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线阵激光二极管侧面抽运Nd:YAG激光器特性研究 总被引:6,自引:2,他引:6
依据四能级系统速率方程,推导出了多横模振荡固体激光器输出与输入参量的关系。对二极管抽运固体激光器中线阵激光二极管三向对称侧面抽运结构,计算了抽运光强分布,并就激光器的阈值抽运功率、近阈值条件下的斜率效率、输出功率和光束质量等与抽运参量的关系,进行了数值计算。由计算结果看出,线阵激光二极管侧面抽运Nd:YAG激光器中晶体半径和抽运光束腰半径是影响输出激光功率和光束质量的主要因素,并通过在谐振腔中加小孔选模,使光束质量得到明显改善。选择了一组三向侧面抽运结构参量进行了实验验证,实验结果与理论计算一致。 相似文献
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高光学质量,高平均功率非稳腔Nd:YAG激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
在分析含热透镜的非稳腔固体激光器普遍特性的基础上,分别定义了几何放大率和输出曲率半径的热敏感度,结合腔镜失调敏感度而成为设计该类谐振腔的重要依据,据此,进一步改善和发展的新型的棒成像非稳腔。 相似文献
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线阵激光二极管侧面抽运Nd∶YAG激光器特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
依据四能级系统速率方程 ,推导出了多横模振荡固体激光器输出与输入参量的关系。对二极管抽运固体激光器中线阵激光二极管三向对称侧面抽运结构 ,计算了抽运光强分布 ,并就激光器的阈值抽运功率、近阈值条件下的斜率效率、输出功率和光束质量等与抽运参量的关系 ,进行了数值计算。由计算结果看出 ,线阵激光二极管侧面抽运Nd∶YAG激光器中晶体半径和抽运光束腰半径是影响输出激光功率和光束质量的主要因素 ,并通过在谐振腔中加小孔选模 ,使光束质量得到明显改善。选择了一组三向侧面抽运结构参量进行了实验验证 ,实验结果与理论计算一致。 相似文献
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采用数值计算的方法,对脉冲激光二极管三向侧面抽运固体激光器中,激光晶体的温度场时变分布进行了计算. 分析了三向侧面抽运情况下晶体内光强分布,在此基础上,采用有限元法,以脉冲激光二极管侧面抽运Nd:YAG激光器为例,对单脉冲过程中晶体温度分布及其影响因素进行分析. 结果表明,晶体升温过程受到抽运条件以及散热条件的影响,但是主要受到抽运条件即抽运光强度和光束半径的影响,降温过程受到晶体热物性参数和晶体半径以及散热条件的影响. 当晶体温度达到周期性分布后,由于晶体径向温度梯度的周期性变化,引起通过晶体的平面光波的中心和边缘光线相对光程差也随时间作周期性变化. 相似文献
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激光二极管侧面抽运Nd:YAG锁模激光器的研究 总被引:7,自引:3,他引:7
利用谐振腔的稳定条件对激光二极管侧面抽运的Nd:YAG锁模直腔的稳区特性和谐振腔内的光斑分布进行了分析。根据对腔参量的分析,选取合适的腔参量设计了一个简单的侧面抽运直腔,该谐振腔腔形简单,没有像散,振荡光模式好,有利于激光器的锁模运转。实验中采用国内自行研制的半导体可饱和吸收镜,实现了激光二极管侧面抽运半导体可饱和吸收镜锁模Nd:YAG激光器的连续锁模运转,平均输出功率为2W,锁模脉冲宽度为10ps,重复频率为100MHz。结合实验结果进一步讨论了半导体可饱和吸收镜的一些参量如饱和恢复时间、调制深度等对实现稳定连续锁模的影响。 相似文献
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电光腔倒空激光二极管抽运Nd:YAG锁模激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一个简单的直腔。将电光腔倒空与激光二极管端面抽运Nd:YAG半导体可饱和吸收镜锁模激光器结合,实现了锁模脉冲的产生、放大和输出。在连续抽运功率5W的条件下。获得了脉冲宽度为11ps的锁模单脉冲输出和脉冲宽度为200ns的调Q脉冲输出,腔倒空单脉冲能量为30nJ,重复频率为10Hz。连续锁模运转时单个锁模脉冲的能量约为2nJ。利用腔倒空将单脉冲的能量提高了15倍左右。文章详细讨论了腔倒空脉冲及调Q脉冲的产生机理,并分析了加在电光晶体上的高压电脉冲以及偏振片的偏振度对腔倒空脉冲及调Q脉冲的影响。 相似文献
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拱形激光二极管侧抽运Nd:YAG固体激光器的实验研究 总被引:4,自引:0,他引:4
详细阐述了同心抽运、同心冷却的激光二极管紧包侧抽运Nd:YAG激光器的实验研究工作。这种抽运结构使晶体内的增益场与谐振腔基模实现了良好的匹配,易于得到良好的光束质量和大能量输出,基模提取效率高。模拟分析了晶体内的增益场以及横截面内的温度分布,从不同角度探讨了激光二极管的温度特性对器件工作的影响。研究了晶体的热致退偏效应对器件调Q工作的影响.并且初步探讨了不同腔长、不同腔型下器件的工作情况,这些实验结果对进一步优化使用这种抽运结构有指导意义。所设计的激光器在工作频率6Hz时.得到了斜效率为44.3%的多模调Q输出。在抽运能量735mJ时,得到最大输出能量135mJ,脉宽7.6ns的调Q脉冲,光光效率为18.4%,插头效率为11.0%,光束发散角小于1.5mrad。 相似文献
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高能激光广泛应用于材料加工、科学研究、空间碎片清除、军事应用等领域。二极管泵浦高能激光具有结构紧凑,系统简单、全电驱无限弹仓的特点,近年来,各类二极管泵浦高能激光围绕着同时实现高功率、高效率、高光束质量这一总目标发展迅速。详细综述了国内外高平均功率块状固体激光、高功率可见光波段激光、高峰值功率激光、高功率光纤激光、碱金属蒸气激光等二极管泵浦高能激光的研究进展,并对其发展趋势进行了展望。 相似文献
