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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 218 毫秒

1.  掺镁YFeO3固溶体的电导和气敏性能研究  被引次数:1
   葛秀涛  储向锋  刘杏芹《化学物理学报(中文版)》,2000年第13卷第3期
   用化学共沉淀法制备了复合氧化物YFeO3镁掺杂固溶体Y1-xMgxFeO3气敏半导体材料,并对其相组成、电导和气敏性能进行了研究。结果表明:Mg2+在YFeO3的A位固溶范围为0糩]x糩0.8;电导测量显示,该p型固溶材料电导突变温度较纯相YFeO3低100℃以上;900℃下灼烧4h所得的Y0.94Mg0.06FeO3粉料制作的元件在257℃时对乙醇灵敏度最高,对4.5*mol/L乙醇的灵敏度高达44;选择性较好,4.5韒ol/LC2H5OH的灵敏度是45*mol/Lpetrol的4.0倍。    

2.  镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响  被引次数:7
   葛秀涛  倪受春《化学物理学报》,2002年第15卷第2期
   用共沉淀法制备了Mg2 + 掺杂的In2 O3 纳米粉 ,研究了镁掺杂对In2 O3 电导和气敏性能的影响 .结果表明 :MgO和In2 O3 间可形成有限固溶体In2 -xMgxO3 (0≤x≤ 0 .40 ) ;MgIn× 电离的空穴对材料导带电子的湮灭 ,使掺镁纳米粉的电导变得很小 ;n(Mg2 + )∶n(In3 + ) =1∶2共沉淀物于 90 0℃下热处理 4h ,用所得的纳米粉制作的传感器在 32 0~ 370℃下 ,对 45 μmol/LC2 H5OH的灵敏度达 10 2 .5 ,为相同浓度干扰气体Petrol的 12倍多 .    

3.  镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响  
   葛秀涛  倪受春《化学物理学报(中文版)》,2002年第15卷第2期
   用共沉淀法制备了Mg2+掺杂的In2O3纳米粉,研究了镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响.结果表明:MgO和In2O3间可形成有限固溶体In2-xMgxO3(0≤x≤0.40);MgIn×电离的空穴对材料导带电子的湮灭,使掺镁纳米粉的电导变得很小;n(Mg2+):n(In3+)=1:2共沉淀物于900℃下热处理4 h,用所得的纳米粉制作的传感器在320~370℃下,对45μmol/L C2H5OH的灵敏度达102.5,为相同浓度干扰气体Petrol的12倍多.    

4.  α-Fe_2O_3-MgO复合氧化物的制备和气敏性能  
   葛秀涛  侯长平  刘杏芹《应用化学》,2001年第10期
   用化学共沉淀法制备了 α-Fe2 O3-Mg O复合金属氧化物纳米晶微粉 .并对其相组成 ,电导和气敏性能作了研究 .结果表明 ,镁铁摩尔比 n(Mg2 )∶ n(Fe3 ) =1∶ 2、5 0 0℃下热处理 4h可得纯相尖晶石型复合金属氧化物 Mg Fe2 O4;电导测量显示 ,该材料呈 n型半导体导电行为 . 60 0℃下热处理 4h所得纳米晶微粉制作的元件在 2 2 7℃工作温度下对 C2 H5OH有较高灵敏度和良好的选择性 .    

5.  Sol-Gel法制备钙钛矿型复合氧化物YFeO~3气敏材料  被引次数:9
   葛秀涛  李永红  刘杏芹  沈瑜生《化学学报》,2001年第59卷第3期
   用溶胶-凝胶法制备了YFeO~3气敏材料,并对其制备条件,导电行为和气敏效应作了系统研究,结果表明:铁钇物质的量之比n(Fe^3^+):n(Y^3^+)=1:1,800℃下热处理2h可得纯相钙钛矿型复合氧化物YFeO~3;电导测量显示,该材料呈p型半导体导电行为。2h预烧凝胶粉在800℃下热处理3h所得微粉制作的元件的电导突变温度为400℃,对乙醇有较高的灵敏度和良好的选择性,有望开发为一类新型酒敏传感器。    

