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相似文献
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1.
利用WKB近似和自关联函数方法,我们研究了一般幂指数中心势V(r)=γrk (-20)作用下波包的回归和部分回归.对于排斥势(γ>0, k>0), 势是一长程势,量子化能级结构中只有一个量子数,波包的回归结构和一维幂指数势的情况类似.这一结果表明能级结构相同的体系具有相同的波包回归结构.对于吸引势,能级结构中有两个量子数, 当 k取不同的值时,波包的回归结构不同.对于库仑吸引势,波包回归和部分回归出现;但是对于其它的k值, 经过一段时间后,波包出现坍塌.本文的研究对于探讨里德堡原子和分子中电子运动的经典极限提供了一个新的方法.  相似文献   

2.
利用WKB近似和自关联函数方法,我们研究了一般幂指数中心势V(r)=rk (-20)作用下波包的回归和部分回归。对于排斥势(>0, k>0), 势是一长程势,量子化能级结构中只有一个量子数,波包的回归结构和一维幂指数势的情况类似。这一结果表明能级结构相同的体系具有相同的波包回归结构。 对于吸引势,能级结构中有两个量子数, 当 k取不同的值时,波包的回归结构不同。对于库仑吸引势,波包回归和部分回归出现; 但是对于其它的k值, 经过一段时间后,波包出现坍塌。本文的研究对于探讨里德堡原子和分子中电子运动的经典极限提供了一个新的方法。  相似文献   

3.
不同势下铱团簇结构和熔化行为的分子动力学模拟   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
刘建廷  段海明 《物理学报》2009,58(7):4826-4834
采用分子动力学方法及淬火技术,结合Gupta势和Sutton-Chen势,模拟研究了包含13,14,55,56,147及148个原子数的铱团簇的熔化行为. 结果表明,Gupta势和Sutton-Chen势对所研究的Ir团簇的基态几何结构和熔化行为给出了基本一致的描述:两种不同势给出了完全相同的基态几何结构;两种势给出的Ir团簇熔点及预熔化区间随团簇尺寸的变化关系基本一致;对于小Irn团簇(n=13,14)两类势均表现出比热峰值相对于均方根键长涨落饱和值滞后的现象. 但是 关键词: 铱团簇 分子动力学 Gupta势和Sutton-Chen势 熔化  相似文献   

4.
李向东 《物理学报》2011,60(5):53201-053201
本文将等离子体核聚变反应截面研究中利用等离子体环境涨落进行修正了的Debye-Hückel屏蔽势推广到计算等离子体中辐射离子束缚态的能级结构. 通过Tsallis参数q的变化,在等离子体辐射离子束缚态能级结构的计算中加入等离子体参数涨落的平均效应,即,等离子体动力学. 具体给出了利用修正的Debye-Hückel屏蔽势对类氦铝束缚态能级结构的计算结果. 结果表明基于这种修正的屏蔽势,自由电子的极化分布具有和线性Debye-Hückel屏蔽势不同的结构. 这种通过等离子体涨落分布对屏蔽势函数进 关键词: 等离子体中的原子结构 等离子体环境涨落 修正了的Debye-Hückel屏蔽势  相似文献   

5.
为了构建拟合势需要的数据库,采用密度泛函理论方法计算了六角密堆结构钇(hcp-Y)的晶格参数、弹性常数、内聚能、结构能差以及相关的点、面缺陷性质. 基于解析型键序作用势,构建了hcp-Y的多体作用势模型. hcp-Y势模型是通过拟合Y的晶格参数、弹性常数、体弹模量、内聚能、空位形成能和不同相之间的结构能差而构建.分析发现,所得到的势模型能够很好地描述hcp-Y的自填隙原子形成能、空位形成能、双空位键能以及其它体性质,同时,构建的势模型用来研究Y的热动力学性质的相关结果也比较理想.  相似文献   

6.
许爱国  王光瑞 《计算物理》1997,14(4):521-523
使用一个具有实际意义的双阱势作为原子间作用势、受扰余弦势作为外势,引入一个新的FK类模型,用有效势方法研究其相图,发现了一系列新奇的、复杂的,但同时又有一定规律可循的相结构。  相似文献   