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本文报道—台自制的光学投影亚微米量级微细加工用的KrF准分子激光振荡-放大系统,并对其设计和运转性能加以讨论.该系统在200Hz重复率运转时其谱线漂移小于5×10~(-4)nm,谱线宽度为2.3×10~(-8)nm,平均功率达24.4W. 相似文献
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纳秒激光诱导石英光纤端面损伤特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
实验研究了石英光纤的纳秒激光诱导损伤行为.实验条件下全部为光纤端面损伤,按照损伤形貌可以分为坑状损伤、熔融损伤和溅射损伤三类.提出了光纤端面损伤的判断方法和损伤阈值的测试方法,通过线性拟合得出实验条件下石英传能光纤的零概率损伤功率密度阈值为3.85GW/cm2.总结了光纤端面损伤的过程,分析了激光诱导光纤端面损伤机理,指出光纤端面的杂质缺陷是造成光纤抗激光损伤能力下降的内因.因此,通过改善光纤端面质量还可较大程度提高光纤传输激光能量.实验发现光纤注入端面损伤点几乎全部发生在端面中心区关键词:激光诱导损伤高峰值功率光纤传能损伤阈值 相似文献
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A diode-pumped solid-state Cr4+:Nd:YAG/KTP green laser with intracavity second harmonic generation is reported. Stable quasi-cw output of 1.03 W in average power, 100 kHz of repetition rate and about 25 ns of pulse width were obtained. Repetition rate and pulse width were studied experimentally and analyzed under different conditions. 相似文献
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Ying-Ying Li Bo Gao Chun-Yang Ma Ge Wu Jia-Yu Huo Ying Han S. Wageh Omar A. Al-Hartomy Abdullah G. Al-Sehemi Lie Liu Han Zhang 《Laser u0026amp; Photonics Reviews》2023,17(4):2200596
Mamyshev oscillators (MOs) have attracted significant attention given their potential in yielding ultrafast lasers with high peak power. Based on step-like saturable absorbers and self-similar evolution in the gain fiber, MO technology features an advanced system capable of generating ultrastable femtosecond pulses with ultrahigh peak power. In this review, the principle of MO is presented in terms of their transmission function and tolerance to nonlinear phase shift and recent progress is reported in the advanced output performance of MO, manifested through high peak power, few-cycles, high repetition rate, and supercontinuum generation. MO with various operation wavelengths (1, 1.5, and 2 μm) are examined, and MO starting methods are fully discussed, followed by a detailed account of diverse potential applications in areas such as biomedical imaging and material processing. Based on current progress, the prospective challenges and future directions of MO are highlighted and discussed. 相似文献
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针对半导体断路开关型、数十kHz高频脉冲功率源设计了初级单元。该单元在低频电路的基础上进行了改进和优化,放电主开关采用IGBT串并联组件,解决了同步触发问题,增加了过流保护系统,设计了高频脉冲触发器。研究发现,初级单元的放电电容放电后有残余电压存在,这会降低脉冲功率源的输出稳定性。该初级电路加强了高频率脉冲功率源的稳定性和可靠性,成功应用于数十kHz高频脉冲功率源。从波形上看,初级充电电源工作电压约为1 kV,放电电流约1.5 kA,在10 kHz条件下可以稳定工作。 相似文献