6.  α-Fe2O3掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响  被引次数:10
   葛秀涛  刘杏芹《物理化学学报》,2001年第17卷第10期
   用化学共沉淀法制备了α Fe2O3掺杂的In2O3纳米晶微粉,研究了α Fe2O3掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响. 结果表明, α Fe2O3和In2O3间可形成有限固溶体In2-xFexO3(0≤x≤0.40); Fe3+对In2O3晶格中In3+格位的部分取代,大大增强了阴阳离子间的结合力,导致材料中氧空位VO×数骤降、 自由电子的浓度变稀和电导下降. n(Fe3+):n(In3+)=5 :5的共沉淀粉于800 ℃下灼烧4 h所得的α Fe2O3掺杂In2O3传感器元件,对45 μmol•L-1 C2H5OH的灵敏度达54.0,为相同浓度干扰气体汽油的8倍多.    

7.  α-Fe_2O_3掺杂对In_2O_3电导和气敏性能的影响  
   葛秀涛  刘杏芹《物理化学学报》,2001年第17卷第10期
   用化学共沉淀法制备了α-Fe2O3掺杂的In2O3纳米晶微粉,研究了α-Fe2O3掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响.结果表明,α-Fe2O3和 In2O3间可形成有限固溶体In2-xFexO3(0≤x≤0.40);Fe3+对 In2O3晶格中In3+格位的部分取代,大大增强了阴阳离子间的结合力,导致材料中氧空位Vox数骤降、自由电子的浓度变稀和电导下降.n(Fe3+):n(In3+)=5:5的共沉淀粉于 800℃下灼烧 4 h所得的 α-Fe2O3掺杂In2O3传感器元件,对 45μmol·L-1C2H5OH的灵敏度达54.0,为相同浓度干扰气体汽油的8倍多.    

8.  α—Fe2O3—MgO复合氧化物的制备和气敏性能  被引次数:5
   葛秀涛 刘杏芹 等《应用化学》,2001年第18卷第10期
   用化学共沉淀法制备了α-Fe2O3-MgO复合金属氧化物纳米晶微粉。并对其相组成,电导和气敏性能作了研究。结果表明,镁铁摩尔比n(Mg^2 ):n(Fe^3 )=1:2,500℃下热处理4h可得纯相尖晶石型复合金属氧化物MgFe2O4;电导测量显示,该材料呈n型半导体导电行为,600℃下热处理4h所得纳米晶微粉制作的元素在227℃工作温度下对C2H5OH有较高灵敏度和良好的选择性。    

9.  银掺杂对CdFe2 O4电导和气敏性能的影响  被引次数:2
   葛秀涛《化学物理学报(中文版)》,2001年第14卷第4期
   用溶胶-凝胶法制备了CdFe2O4及其掺银纳米粉,并对其制备条件、物相组成、微结构、电导和气敏性能作了系统研究.结果表明: 350℃下预烧2 h进一步除尽残存柠檬酸的凝胶粉于800℃下热处理2 h可得纯相掺银纳米粉Cd1-xAgxFe2O4(0 ≤x≤0.04); 电导测量显示,该材料呈表面电阻控制的n型半导体导电行为,由于AgCd×电离出的空穴h对材料中导带自由电子的湮灭,使得掺银固溶体的导电性远小于同温下的纯相CdFe2O4; Cd0.98Ag0.02Fe2O4纳米粉制作的元件在330℃下对45 μmol/L C2H5OH的灵敏度为相同浓度干扰气体Petrol的11倍多.有望开发为一类新型C2H5OH信息敏感材料.    

10.  银掺杂对CdFe2O4电导和气敏性能的影响  被引次数:6
   葛秀涛《化学物理学报》,2001年第14卷第4期
   用溶胶-凝胶法制备了CdFe2O4及其掺银纳米粉,并对其制备条件,物相组成,微结构,电导和气敏性能作了系统研究。结果表明:350度下预烧2h进一步除尽残存柠檬酸的凝胶粉于800度下热处理2h可得纯相掺银纳米粉Cd1-xAgxFe2O4(O≤x≤0.04);电导测量显示。该材料呈表面电阻控制的n型半导体导电的行为,由于Agcd*电离出的空穴h对材料中导带自由电子的湮灭,使得掺银固溶体的导电性远小于同温下的纯相CdFe2O4;Cd0.98Ag0.02Fe2O4纳米粉制作的元件在330度下对45umol/L C2H5OH的灵敏度为相同浓度干扰气体Petrol的11倍多,有望开发有一类新型C2H5OH信息敏感材料。    

