杂质对低能Pt原子与Pt(111)表面相互作用影响的分子动力学模拟  
   张超  王永亮  颜超  张庆瑜《物理学报》,2006年第55卷第6期
   采用嵌入原子方法的原子间相互作用势,通过分子动力学方法模拟了低能Pt原子与Cu,Ag,Au,Ni,Pd替位掺杂Pt(111)表面的相互作用过程,系统研究了替位原子对表面吸附原子产额、溅射产额和空位缺陷产额的影响规律,分析了低能沉积过程中沉积原子与基体表面的相互作用机理以及替位原子的作用及其影响规律.研究结果显示:替位原子的存在不仅影响着沉积能量较低时的表面吸附原子的产额与空间分布,而且对沉积能量较高时的低能表面溅射过程和基体表面空位的形成产生重要影响.替位原子导致的表面吸附原子产额、表面原子溅射以及空位形    

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