7.
田原野  郭福明  杨玉军 《物理学报》2013,62(7):73202-073202
本文从理论上分别研究了长程和短程原子势对阈上电离光电子谱平台结构的影响. 发现在相当大的激光参数范围内, 长程势的阈上电离谱总是呈现出清晰的双平台结构; 对于短程势, 阈上电离谱双平台的界限不再清晰, 随着入射激光强度的减小, 逐渐从双平台过渡到单平台. 基于经典分析和量子力学数值模拟, 阐明了在不同模型势下, 电离速率的差别和再散射电子弹性碰撞截面的不同导致了上述平台结构的差异.此外, 还讨论了激光脉冲空间强度分布对这一现象的影响. 关键词: 阈上电离 离子势影响 中红外激光脉冲  相似文献   

8.
测量了Bi_2Sr_2CaCu_2O_8单晶a方向的热电势率Sa和b方向的热电势率Sb与温度T的关系,发现在a-b平面内热电势率存在各向异性。认为Sa与Sb的差异来源于b方向的调制结构,并用扩散热电势率Sd,声子曳引热电势率Sg和相关跳跃热电势率Sh三种贡献,对实验结果进行了解释。  相似文献   

9.
基于密度泛函理论和卡里普索结构预测方法,系统研究了ComBn(m+n≤6)团簇的结构,电子特性和磁性。首先,通过卡里普索结构预测方法获得了体系的基态和亚稳态结构。基于基态结构,利用HOMO-LUMO能隙,垂直电离势,垂直电子亲和势和化学硬度分析了掺杂体系的稳定性。最后,研究了基态结构对应的自然布局分布,自然电子组态等电子特性和磁性。  相似文献   

10.
正弦平方势与带电粒子沟道效应的能带结构   总被引:11,自引:0,他引:11       下载免费PDF全文
邵明珠  罗诗裕 《物理学报》2007,56(6):3407-3410
在量子力学的框架内描述了带电粒子与晶体相互作用,利用正弦平方势把沟道粒子的Schr?dinger方程化为Mathieu方程,根据Bloch定理讨论了系统能量分布,并用摄动法求解了方程的低阶不稳定区及其禁带宽度,系统自动呈现出了能带结构,再现了粒子束同晶体相互作用的周期性特征.而这一点正是其他相互作用势不曾有的. 关键词: 沟道效应 能带结构 正弦平方势 摄动法  相似文献   

11.
薛舫时 《物理学报》1986,35(10):1315-1321
使用分区变分法计算了GaAs,GaP和GaAsxP1-x合金的能带。鉴于原胞内包含不同的原子,依据实际原子的大小,对不同原子球选用了不同的半径。晶体势用相应原子势的迭加势来计算。考虑到组成晶体时原子势场由于电子成键而产生畸变,因而在球外成键区选用了一些调整参数来调整势场,然后再用解析表式来逼近这种调整原子势。适当地选择调整参数使算得的能带同已知的实验值接近。对GaAs和GaP已算得了同实验结果符合的能带结构。使用所得的调整原子势进一步计算了GaAsxP1-x合金的能带。 关键词:  相似文献   

12.
Electron mobility in the narrow band solid with a cellular disorder is investigated by methods of the coherent potential theory. Numerical results for the tight-binding model with the Lorentzian distribution of site potentials are presented. The motion of the electron in the region of extended states is neither a well defined coherent band motion nor a simple Brownian diffusion. The statistical electron-hole correlation proves to be important and increases fast with the potential distribution width to band width ratio. The correlation also increases when approaching the mobility edges.  相似文献   

13.
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,对本征Mn4Si7以及Ge,Al单掺杂和共掺杂Mn4Si7的晶体结构,能带结构,态密度以及光学性质进行了计算和分析.计算结果表明:本征态Mn4Si7的禁带宽度为0.810 eV,为直接带隙半导体材料,掺杂后晶体结构稍微变化,禁带宽度减小,且共掺杂时禁带宽度最小,电导率最好.Al以及Ge,Al共同掺杂时会产生杂质能级.掺杂后光子能量向低能级方向移动,光电导率,光吸收,反射系数都有所增大,说明掺杂改善了Mn4Si7的光学性质,从而可以提高光伏发电效率.  相似文献   

14.
We used an efficient direct-space orthogonalized linear combination of atomic orbitals method to calculate the band structures of most common elemental, III–V and II–VI semiconductors, obtaining correct locations and magnitudes of the band gaps. The atomic-like minimal basis and the atomic-like potentials obtained from these calculations can be used to calculate the band structures of semiconductor superlattices. As an example of such an application, we show the results of calculations on 100 Si bilayers (313 Å in width) randomly stacked in the [111] direction. This structure represents a realistic one-dimensional model system with off-diagonal disorder in the z-direction and hexagonal translational symmetry in the x-y plane. Highly localized states at both the conduction band and the valence band edges are identified and analyzed. These electron states are compared with those obtained from similar calculations on perfect Si-bilayers of same width as in diamond lattice and those containing intrinsic and extrinsic types of stacking faults.  相似文献   