11.  Ga2O3-NiO复合氧化物的溶胶-凝胶法制备和气敏性能  被引次数:2
   葛秀涛  方大儒  刘杏芹《物理化学学报》,2005年第21卷第1期
   用溶胶-凝胶法制备了Ga2O3-NiO复合金属氧化物气敏材料,对其相组成、电导和气敏性能作了研究.结果表明:镍镓物质的量比n(Ni2+) : n(Ga3+)=0.7~0.9:2、800 ℃下热处理4 h,得到纯相尖晶石型复合金属氧化物NiGa2O4.缺陷GaNi×的反应(GaNi×→GaNi’+h●),使NiGa2O4呈p型半导体. n(Ni2+) : n(Ga3+)=1:2凝胶粉在800 ℃下热处理4 h,所得纳米微粉制作的元件在313 ℃工作温度下对C2H5OH有较高灵敏度和良好的选择性.    

12.  气敏材料Cd2V2O7的制备和性能  
   刘杏芹 邓建俊《应用化学》,1999年第16卷第2期
   采用固相反应法制备了Cd2V2O7半导体气敏材料.研究了制备条件对产物物相的影响及高温固相反应机理.电导测量表明:材料具有典型的表面电阻控制型电导行为.探讨了制备条件对气敏性能的影响.气敏测试表明,Cd2V2O7对乙醇有较好的灵敏度、选择性和稳定性以及较快的响应———恢复速度.    

13.  铈、钇在AZ91D镁合金中的存在形式及其作用  
   郭锋  李鹏飞  高霞  许娟《中国稀土学报》,2010年第28卷第5期
   在AZ91D镁合金中添加稀土元素Ce和Y,研究了Ce,Y元素在铸态AZ91D镁合金中的存在形式以及对合金组织和性能的影响.结果表明,铸态AZ91D镁合金中加入的Ce,Y大部分形成Al4Ce和Al2Y化合物,少量剩余的Ce,Y部分取代Mg元素的位置,以代位固溶的形式固溶在α-Mg固溶体和β-Mg17Al12金属间化合物中;Ce,Y能够细化镁合金铸态组织的晶粒,使Mg17Al12相发生"断网"并减少其在组织中的相对比例;适量添加Ce,Y能够提高AZ91D镁合金铸态机械性能,其主要原因是Ce,Y的细晶作用、固溶强化作用、Al-RE相的第二相强化作用以及对Mg17Al12相强化作用的改善.    

14.  Sb_xSn_(1-x)O_2固溶体系电学性能与导电机制研究  
   刘杏芹  朱海宁  沈瑜生《无机化学学报》,1996年第2期
   本文报道以均匀共沉淀法制得 Sbx Sn1 -x O2 体系半导体气敏材料 ,研究了固溶体组成与电导的变化规律 ,并对导电机制进行了讨论。结果表明 :x<0 .30时均可生成固溶体。微量 Sb(x=0 .0 4 )的掺入即能提高 Sn O2 电导一个数量级 ,在 x≤ 0 .0 4区间电导都呈上升趋势 ,其后一直到固溶范围内随着 X增加 ,电导反而缓慢下降。根据体系中存在的 Sb°Sn和 Sb′Sn两种缺陷 ,讨论了其电导变化和导电机制。认为平衡 Sb°Sn 2 e′=Sb′Sn对上述导电机制起决定作用。XPS分析对 Sb5 、Sb3 的含量进行了确认 ,交流阻抗谱的测试结果从另一角度对电导行为加以证实。    

15.  溶胶-凝胶法制备(Ca1-xMgx)SiO3陶瓷及其微波介电性能  
   王焕平  张启龙  杨辉  孙慧萍《物理化学学报》,2007年第23卷第4期
   以硝酸钙、硝酸镁、正硅酸乙酯为先驱体, 利用溶胶-凝胶法合成(Ca1-xMgx)SiO3(x=0.1、0.2、0.3、0.4、0.5)陶瓷粉体, 研究了Mg2+取代Ca2+对陶瓷物相组成、烧结特性以及微波介电性能的影响规律. 结果表明, Mg2+在CaSiO3中的最大固溶度不超过0.2;随着Mg2+对Ca2+取代量的增加, 陶瓷在烧结后的主晶相出现从CaSiO3相向CaMgSi2O6相的转变,陶瓷的烧结特性及介电性能出现先增加后下降的趋势;当x=0.3 时, 陶瓷体中CaSiO3相与CaMgSi2O6相共存, 克服了单相CaSiO3或CaMgSi2O6易成片长大的缺点,有效减少了陶瓷中残留的气孔, 提高烧结体致密性. (Ca0.7Mg0.3)SiO3在1320 益烧结后介电常数为6.62, 品质因数为36962 GHz.    

16.  Na_3Zr_(2-x)In_xSi_(2-x)P_(1 x)O_(12)系统的组成、结构和离子电导的关系  
   田顺宝  林祖纕《物理学报》,1986年第8期
   用固相反应、X射线衍射、金相显微镜观察、测定比热和复平面阻抗谱的方法研究了Na_3Zr_(2-x)In_xSi_(2-x)P_(1 x)O_(12)系统。 在此系统中存在两种固溶体:单斜固溶体(0≤x<0.8)和三方固溶体(0.8≤x≤1.8)。即从x=0.8的组成开始,NASICON型Na_3Zr_(2-x)In_xSi_(2-x)P_(1 x)O_(12)固溶体的三方型相已稳定在室温,在加热过程中不再有相变出现。 对Na_3Zr_(2-x)M_xSi_(2-x)P_(1 x)O_(12)(M=Y,Yb和In)系统的电导率进行了比较,并从结晶化学的角度进行了讨论。    

17.  A位取代对(Ca0.61Nd0.26)TiO3陶瓷烧结特性和介电性能的影响  
   张启龙  孙慧萍        《无机化学学报》,2009年第25卷第1期
   采用常规固相反应法,以(Ca0.61Nd0.26)TiO3体系为基体成分,研究了A位取代对(Ca0.61Nd0.26)TiO3陶瓷的烧结特性和介电性能的影响规律。结果表明:Zn,Mg的A位取代,促使(Ca0.61Nd0.26)TiO3陶瓷烧结温度从1350℃降至1250℃。Zn,Mg在一定范围内A位取代(Ca0.61Nd0.26)TiO3中的Ca可形成钙钛矿结构的固溶体,Zn、Mg最大固溶度(x(Zn),y(Mg))分别不超过0.1和0.15mol。当取代量超过固溶度后,分别形成Ca2Zn4Ti15O36和MgTi2O5第二相。随Zn和Mg取代量的增加,陶瓷介电常数(εr)和谐振频率温度系数(τf)减小。陶瓷品质因数(Qf)值随Zn取代量先增后减,而随Mg取代量增加,其Qf值一直增大。Zn,Mg最佳取代分别为x(Zn)=0.15和y(Mg)=0.25,在1250℃烧结2h,[(Ca0.85Zn0.15)0.61Nd0.26]TiO3的介电性能:εr=93.60,Qf=12454GHz,τf= 150.3ppm·℃-1,[(Ca0.75Mg0.25)0.61Nd0.26]TiO3的介电性能:εr=72.48,Qf=14622GHz,τf= 108ppm·℃-1。    