15.
氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征及其能带结构分析   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
对氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征和薄膜能带结构之间的关系进行了研究.所用样品采用螺 旋波等离子体化学气相沉积技术制备,利用Raman散射、红外吸收和光学吸收技术对薄膜的 微观结构、氢的键合特征以及能带结构特性进行了分析.Raman结果显示不同衬底温度下所生 长薄膜的微观结构存在显著差异,从非晶硅到纳米晶硅转化的衬底温度阈值为200℃.薄膜中 氢的键合特征与薄膜的能带结构密切相关.氢化非晶硅薄膜具有较高的氢含量,因键合氢引 起的价带化学位移和低衬底温度决定的结构无序性,使薄膜呈现较大的光学带隙和带尾宽度 .升 关键词: 氢化纳米硅 螺旋波等离子体 能带结构  相似文献   

16.
采用基于密度泛函理论中第一性原理的赝势平面波法,分别对本征Mn4Si7、Cr掺杂Mn4Si7以及Cr和Mo双掺Mn4Si7的电子结构及光学性质进行了计算和分析。计算结果表明本征Mn4Si7禁带宽度为Eg=0.813 eV,Cr掺杂Mn4Si7禁带宽度为Eg=0.730 eV,Cr和Mo双掺Mn4Si7禁带宽度为Eg=0.620 eV,均为间接带隙半导体、p型掺杂。此外,在低能区掺杂体系的介电函数、折射率、消光系数、吸收系数以及光电导率均强于本征Mn4Si7,表明Cr掺杂Mn4Si7以及Cr和Mo双掺Mn4Si7有运用于红外光电子器件的巨大潜力。  相似文献   

17.
We investigate the electron transport and conductance properties in Fibonacci quasi-periodic graphene superlattices with electrostatic barriers and magnetic vector potentials.It is found that a new Dirac point appears in the band structure of graphene superlattice and the position of the Dirac point is exactly located at the energy corresponding to the zero-averaged wave number.The magnetic and electric potentials modify the energy band structure and transmission spectrum in entirely diverse ways.In addition,the angular-dependent transmission is blocked by the potential barriers at certain incident angles due to the appearance of the evanescent states.The effects of lattice constants and different potentials on angular-averaged conductance are also discussed.  相似文献   

18.
A valid method is used to extend the omnidirectional electronic gap (OEG) of Gaussian gapped graphene superlattices (GSLs) heterostructure. The heterostructure consists of two superlattices with different width ratios of potentials. Each superlattice comprises a periodic repetition of a unit cell consisting of 21 layers with the potential voltages varying according to a Gaussian function and another layer with a fixed potential voltage. The potential width ratios of constituent Gaussian gapped GSL are established utilizing the lower and upper energy edges of omnidirectional electronic gap depending on the width ratio of potentials. Moreover, it is shown that the width of OEG of the heterostructure is sensitive to lattice constant, which can be applicable to the development of graphene-based electronics.  相似文献   

19.
Quantum states and energy levels of an electron in a cylindrical quantum dot with different models of confinement potentials are studied. Two models of confinement potentials, Morse potential and modified Pöschl-Teller potential, are considered. It is shown that due to distinction between symmetric and asymmetric nature of potentials, there is a fundamental difference in behavior of the ground levels of charge carriers in these potentials. At small values of the width of Morse potential, quantum emission of electron occurs which is not observed in case of the modified Pöschl-Teller potential.  相似文献   

20.
NEW EXACTLY SOLVABLE SUPERSYMMETRIC PERIODIC POTENTIALS   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
刘克家  何力  周国利  伍玉娇 《中国物理》2001,10(12):1110-1112
Using the formalism of supersymmetric quantum mechanics, we give an exact solution for a family of one-dimensional periodic potentials, which are the supersymmetric partners of the potential proportional to the trigonometric function cos(2x) such that the Schr?dinger equation for this potential is named the Mathieu equation mathematically. We show that the new potentials are distinctly different from their original ones. However, both have the same energy band structure. All the potentials obtained in this paper are free of singularities.  相似文献   

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