18.  SnO2基固溶体用于甲烷深度氧化:X射线衍射外推法测定 SnO2晶格容量  
   孙琪  徐香兰  彭洪根  方修忠  刘文明  应家伟  余帆  王翔《催化学报》,2016年第8期
   CH4和 CO是两种主要的温室效应气体和空气污染物,催化氧化是最有效的消除 CH4和 CO的方法.研发不含贵金属的金属氧化物催化剂或者减少催化剂中贵金属用量为该领域研究热点. SnO2是一种重要的宽禁带 n型半导体材料,广泛应用于气敏器件、锂离子电池以及光电设备. SnO2表面富含活泼的缺位氧且具有良好的热稳定性,因此其在催化方面的性能近年来逐渐受到人们关注.在过去的5年中,本团队深入研究了 SnO2材料在空气污染治理和绿色能源生产等领域的应用及其催化性质.发现通过其它阳离子如 Fe3+, Cr3+, Ta5+, Ce4+和Nb5+等的掺杂,替换晶格中部分 Sn4+,形成金红石型 SnO2固溶体结构,显著提高了催化剂氧物种的流动性、活性和催化剂本身的热稳定性.固溶体材料是一类重要的催化剂,受到广泛关注.一个典型的例子是铈锆固溶体,其作为储氧材料已广泛应用于汽车尾气净化器.形成固溶体结构后,氧化铈的储氧能力和热稳定性得到显著提高.为有效形成固溶体,两个阳离子需要具有相似的离子半径和电负性.以往,人们基于结构中金属阳离子和氧阴离子的离子半径提出了容忍因子的判别方法,以此来判断固溶体是否能有效形成及所生成固溶体的稳定性.我们在前期工作中,以 Sn-Nb固溶体为例,提出了简单的X射线衍射(XRD)外推法来计算固溶体晶格容量,即形成稳定固溶体时客体阳离子取代主体晶格阳离子的最大值.作为延续工作,本文采用共沉淀法制备了一系列 Sn/M (M = Mn, Zr, Ti, Pb)摩尔比为9/1的 SnO2基催化剂,并用于 CH4和 CO催化氧化.结果表明, Mn3+, Zr4+, Ti4+和 Pb4+均可以掺杂进四方金红石型 SnO2晶格中,形成稳定的固溶体结构.其中 Sn-Mn-O固溶体表现出最高活性.为了深入研究 Mn2O3在 SnO2中的晶格容量及最优催化剂配比,采用共沉淀法制备了一系列不同 Sn/Mn摩尔比的样品,采用 XRD, N2-BET, H2-TPR, SEM和XPS等手段对其物理化学性能进行了表征,并考察了对 CH4的催化氧化性能.通过 XRD外推法测定了 Mn3+离子在 SnO2中的晶格容量为0.135 g Mn2O3/g SnO2,相当于 Sn/Mn摩尔比为79/21.这表明形成稳定的固溶体后, SnO2晶格中最多只有21% Sn4+可以被 Mn3+替代;当 Mn3+含量超过晶格容量时,过量的 Mn3+在催化剂表面形成 Mn2O3,对催化剂活性不利.类似于 Sn-Nb-O固溶体,在 Sn-Mn-O催化剂体系中亦观察到明显的晶格容量效应.纯相的 Sn-Mn-O固溶体比含过量 Mn2O3晶相的 Sn-Mn-O催化剂具有更高活性.    

19.  Ce1—xM′xCa0.2O1.8—0.4x(M=Y,La和Gd)的水热合成及离子导电性质研究  
   赵辉 朱向荣 等《高等学校化学学报》,2001年第22卷第9期
   采用水热法合成了系列双掺杂的萤石结构Ce1-xLnxCa0.2O1.8-0.4x固溶体,并研究了3种稀土离子对固溶体导电性的影响,发现掺杂离子半径接近Ce^4 时,体系电导率增大而活化能降低,同时发现水热合成的Ce1-xLnxCa0.2O1.8-0.4x样品的平均粒度按着掺入离子Y^3 ,Gd^3 ,La^3 的顺序逐渐减小,分别为32,20和15nm,这种变化是由于Y^3 半径比La^3 和G ^3 更接近Ce^4 ,因而在水热合成过程中, 掺Y^3 的体系更有利于晶粒的生长,得到的晶体粒度较大。    

20.  Ce1-xM′xCa0.2O1.8-0.4x (M=Y,La和Gd)  被引次数:4
   赵辉  朱向荣  刘泷龙  韩东霖  徐娓  冯守华《高等学校化学学报》,2001年第22卷第9期
   采用水热法合成了系列双掺杂的萤石结构Ce1-xLnxCa0.2O1.8-0.4x固溶体, 并研究了3种稀土离子对固溶体导电性的影响, 发现掺杂离子半径接近Ce4+时, 体系电导率增大而活化能降低. 同时发现水热合成的Ce1-xLnxCa0.2O1.8-0.4x样品的平均粒度按着掺入离子Y3+, Gd3+, La3+的顺序逐渐减小, 分别为32, 20和15 nm. 这种变化是由于Y3+半径比La3+和Gd3+更接近Ce4+, 因而在水热合成过程中, 掺Y3+的体系更有利于晶粒的生长, 得到的晶体粒度较大.    

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